常见问题

eGaN® FET的可靠性

我们在第九阶段产品可靠性测试报告中发布了器件的平均失效时间(MTTF),而直至第九阶段测试报告为止,我们在进行了超过9百万个器件-小时的应力测试后,没有器件发生任何故障。详情及关于其它可靠性测试报告,请浏览eGaN FET可靠性网页。

用于测试人体模型(HBM) 和机械模型(MM)的ESD测试分别使用JEDEC 及 EIA 标准。HBM 符合Class3A 等级或更高等级,MM符合Class C等级。 HBM 的ESD值可以在第九阶段产品可靠性测试报告中找到。

经过30年以来的研究,我们已经非常理解硅MOSFET器件在性能上的劣化机制,因此很容易估计硅MOSFET器件在各种工作条件下的失效率。宜普公司的eGaN FET结构与MOSFET器件有很大的区别,因此劣化机制也大不相同。由于我们的氮化镓技术采用全新半导体材料,适用于硅器件的增速因素不一定适用于氮化镓器件。宜普公司定期发布不同阶段的可靠性测试报告,从而给用户提供越来越多、更权威的详细统计资料。所有报告可以在eGaN FET可靠性的网页找到。宜普公司将继续从测试中取得失效机制的数据并向客户发布。