常见问题

eGaN FET的可靠性

宜普可以提供氮化镓(eGaN)晶体管的可靠性测试数据(MTBF,FITS)吗?

我们在第5阶段可靠性报告(http://epc-co.com/epc/documents/product-training/EPC_Phase_Five_Rel_Report.pdf ) 中提供平均故障时间(MTTF)。

我们累积了超过170万小时的器件可靠性测试,证明氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)可以支持大多数商用的功率开关应用。这份报告及其他所有器件的可靠性测试报告可以在这里找到:http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/可靠性.aspx

氮化镓器件所预期的人体模型(HBM)的ESD额定值是多少?需要特殊处理吗?

用于测试人体模型(HBM) 和机械模型(MM)的ESD测试分别使用JEDEC 及 EIA 标准。HBM 符合Class3A 等级或更高等级,MM符合Class C等级。 HBM 的ESD值可以在 网站上的“采用宜普氮化镓晶体管的应用已准备就绪:第二阶段测试”文章中找到。

我可以如何预测宜普公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的失效率?

宜普公司不断对eGaN器件进行实际测试。基于这些测试,我们发布了数个阶段的可靠性测试报告。

经过30年以来的研究,我们已经非常理解硅MOSFET器件在性能上的劣化机制,因此很容易估计硅MOSFET器件在各种工作条件下的失效率。宜普公司的eGaN® FET结构与MOSFET器件有很大的区别,因此劣化机制也很不同。虽然到目前为止,我们对超过1800多个器件进行了超过170万小时的最高应力测试,我们仍没有足够多的信息来量化eGaN FET的主要劣化机制。由于我们的氮化镓技术采用全新半导体材料,适用于硅器件的增速因素不一定适用于氮化镓器件。我们会继续在实际工作条件下,测试数千器件的可靠性,旨在为客户提供预测器件失效率所需的信息。我们的未来研究工作会加入研究温度及电压增速因素。

宜普公司定期发布不同阶段的可靠性测试报告,从而给用户提供越来越多、更权威的详细统计资料(http://epc-co.com/epc/cn/设计支持/可靠性.aspx)。宜普公司将从测试中取得失效机制的数据并向客户发布。