EPC2111:增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管

VDS, 30 V
RDS(on),
19 mΩ (Q1, 控制 FET),
8 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 16 A (Q1) 及 16 A (Q2)
脉冲 ID,50 A (Q1) 及 140 A (Q2)
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2111 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.5 mm x 1.5 mm

应用

  • 高频DC-DC电源转换
  • 负载点(POL)转换器

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:工程产品
在购买点(POP),器件如果有指定的ENG*后缀是EPC正准备投产的首批工程器件。该些器件 在最后投产推出时,其设计规范有可能改变。如果有任何问题,请contact us与我们联络。
立即购买


购买 eGaN FET及集成电路