功率逆变器应用

功率逆变器应用

功率逆变器应用

与等效MOSFET相比，氮化镓场效应晶体管（eGaN®）在给定的导通电阻（RDS(on)）下，在一个更小尺寸的器件内可实现低很多的电容及电感并且具有零反向恢复电荷（QRR），从而减少开关损耗、实现更高效率及/或更高开关频率。光伏（PV）逆变器的尺寸及成本大致上由散热管理及用作大量能源存储及滤波的无源组件决定。采用氮化镓场效应晶体管可以提高效率，以及/或在增加开关频率下可以缩减尺寸及降低系统成本。

关于功率逆变器的参考资料

多级逆变器的概念

  • 采用200 V eGaN FET （EPC2010C）的多级逆变器
  • 逆变器的效率在150 kHz时估计是98%
Multi-level Inverter

面向功率逆变器设计的推荐器件

器件型号 配置 VDS RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 5 V)
最大值		 QG
(nC)
典型值		 QGS
(nC)
典型值		 QGD
(nC)
典型值		 QOSS
(nC)
典型值		 最大脉冲峰值电流
ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)		 封装
(mm)		 半桥式开发板
EPC2047 单路 200 10 8.2 2.9 1.8 60 160 BGA 4.6 x 1.6 EPC9081
EPC2034 单路 200 10 8.8 3.0 1.8 75 200 BGA 4.6 x 2.6 EPC9048
EPC2046 单路 200 25 2.9 1 0.6 22 55 BGA 2.77 x 0.95 EPC9079
EPC2010C 单路 200 25 3.7 1.3 0.7 40 90 LGA 3.6 x 1.6 EPC9003C
EPC2019 单路 200 50 1.8 0.60 0.35 18 42 LGA 2.8 x 0.95 EPC9014
EPC2012C 单路 200 100 1.0 0.3 0.2 10 22 LGA 1.7 x 0.9 EPC9004C
EPC2050 单路 350 65 3.4 1.4 0.4 33 26 BGA 1.95 x 1.95 EPC9084

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