演讲

6月27日 - 2017年6月29日
PCIM Asia 2017(电力转换与智能运动研讨会)
地点:中国上海

面向大电流及高度共振无线电源传输应用、使用于6.78 MHz频率的放大器拓扑的比较
讲者:应用工程副总裁Michael de Rooij博士

我们对面向无线充电应用、基于eGaN®FET及采用被实验认证的差分模式的E类及ZVS D类放大器拓扑进行比较。该系统符合AirFuel™ Class 4 、 33 W、6.78 MHz共振技术标准,可对小型笔记本电脑供电及充电。在整个功率负载范围内,基于两种拓扑的放大器都可以实现85%效率以上而不会超过80% 的FET额定电压或在环境温度为25°C时,不会高于100°C的最高温度限制。

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2017年5月16日
2017年PCIM欧洲研讨会
地点: 德国纽伦堡

设计可制造、可靠的并采用芯片级封装的eGaN® FET的PCB
宜普电源转换公司(EPC)应用工程副总裁Michael de Rooij

与等效MOSFET相比,采用以非传统的芯片级封装(CSP)为LGA及/或BGA格式的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在多种应用中不断展示出它具备更高功率密度和更高效率。这些优势取决于合适的布局,从而把寄生电感减至最小。在氮化镓晶体管首次推出市场后的7年以来,超过170亿器件小时的测试后,共有127个器件失效,其中75个器件的失效原因是与不良的组装技术或不良的PCB设计有关。设计师目前更了解PCB设计可以影响器件的制造过程,而由于eGaN FET相对地更小型化,因此更加不能容忍PCB的设计对器件的影响。本研讨会提供PCB设计指导,从而发挥eGaN FET的最高性能,虽然器件的可靠性仍然依赖目前PCB的制造水平。

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2016年11月14日
环球Mizuho Investor Conference (MIC)
地点: 美国纽约市

"建立美国、日本及亚洲之间的桥梁"
讲者:宜普电源转换公司首席执行官及联合创始人Alex Lidow博士、首席财务官Keith Adams

与高级管理团队进行一对一的交流并讨论环球能源、金融、REIT、TMT、消费及公用事业等行业的发展趋势。

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2016年10月3日
PwrSoC国际研讨会
地点: 西班牙马德里

"硅基氮化镓技术在先进的功率转换系统的应用"
讲者:宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士

增强型氮化镓功率晶体管从第一次出货给客户起,推出市场已经超过7年,该技术的发展速度就像硅基集成电路在初期的发展速度一样。目前各客户在其系统采用了硅基氮化镓器件的相关应用包括包络跟踪、无线充电、LiDAR、医疗成像、节能照明、太阳能逆变器、AC/DC及DC/DC转换器等应用。这些分立式晶体管目前由数间公司制造,具备高性能及低成本等优势。

下一个技术大跃进将会是硅基氮化镓集成电路的发展,进一步扩大与硅MOSFET及LDMOS功率晶体管的绩效差距。 本研讨会将讨论氮化镓集成电路的最新发展、量化它们在各种主要应用中的优势,以及分享进一步开发出具备更高的复杂度及功能性的设计的路线图。

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2016年3月24日
Applied Power Electronics Conference
地点: 加州Long Beach

“面向4G蜂窝电话基站并采用氮化镓器件的包络跟踪电源”
讲者:科罗拉多大学Yuanzhe Zhang

本章介绍采用EPC公司的 eGaN® FET并面向4G蜂窝电话基站的包络跟踪(ET)电源技术。专为最优设计而开发的分析模式由采用ZVS技术的单相同步降压转换器证实。该模式进一步扩展至四相并用来设计出一个具备20 MHz大信号频宽的60 W 包络跟踪电源。 在每相开关频率为25 MHz下测量静态功率级效率,峰值效率为96.5%,在30 V实现68 W输出功率。 实验结果展示了具备20 MHz、7dB PAPR的 LTE 包络跟踪电源可取得92%效率并在30 V实现62 W平均功率。

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2016年3月23日
Applied Power Electronics Conference
地点: 加州Long Beach

Technical Session: “Thermal Evaluation of Chip–Scale Packaged Gallium Nitride Transistors"
Speaker: David Reusch, Ph.D., Executive Director of Applications Engineering

With power converters demanding higher power density, transistors must be accommodated in an ever decreasing board space. Beyond gallium nitride (GaN) based power transistors’ ability to improve electrical efficiency, they must also be more thermally efficient. In this paper we will evaluate the thermal performance of chip-scale packaged enhancement-mode GaN field effect transistors (eGaN® FETs) and compare their in-circuit electrical and thermal performance with state-of-art Si MOSFETs. The paper will conclude with the proposal of a thermal figure of merit for designers to use as a tool to quickly compare the thermal efficiency of device packaging technologies.

