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GaN Changing the Way We Live

如果你拥有“最理想”的功率开关,你将如何利用它来实现你的设计?

由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)为更高效器件,可为工程师缔造机会,利用这种器件广泛地替代功率MOSFET及LDMOS晶体管。

对功率开关的要求:

  • 更低导通阻抗
  • 更快速开关
  • 更少电容
  • 更小的占板面积

更低导通阻抗及更快速开关是因为器件结构具卓越传导性能:
由于电子被困于二维电子气(2DEG),因此具有卓越传导及高速开关性能。这是氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)的特性。

更少电容。。。并具卓越品质因数可实现前所未有的性能
与MOSFET器件相比,氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)在硬开关及软开关的应用中具最优品质因数。

更小的占板面积。。。作最大的考虑。。。买最小的!
电路板的占板面积是非常矜贵的。氮化镓场效应晶体管的LGA封装具低电感、低阻抗,其占板面积小及成本也低。

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氮化镓器件的出现可替代备受尊敬但日益陈旧的硅技术及解决方案,使得我们可满足社会对更高效电源的要求并带领业界的发展。