Gallium Nitride FETs Deliver High Performance at Silicon Prices

eGaN®FET 以硅器件的价格提供高性能技术

硅半导体以外的世界

与硅基器件相比,这是60年以来半导体业界首次实现具备优越性能而成本可以更低的、并非采用硅材料的氮化镓技术。

GaN-based transistors can be found in thousands of designs in applications such as LiDAR systems for autonomous vehicles, wireless power, AC-DC and DC-DC power supplies, motor drives, envelope tracking for 4G/LTE base stations, Class-D audio systems, satellites, automotive lighting, to name just a few.

器件型号 配置 VDS 最大
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
最高峰值
脉冲 ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
封装e
(mm)
半桥式开发板
EPC2035 单路 60 45 0.88 0.25 0.16 2.6 24 BGA 0.9 x 0.9 EPC9049
EPC2108 具同步启动的雙路 60 240
3300
0.24
0.44
0.106
0.02
0.047
0.004
0.71
0.93
0.134
5.5
0.5
BGA 1.35 x 1.35 EPC9509
EPC2039 单路 80 25 2.4 0.76 0.42 7.6 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2036 单路 100 73 0.7 0.17 0.14 3.9 18 BGA 0.9 x 0.9 EPC9050
EPC2107 具同步启动的雙路 100 390
3300
0.19
0.044
0.077
0.020
0.041
0.004
0.9
1.25
0.134
3.8
0.5
BGA 1.35 x 1.35 EPC9510
EPC2037 单路 100 550 0.115 0.032 0.025 0.6 2.4 BGA 0.9 x 0.9 EPC9051
EPC2038 单路 100 3300 0.044 0.020 0.004 0.134 0.5 BGA 0.9 x 0.9 EPC9507
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