eGaN®FET 与集成电路

由于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可在更高频下工作及具备超低的导通电阻(RDS(ON)),因此它可以提高目前采用标准MOSFET产品的应用的性能,并且推动硅基FET技术所不可能实现的应用的出现。

氮化镓集成电路(eGaN IC)进一步扩大eGaN技术与传统硅基器件的效率差距。 eGaN IC节省占板面积、改善效率、提高制造效率及降低系统的成本。

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宜普电源转换公司推出了全球市场上第一款增强型氮化镓器件。我们的氮化镓场效应晶体管允许设计工程师采用任何电源转换拓扑包括全桥、半桥、降压转换器、升压转换器、功率因数校正、反激式转换器、正激式转换器或LLC转换器,因此可实现比硅功率MOSFET显著增强的性能。