负载点(POL)转换器

负载点(POL)转换器


面向48 V–1 V DC/DC转换的eGaN FET、集成电路及模块

高效的小型转换器!

由于市场对小型、高效、具备快速响应性能的负载点(POL)转换器的需求日益增加,我们需要更快速及更高效的功率开关器件。

在负载点转换器的设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的优势包括具备低QOSS、低QG及低电感。

eGaN FET可实现:

  • 在高频时更大电流及高效
  • 单级转换
  • 在轻负载时节约能源
  • 快速瞬态响应

面向负载点转换器的推荐器件

器件型号 配置 VDS RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 5 V) 最大值
QG
(nC)
典型值
QGS
(nC)
典型值
QGD
(nC)
典型值
QOSS
(nC)
典型值
最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C、 Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半桥式开发板
EPC2023 单路 30 1.45 19 5.7 3.2 30 590 LGA 6.05 x 2.3 EPC9031
EPC2100 双路不对称 30 8
2
3.5
15
1.4
4.6
0.57
2.6
5.5
28
100
400
BGA 6.1 x 2.3 EPC9036
EPC2111 半桥 30 19
8
1.7
4.4
0.7
1.5
0.3
0.8
3.1
9.1
50
140
BGA 3.5 x 1.5 EPC9086
EPC2024 单路 40 1.5 18 5.1 2.4 45 560 LGA 6.1 x 2.3 EPC9032
EPC2030 单路 40 2.4 17 5.8 3.4 32 490 BGA 4.6 x 2.6
EPC2015C 单路 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 LGA 4.1 x 1.6 EPC9001C
EPC2014C 单路 40 16 2 0.70 0.30 4 60 LGA 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC2020 单路 60 2.2 16 3.9 2.3 50 470 LGA 6.05 x 2.3 EPC9033
EPC2031 单路 60 2.6 16 5.0 3.2 48 450 BGA 4.6 x 2.6 EPC9061
EPC2101 双路不对称 60 11.5
2.7
2.7
12
1
3.7
0.50
2.5
9
45
80
350
BGA 6.1 x 2.3 EPC9037
EPC2021 单路 80 2.5 15 3.4 2.3 63 420 LGA 6.05 x 2.3 EPC9034
EPC2029 单路 80 3.2 13 3.4 1.9 53 360 BGA 4.6 x 2.6 EPC9046
EPC2105 双路不对称 80 14.5
3.4
2.5
10
1
3.2
0.50
2
11
55
75
320
BGA 6.1 x 2.3 EPC9041
EPC2045 单路 100 7 5.2 1.7 1.1 21 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078
EPC2001C 单路 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9002C

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参考设计

器件型号 描述 VIN VOUT lOUT
(A)
氮化镓器件型号 原理图 Gerber 物料清单
(BOM)
 
EPC911848 V to 5 V 400 kHz 降压转换器30V-60V5V20AEPC2001C/EPC2021
EPC9059适合于大电流应用的30 V半桥式并联器件评估板20V 50AEPC2100