关于氮化镓技术的大学研究报告

由于在全球学术界居领导地位的大学纷纷继续研究氮化镓技术,因而提供了关于氮化镓器件的丰富实用资源,有助工程师进一步认识氮化镓技术并在目前市场扩大该种器件的应用领域。以下是各大大学发表关于氮化镓技术的部分文章,以供参考,有些大学需要会员注册才可以下载文章。

如果您想在我们的氮化镓网上图书馆上载关于氮化镓技术的文章,请与我们联系。

 

高频射频功率放大器模块
Twieg, M、de Rooij, M.A及Griswold, M.A.
Case Western University
面向医疗应用的磁共振(Magnetic Resonance in Medicine)doi:10.1002/mrm.26510, 2016

效率达98.8%、基于氮化镓器件的双向全桥隔离式DC/DC转换器
Ramachandran, Rakesh、 Nymand, Morten及南丹麦大学Maersk Mc-Kinney Moller Institute
2016年 IEEE APEC年会

对VRM设计中的GaN HEMT器件进行评估
爱达荷大学Venkatesh Avula及 Picotest公司Steve Sandler
DesignCon 2016

利用氮化镓场效应晶体管有效地detune MRI接收线圈
Twieg, M.、de Rooij, M.A.及 Griswold, M.A.
Case Western University
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. PP, No. 99, 2015年11月12日, pp. 4270 – 4278

在射频大功率放大器的包络跟踪应用采用硅基氮化镓的8-level数字控制式电源调制器
C. Florian, T. Cappello, R. P. Paganelli, D. Niessen, F. Filicori
University of Bologna
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 63, No. 8, 2015年8月, pp. 2589-2602

Design and analysis of an ultra-high efficiency phase shifted full bridge GaN converter
Ramachandran, Rakesh ; Maersk Mc-Kinney Moller Institute, University of Southern Denmark, Odense, Denmark ; Nymand, Morten
University of Southern Denmark
Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2015 IEEE

采用氮化镓器件的紧凑型、超高效的隔离型DC/DC转换器的设计
Ramachandran, Rakesh、Nymand, Morten及Petersen, Niels H
南丹麦大学
Industrial Electronics Society, IECON 2014 - 第40届IEEE学术年会

对采用氮化镓场效应晶体管技术及集成式电感器的交错式功率因数校正(PFC)的研究报告
Chien-yu Lin、Yu-Chen Liu、Huang-Jen Chiu 、Yu-Kang Lo、Chung-Yi Lin、Po-Jung Tseng及Shih-Jen Cheng
国立台湾科技大学
Power Electronics - IET (Volume 7/Issue 10)
2014年10月20日

于包络跟踪应用采用基于氮化镓晶体管的正激式转换器
Fernandez Miaja, P.、Rodriguez, A.及Sebastian, J.
奥维耶多大学(Oviedo University)
IEEE Transactions 之功率电子期刊
2014年5月21日

针对失调线圈的增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET)
Case Western Reserve University Michael Twieg、Matthew J. Riffe及Mark A. Griswol,;宜普电源转换公司 Michael de Rooij
联合年度会议 - ISMRM-ESMRMB
2014年5月 10日至 16日

采用氮化镓场效应晶体管、工作在5 MHz频率并使用电流模式脉宽调制控制的谐振式直流-直流转换器
Hariya, Akinori、Ishizuka, Yoichi、 Matsuura, Ken、 Yanagi, Hiroshige、 Tomioka, Satoshi、 Ninomiya, Tamotsu
长崎大学的NAOSITE (Academic Output SITE)
2014年功率电子应用研讨会及博览会(APEC)

与基于氮化镓器件的发射及适配的接收线圈连接的无线电源传送的理论及数值设计
C. Florian, F. Mastri, R. P. Paganelli, D. Masotti, A. Costanzo
博洛尼亚大学
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 62, No. 4, 2014年4月, 第931-946页

基于氮化镓晶体管、90W并使用降压-功率因数校正级及 隔离型Quasi切换式电容的直流-直流级AC/DC适配器
Xuan Zhang、Chengcheng Yao、Xintong Lu、Ernest Davidson、Markus Sievers、Mark J. Scott、Pu Xu 及Jin Wang
俄亥俄州立大学
2014年APEC研讨会

优化基于高密度氮化镓器件的非隔离型负载点模块
David Reusch, Fred C. Lee, David Gilham, Yipeng, Su
弗吉尼亚理工大学功率电子系统中心
2013年CPES研讨会

应用于光伏系统、基于级联准Z源逆变器(qZSI)的高效集成式模块转换器(MIC)采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
Yan Zhou、Liming Liu、 Hui Li
佛罗里达州大学先進功率系統中心
IEEE Transactions 之功率电子期刊(Volume 28/ Issue 6 )
2012年9月18日

寄生电容对氮化镓(GaN)异质结构功率晶体管的影响
Raghav Khanna、William Stanchina 及Gregory Reed
University of Pittsburgh
2012年IEEE Energy Conversion Congress & Exposition Proceedings

基于可实现94%效率的氮化镓E类功率放大器的25.6W、13.56MHz无线电源传送系统
W. Chen, R. A. Chinga, S. Yoshida, J. Lin, C. Chen and W. Lo
工业技术研究院, 佛罗里达大学, 日本電気株式会社
2012年Microwave Symposium Digest 6月刊

基于氮化镓的三维集成式非隔离型负载点模块
David Reusch, David Gilham, Yipeng Su, Fred Lee
弗吉尼亚理工大学功率电子系统中心
2012年APEC研讨会

用于光电应用的氮化镓开关电容型电源逆变器
Mark Scott, Ke Zou, Ernesto Inoa, Ramiro Duarte, Yi Huang, Jin Wang
俄亥俄州立大学
2012年APEC研讨会

基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的双路有源桥式直流-直流转换器
Daniel Costinett, Hien Nguyen, Regan Zane及Dragan Maksimovic
位于Boulder科罗拉多州大学的科罗拉多州功率电子中心
2012年APEC研讨会