宜普公司开发出世界上第一款推出市场的增强型GaN器件。我们考虑到eGaN FET必需易于使用，所以开发了这些非常类似硅功率MOSFET的器件。而易于使用的工具可大大提高这些器件的易用性。
宜普半桥开发板可简化评估eGaN FET的过程，因为单块板上不仅包含了所有关键的元器件，并且采用了具有最优开关性能的版图设计，可轻松连接任何现有的转换器。
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宜普全功能电路演示板采用功能完整的电路设计，可帮助设计师评估宜普eGaN FET的先进性能。
这是规范草案 -我们可能在不预先作出通知的情况下随时作出修改。