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  • 全新氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列增加绩效差距
    • 改善阻抗值及主要的品质因数值达一倍
    • 更低阻抗相等于提高电流能力….. 30 V、高达590A!!
    • 卓越的散热性能
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