
与等效MOSFET相比,氮化镓场效应晶体管(eGaN®)在给定的导通电阻(RDS(on))下,在一个更小尺寸的器件内可实现低很多的电容及电感并且具有零反向恢复电荷(QRR),从而减少开关损耗、实现更高效率及/或更高开关频率。光伏(PV)逆变器的尺寸及成本大致上由散热管理及用作大量能源存储及滤波的无源组件决定。采用氮化镓场效应晶体管可以提高效率,以及/或在增加开关频率下可以缩减尺寸及降低系统成本。
多级逆变器的概念
- 采用200 V eGaN FET (EPC2010C)的多级逆变器
- 逆变器的效率在150 kHz时估计是98%