常见问题

氮化镓(eGaN)技术

这些氮化镓场效应晶体管(GaN®FET)跟什么很相像?它们如何工作?

eGaN 晶体管非常类似用硅材料制造的横向型场效应晶体管(FET)。针对eGaN 器件和技术的一般讨论,请访问 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Appnote_GaNfundamentals.pdf

关于氮化镓基础知识的播客如下:
如何使用氮化镓第一章:导论-器件的材料成分
如何使用氮化镓第二章:导论-器件的性能特性


图一:宜普公司的氮化镓功率晶体管的结构


图二:氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的扫描电子显微镜图像

氮化镓场效应晶体管技术的未来发展方向是什么?

第三代氮化镓场效应晶体管在2010年推出,这种全新技术还在起步的阶段。与旧有 功率MOSFET器件相比,宜普电源转换公司致力发展更高性能、更易于使用及更低成本的氮化镓场效应晶体管,并开发600V及更高击穿电压的产品、在单晶片含有多个功率器件的集成电路,以及把功率器件与驱动器整合在晶片上的集成电路。关于氮化镓的未来的播客,请参看“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来”。



如果没有设计特制的印刷电路板,对宜普公司的晶体管进行评估的最好方法是什么?

宜普公司提供多款工具可帮助简化对eGaN® FET进行评估的过程。我们的开发板在单块板上包含了所有可易于连接至现有任何系统的关键元件。开发板上包含所有支持最优开关性能的关键元件和版图包括栅极驱动电路、板载栅极驱动供电和旁路电容。

我们不断增加及更新可选的开发板及其文档列表,详情请访问 http://epc-co.com/epc/cn/产品/演示板.aspx

我们还提供于 http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/器件模型.aspx网页上载所有器件的P-SPICE、T-SPICE、LT-SPICE及Spectre模型。我们的经验证明这些器件模型极其精确地展示实际器件的性能。关于测试结果可参看这份应用笔记 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Circuit_Simulations_Using_SPICE.pdf.

工程师如果有时间和资源在印刷电路板上直接组装宜普公司的晶体管,请参阅这份应用笔记 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Appnote_GaNassembly.pdf,它详细介绍了工艺情况及在工程师实验桌上搭建先进系统时可使用低成本实验室仪器。 关于如何放置及移除晶片的速查指南的网址及演示视像可访问 http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/装配技术资源.aspx.

请比较使用宜普公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)与使用性能相约的传统硅MOSFET器件的系统成本。

要比较基于不同技术的产品的成本并不容易。与工作于相同电压范围内的硅解决方案相比,eGaN器件的品质因数在40 V时可改善3倍、200 V时可改善10倍,而耐辐射产品的性能可改善达50倍(GOMAC Tech 2013)。 eGaN器件在性能上取得的改善是因为在相同功能下,它的占板面积小很多。这种每单位面积所取得的性能改进使得用户能够使用具更低成本的元件而设计出更高效系统。

宜普公司有没有计划推出基于氮化镓(GaN)技术的集成产品,特别是集成驱动器?

氮化镓器件的结构使得它非常适合集成。由于氮化镓开关与底部硅材料分隔,因此有可能把多个器件放在同一硅晶圆上,从而除去寄生元件。 要取得宜普公司的技术路线图,请参看“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来. ”播客。关于最新产品的开发消息,请访问www.epc-co.com.cn 。客户也可以在我们的网页注册 http://bit.ly/EPCupdates ,定期收取EPC公司的最新产品资讯。

宜普公司是否计划推出可在高压工作的产品吗?

目前宜普公司产品的电压范围是30 V至300 V。我们计划推出600 V的产品系列,届时宜普公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)将覆盖现时功率MOSFET器件所支持的90% 应用领域。

要取得宜普公司的技术路线图,请参看播客“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来”。关于最新产品的开发消息,请随时留意我们的网站发布(www.epc-co.com.cn) ,并可以在这个网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册成为会员,定期收取我们的最新产品资讯。

宜普公司是否会在不久的未来提供阻塞电压达800 V至1200 V的场效应晶体管?

与硅器件相比,我们相信氮化镓技术可以支持更高阻塞电压,这是因为氮化镓(eGaN)器件具高电子迁移率,可在高压工作而对导通阻抗(RDS(ON))的影响要比硅器件少很多。此外,器件短小,单位面积的电容也要比沟漕式MOSFET器件小得多,因此可实现快速的开关速度,使得器件可满足高阻塞电压要求之同时而对RDS(ON)及速度的影响很小。

要取得宜普公司的技术路线图,请参看播客“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来”。我们会在网站发布关于最新产品的开发情况,请访问我们的网站(www.epc-co.com.cn) ,并可以在这个网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册成为会员,定期收取我们的最新产品资讯。。

有可能提供P通道增强型氮化镓晶体管吗?

目前市场上已有增强型和耗尽型两种N通道氮化镓器件。宜普公司目前只提供增强型N通道器件。虽然我们有机会推出P通道器件,但它的性能比硅功率器件差很多。

要取得宜普公司的技术路线图,请参看播客“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来”。我们会在网站发布关于最新产品的开发情况,请访问我们的网站(www.epc-co.com.cn) ,并可以在这个网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册成为会员,定期收取我们的最新产品资讯。

有没有可能把标准Si N-MOS与GaN结合,让加入的逻辑和模拟元件来控制主要氮化镓晶体管?

宜普公司正在开发采用氮化镓场效应晶体管平台的集成电路技术,如果可以集成功率氮化镓晶体管及讯号级元件,可实现半导体业界史上最重大的改进!

要取得宜普公司的技术路线图,请参看播客“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来”。我们会在网站发布关于最新产品的开发情况,请访问我们的网站(www.epc-co.com.cn),并可以在这个网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册成为会员,定期收取我们的最新产品资讯。

宜普公司已获得ISO认证吗?

宜普公司的质量管理系统在2011年9月获得ISO 9001:2008认证。宜普公司的合作伙伴都是经ISO/TS 16949和ISO 9001认证的世界一流晶圆制造和组装企业, 并与获得ISO 9001认证的Digi-Key公司签约为宜普公司产品的全球独家分销商。欲取得宜普公司的质量及环保项目详情,请访问 http://epc-co.com/epc/cn/关于宜普公司/质量和环保.aspx.

宜普公司有计划生产氮化镓(GaN)二极管吗?

公司目前没有计划推出分立式氮化镓二极管。但值得注意的是,目前的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)可以作为二极管般使用。然而,在相反方向上没有旁路开关的物理二极管,当强制电流从源极流向漏极、漏极电压下降至沟道开始导通时,如同二极管般工作。由于没有少数载流子,这些器件没有反向恢复的问题。

我们会在网站发布关于最新产品的开发情况,请访问我们的网站(www.epc-co.com.cn)。要取得宜普公司的技术路线图,请参看播客“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来 ”,并可以在这个网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册成为会员,定期收取我们的最新产品资讯。

宜普公司是否计划生产在单个封装包含多个场效应晶体管的器件?

宜普公司最初的产品线包含单个分立晶体管,但预期将来会推出在单晶片包含多个场效应晶体管的器件。我们将在网站发布关于最新产品的开发情况,请随时访问我们的网站(www.epc-co.com.cn)。欲取得宜普公司的技术路线图,请参看“ 如何使用氮化镓第十一章:展望将来”播客,并可以在这个网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册成为会员,定期收取我们的最新产品资讯。