“如何使用氮化镓器件”教程系列

宜普电源转换公司的“如何使用氮化镓器件”教程系列专为加快您的学习曲线而设,帮助您了解并探索高性能氮化镓功率晶体管的技术、原理及实际应用。

教程单元

HTG01 简介 – 材料的比较HTG01 简介 – 材料的比较
本单元首先介绍氮化镓技术的基础知识 - 为什么氮化镓是一个这么好的半导体材料?

HTG02简介 – 性能特性HTG02简介 – 性能特性
增强型氮化镓晶体管的性能如何转化为比日益陈旧的功率MOSFET更为优胜的电学特性。

HTG03 设计范例 – 硬开关应用HTG03 设计范例 – 硬开关应用
在硬开关应用采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优势

HTG04 设计范例 – 软开关应用HTG04 设计范例 – 软开关应用
在软开关应用采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优势

HTG05 设计基础 – 栅极驱动器HTG05 设计基础 – 栅极驱动器
氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及目前解决方案对栅极驱动器的要求

HTG06 – 设计基础 – 版图HTG06 – 设计基础 – 版图
功率晶体管的封装技术的演进及版图技术如何使得工程师可从eGaN FET所使用的低电感LGA封装取得最大优势

HTG07 设计基础 – 管理死区时间HTG07 设计基础 – 管理死区时间
认识死区时间对性能的影响以及如何管理死区时间从而在实际应用中发挥eGaN FET的最高性能

HTG08 设计基础 – 热管理HTG08 设计基础 – 热管理
认识热管理技术可在实际应用中实现eGaN FET的最高性能

HTG09 设计基础 – 测量HTG09 设计基础 – 测量
测量eGaN FET的方法

HTG10 设计基础 – 原型HTG10 设计基础 – 原型
把标准开发板转为可用的原型的步骤

HTG11 展望未来HTG11 展望未来
氮化镓(GaN)何去何从?