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2016年3月22日
Applied Power Electronics Conference
地点: 加州Long Beach

"面向高度谐振式无线电源传送应用的氮化镓集成电路(eGaN IC)"
讲者:宜普公司应用副总裁Michael de Rooij博士

宜普电源转换公司(EPC)与工程师较早前分享了氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可实现采用不同放大器拓扑的无线电源传送应用。 在这些应用中,由于ZVS D类放大器具备低输出阻抗及可以在广阔的负载阻抗范围驱动的能力,因此这种放大器拓扑极具潜力。本研讨会将介绍专为在ZVS D类放大器拓扑实现最高效率而设的氮化镓集成电路(eGaN IC)。该集成电路采用一个半桥式拓扑及同步自举FET, 从而把由栅极驱动器所引致的反向恢复损耗除去。

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2016年3月20日
Applied Power Electronics Conference
地点: 加州Long Beach

专业教育研讨会:48 V--负载电压:利用氮化镓晶体管改善低压DC/DC转换器的性能
讲者:宜普公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士、应用工程执行总监David Reusch博士及应用总监John Glaser博士

愈来愈多的功率转换应用采用氮化镓(GaN)功率半导体。 该技术发展迅猛,并且不断累积产品经验。本研讨会讨论先进的氮化镓技术,包括氮化镓技术的概述、氮化镓晶体管的结构及其最新的电气性能。

首先,我们讨论氮化镓晶体管的设计基础,包括驱动器、布局、并联器件、死区时间的管理及散热的考虑因素。设计范例将讨论48 VIN–1 VOUT 网络及电信电源应用。此外,我们比较不同结构,而且从不同方法实现48 VIN-负载的转换可量化及看到,氮化镓基晶体管比硅基MOSFET所具备的各种优势。

我们在总结部分预测这种全新技术的未来,它具备可以提高目前应用的性能的潜力,并且可以推动全新应用的出现,这是日益陈旧的硅基MOSFET所不能实现到的。最后,我们讨论氮化镓技术可以发展成为集成电路,从而进一步提高电源转换的性能。

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2015年9月29日
Darnell’s Energy Summit
地点: 美国加州洛杉矶

全会主题:"氮化镓器件的影响:氮化镓如何正在改变我们的生活方式?"
讲者:宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士

增强型氮化镓晶体管作为商业用途已经超过6年,而且它带领市场摒弃充电器及电线。氮化镓技术正在推动更快速的无线数据传输、更优越的汽车及卓越的医疗保健的出现。本研讨会探讨氮化镓功率元件的最先进应用及分享我们对该技术的路线图的见解。

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2015年9月20日 - 2015年9月24日
IEEE Energy Conversion Congress & Expo
地点: 加拿大魁北克省蒙特利尔市

"Improving High Frequency DC-DC Converter Performance with Monolithic Half Bridge GaN ICs"
讲者:应用工程总监David Reusch博士

The rapid maturation of GaN power transistors continues to enable new capabilities in high frequency power conversion. In this paper we will evaluate one of the latest technological advancements in eGaN® FETs, monolithic integration. The benefits of monolithic integration for GaN power transistors with regards to parasitic reduction, die size optimization, and thermal performance will be discussed. Experimental results for a 12 VIN to 1 VOUT buck converter operating at a switching frequency of 1 MHz and up to 40 A of output current will be demonstrated with 30 V eGaN monolithic half bridge (HB) ICs. For an 80 V eGaN monolithic HB IC, 48 VIN to 1 VOUT and 1.8 VOUT point-of-load (POL) converters will be demonstrated at switching frequencies up to 500 kHz and output currents up to 30 A.

