EPC2050: 350 V, 26 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

VDS, 350 V
RDS(on), 65 mΩ
ID, 6.3 A
脉冲 ID, 26 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2050 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.95 mm x 1.95 mm

应用

  • Multi-level AC-DC Power Supplies
  • (H)EV Charging
  • Solar Power Inverters
  • Motor Drives
  • Wireless Power Class-E Amplifiers
  • LED Lighting
  • Medical Imaging

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:工程产品
在购买点(POP),器件如果有指定的ENG*后缀是EPC正准备投产的首批工程器件。该些器件 在最后投产推出时,其设计规范有可能改变。如果有任何问题,请contact us与我们联络。
立即购买


购买 eGaN FET及集成电路