EPC2001C:增强型功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 7 mΩ
ID, 36 A
脉冲 ID, 150 A
符合RoHS 6/6、无卤素


晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

应用

  • 高速直流-直流转换
  • 工业自动化
  • 同步整流
  • 高频硬开关及软开关技术
  • D类音频放大器

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:投产
立即购买
购买 eGaN FET及集成电路


Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教