常见问题

組裝eGaN® FET

如何组装宜普公司增强型氮化镓晶体管?

与使用LGA封装的器件相似,宜普公司的氮化镓场效应晶体管非常易于组装。关于如何焊接及移除晶片的速查指南请点击 http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/装配技术资源.aspx

晶体管的焊盘之间的距离很短。请问宜普公司对如何承受源极与漏极之间的高电压有何建议?

宜普公司已经刊载了两篇有关这个问题的应用笔记: 第一篇是“宜普氮化镓晶体管的应用已经准备就绪:第一阶段测试”。第二篇是“组装宜普氮化镓场效应晶体管”。在第一篇笔记中,宜普公司展示了每种器件的端子之间的分隔距离足以承受最大额定电压。在第二篇笔记中,宜普公司提供了如何可靠地组装这些器件的信息和指南。

关于制造方面的问题,我们的团队可向谁提问?

关于这个问题或者是其他相关的问题,请发送电子邮件至 info@epc-co.com与我们联系。eGaN FET使用与常用的芯片级器件相似的LGA焊盘。多家公司已在他们内部设计的制造(DFM)工艺中使用了这些LGA焊盘而并没有发现任何问题。 与目前任何功率器件相比,这种新一代晶体管的开关更快、尺寸更小。这不仅缔造终端产品的机遇,设定功率密度的全新基准,也带来了挑战,因为可要求用户提高组装技术的精度。宜普公司撰写了一篇应用笔记,帮助用户经济地组装这些LGA器件, 以及在实验室里如何正确地焊接及移除晶片的速查指南,详情请点击 http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/装配技术资源.aspx

宜普公司的eGaN器件在制造时需要使用底部填充吗?

宜普公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)不需要使用底部填充材料。底部填充材料通常用于补偿热膨胀系数(CTE)的失配效应,并保护器件与湿气和离子元件隔离,以及不受其它不利的工作环境影响。宜普公司对有底部填充和无底部填充的器件都进行了测试,结果表明在性能 或可靠性方面并没有测量出明显的分别。更详细的信息可参考“组装宜普氮化镓场效应晶体管”的应用笔记,详情请点击 http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/装配技术资源.aspx

宜普公司的eGaN器件在制造工艺方面需要一些特别步骤吗?

用户一般使用标准表面装贴技术就能够把氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)成功地安装到标准的印刷电路板上。详细的推荐方案可在“组装宜普氮化镓场效应晶体管”的应用笔记中找到,详情请点击 http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/装配技术资源.aspx。宜普公司所有的eGaN器件都是MSL-1额定。

对EPC晶片可以施加的压力是多大?

以下的答案适用于使用LGA封装的器件包括EPC2001C、 EPC2007C、EPC2010C、EPC2012C、EPC2014C、EPC2015C、EPC2016C、EPC2019、EPC8002、EPC8004、EPC8009及 EPC8010。

以上列出的器件可以承受高达200 psi的压力而不会影响晶片的参数,但请注意,器件可以承受此压力是假设在组装晶片时没有发生任何严重问题诸如晶片倾斜,因为这些问题有可能影响散热器的安装及/或有可能导致对晶片不同部位所施加的压力不一致。