EPC2050: 350 V, 26 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

VDS, 350 V
RDS(on), 65 mΩ
ID, 6.3 A
脉冲 ID, 26 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2050 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.95 mm x 1.95 mm

应用

  • Multi-level AC-DC Power Supplies
  • (H)EV Charging
  • Solar Power Inverters
  • Motor Drives
  • Wireless Power Class-E Amplifiers
  • LED Lighting
  • Medical Imaging

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:工程产品
在购买器件时,产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态",不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前,请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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