于APEC 2017研讨会展示采用EPC公司的eGaN技术的各种应用

在最终客户端的多种应用都采用了氮化镓(GaN)技术。宜普电源转换公司(EPC)于 国际著名功率电子与应用研讨会(APEC 2017)展示出超过25种应用,它们都采用了改变我们生活方式的氮化镓技术。在这几个较短的精简视频中,宜普公司的应用工程专家为我们展示采用氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路的多种应用,包括目前客户已经推出市场的各种产品。

各种应用演示

eGaN Technology Changing the Way We Live at APEC 2017

APEC 2017:基于氮化镓技术的应用
宜普电源转换公司(EPC)于国际著名功率电子与应用研讨会(APEC 2017)展示出超过25种应用,它们都采用了改变我们生活方式的氮化镓技术。在本视频,EPC首席执行官Alex Lidow与我们分享在EPC展位上所展出采用氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路的多种应用,包括面向DC/DC转换的最新一代场效应晶体管(FET)、在激光雷达应用中氮化镓如何高效地驱动激光二极管、由GaN FET驱动的汽车LED车灯、应用于笔记本电脑的超微型AC/DC功率适配器,以及各种无线充电应用,包括于2 x 3英尺的桌面上以无线充电方式对多个设备同时供电。

Cut the Cord!  GaN-Based Wirelessly Powered Tabletop

剪断电源线!基于氮化镓技术的无线充电桌面
EPC公司首次展示在桌面上可以同时对多个设备进行无线充电。本视频描述在该桌面上,我们可以同时对笔记本电脑、电视显示屏、Google Home、Amazon Alexa、台灯、床头灯及手机进行无线充电。除了创新的天线设计,该桌子是基于EPC的氮化镓(GaN)功率技术。氮化镓技术不仅仅是对手机进行无线充电,而是可以对我们的智能家居进行无线充电。

GaN Laser Diode Driver for LiDAR

面向激光雷达应用的氮化镓雷射二极管驱动器
激光雷达(LiDAR)使用雷射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。这种技术迅速被各种需要更高准确性的应用所采用,例如自动驾驶汽车及扩增实境系统。相比日益老化的MOSFET器件,目前氮化镓场效应晶体管的开关速度快十倍,使得LiDAR系统具备优越的解像度、更快速反应时间及更高准确性等优势。

GAN FET vs. MOSFET:  48 V – 1.8 V DC-DC Conversion

在48 V - 1.8 V DC/DC转换采用GaN FET 与MOSFET的比较
EPC公司最新一代的工艺再一次击败硅基MOSFET功率元件,实现更高性能的元件而同时缩小元件的尺寸及降低成本。本视频展示出100 V 的GaN FET与等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、小很多的占板面积、功耗低30%及提高功率密度达3倍。

GAN FET vs. MOSFET:  150 V – 12 V DC-DC Conversion

在150 V - 12 V DC/DC转换采用GaN FET 与MOSFET的比较
EPC的产品再一次击败硅基MOSFET功率元件,实现更高的性能而同时缩小元件的尺寸及降低成本。本视频展示出200 V的 GaN FET与等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、大大减小占板面积(器件的尺寸缩小15倍)、功耗低出40%及提高功率密度达3倍。

Motor Drive Applications

马达驱动器应用
本视频展示出德州仪器公司的48 V、10 A、3相位的氮化镓逆变器参考设计,采用了LMG5200器件。 基于氮化镓的解决方案具有更优越的散热特性/模式 – 不需散热器、更低的电感可以缩小器件的尺寸及更轻盈。此外,功耗更低及转矩纹波(torque ripple)可使得马达控制更准确。这个参考设计可实现难以置信的98.5% 效率。