EPC Gallium Nitride Automotive AEC Q101 Qualified

汽车应用领域

随着全自动驾驶汽车和电力推进系统的出现,汽车技术进入了复兴时期。这也正是硅器件在功率转换领域接近其性能极限的时候。

为什么氮化镓(GaN)器件适用于汽车应用?

目前车用电子可以采用氮化镓器件,从而实现更高的效率、更快速的开关速度、更小型化及更低的成本。与采用日益老化的硅MOSFET相比,目前已经有数种重要应用受惠于氮化镓器件的优势,包括:

EPC Automotive Electronics

48 V – 12 V配电系统的需求:

氮化镓器件提高效率、缩小尺寸、更轻盈及降低成本

当考虑到如下在汽车上最新出现的、所有耗电的电动组件的功能和特性时,48 V配电系统的优势变得更加明显:

  • 电动启停
  • 电动转向
  • 电动悬挂系统
  • 电动涡轮增压
  • 变速空调
48 V EPC GaN Automotive Applications

目前,新兴的全自动驾驶汽车、额外的系统需求例如激光雷达、雷达、相机和超声波传感器,都增加对配电系统的整体需求。这转化为需要高效的图像处理器来收集、解释、整合并理解所有的输入信号。这些处理器非常耗电及给12 V车用配电总线带来额外的负担。

面向48 V总线系统,氮化镓技术提高效率、缩小尺寸及降低系统成本。.

48 VBUS 的参考设计

  器件型号 描述 VIN VOUT lOUT
(A)
fSW 氮化镓器件型号  
EPC9130 Demonstration Board
EPC9130 48 V to 12 V 非隔离型稳压总线转换器 36 - 60 12 50 500 kHz EPC2045 立即购买
EPC9205 Demonstration Board
EPC9205 100 V 功率模块 48 - 80 10 700 kHz EPC2045 立即购买

面向全自动驾驶汽车的激光雷达

采用氮化镓技术,可以看得更远、更快速、更清晰

激光雷达(LiDAR)通过非常快速地触发激光脉冲,从而对周围环境制成具高分辨率、360°及三维图像。 激光的速度对制成具极高分辨率的图像非常重要,而极高分辨率的图像是安全的全自动驾驶运输所必需的。因此,激光雷达的速度越快,周围环境图像的分辨率得以越高。

于等效硅MOSFET元件相比,氮化镓技术能够更快速地触发激光信号。基于氮化镓器件的激光雷达使得全自动汽车可以看得更远、更快速、更清晰,因此成为“道路的眼睛”。

LiDAR systems Silicon vs. GaN laser driver

激光雷达演示电路设计

器件型号 描述 VBUS
最大值
VINPUT
最大值
TPin
最小值
Max Pulse (A) 氮化镓器件型号
EPC9126 Demonstration Board
EPC9126 大脉冲电流的激光二极管驱动器的演示电路板 80 5 6 ns 75 EPC2016C (EPC2212) 立即购买
EPC9126HC Demonstration Board
EPC9126HC 大脉冲电流的激光二极管驱动器的演示电路板 80 5 6 ns 150 EPC2001C 立即购买
器件型号 配置 VDS Max
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半桥式开发板
EPC2206 GaN FET
EPC2206 单路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 联系我们
EPC2202 GaN FET
EPC2202 单路 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 立即购买
EPC2203 GaN FET
EPC2203 单路 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 立即购买
EPC2212 GaN FET
EPC2212 单路 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 联系我们

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