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2015年9月6日 - 2015年9月9日
IEEE 82nd Vehicular Technology Conference (VTC2015)
地点: Boston, Massachusetts

"Automotive Compatible Single Amplifier Multi-mode Wireless Power for Mobile Devices"
讲者:Ivan Chan, Field Applications Engineer

The proliferation of wireless power products for mobile applications is leading to consumer confusion and hindering adoption of this technology. A simple eGaN® FET based single amplifier topology capable of operating to all of the mobile device wireless power standards is presented. The high reliability of eGaN FETs further make this solution suitable for automotive applications. This paper presents the proposed topology with experimental verification that demonstrates excellent performance at both low frequencies (Qi & PMA standards) and high frequency (A4WP standard).

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2015年9月1日
IIC 功率管理及半导体研讨会
地点:中国深圳

"基于eGaN ®FET与MOSFET并符合A4WP无线电源第三级规范的的ZVS D 类放大器的性能的比较"
讲者:陈钰林/宜普电源转换公司FAE经理

与采用MOSFET的放大器相比,采用eGaN FET的无线电源传送ZVS D类放大器当工作在宽阔的阻抗范围内,多次展示了可以取得更高效率。本研讨会将讨论如何进一步改善eGaN FET的性能的方法 —利用一个与下方器件的栅极同步驱动的eGaN FET来替代高侧栅极驱动器的自举二极管。该栅极驱动器的集成式自举二极管具有反向恢复损耗(PQRR),这是因为在同一块晶圆上非常困难地集成一个Schottky二极管以作为栅极驱动器电路。 这会限制放大器的高频性能,因为与频率相关的反向恢复损耗从上方的器件耗散。我们利用技术替代驱动器的内部自举二极管及进行评估,并且对基于eGaN FET及MOSFET、符合A4WP第三级规范及工作在宽阔负载阻抗范围内(±35j Ω)的ZVS D类放大器作出比较。结果表明,与基于等效及最优MOSFET的放大器相比,基于eGaN FET的放大器的损耗减少了15% 至48%,而该放大器可以在更宽阔(可达20j Ω)的负载阻抗范围内工作。

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2015年6月24日 – 6月26日
PCIM Asia 2015
地点:中国上海

"符合A4WP第三级标准的无线电源传送应用并在E类放大器拓扑采用eGaN®FET与MOSFET的性能的比较"
讲者:高级应用执行总监Michael de Rooij博士

采用eGaN FET的E类放大器拓扑并工作在on-resonance的条件下的无线电源传送解决方案在较早前已经表明可以取得更高效率。本研讨会将讨论eGaN FET如何在E类放大器并工作在很大的反射负载阻抗范围内可以比MOSFET具备更优越的性能。大量反射阻抗是符合A4WP对无线电源传送的易用性的要求。符合A4WP第三级的总虚数部分非常广阔,要求非常高的极端电压从而取得所需的电流量。我们评估虚数部分的变化将减至0j Ω 到 -30j Ω,使3 bit的分立式自适应匹配重调电路可以控制整个符合A4WP标准的+10jΩ 到 -150jΩ的范围。我们将比较采用eGaN FET与等效MOSFET的放大器的性能。

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2015年5月21日
PCIM EU
地点:德国Nuremberg

“采用eGaN® FET与MOSFET并符合A4WP Class 3 标准的ZVS D类放大器在性能方面的比较”
讲者:宜普电源转换公司高级应用执行总监Michael de Rooij博士

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2015年5月20日
PCIM EU
地点:德国Nuremberg

“面向汽车应用的增强型氮化镓晶体管”
讲者:宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士

增强型氮化镓晶体管投产已经五年。由于氮化镓技术渐趨成熟,因此多种汽车应用已经采用它,包括在驾驶座位可实现无线充电、LiDAR感测及EV充电等应用,并且将会有更多其它不同的应用陆续出现。本研讨会将讨论目前及将来采用氮化镓技术的各种汽车应用,以及采用氮化镓技术的电动与混合动力车的马达驱动器。最后,我们会讨论在每种应用中采用氮化镓技术的时间及其附加价值。

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2015年5月20日
PCIM EU
地点:德国Nuremberg

“采用氮化镓场效应晶体管的高功率、已调节型1/8砖式DC/DC转换器”
讲者:宜普电源转换公司应用总监John Glaser博士

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2015年5月19日
PCIM EU
地点: 德国Nuremberg

“具备更高的DC/DC效率及功率密度的单片式氮化镓集成电路”
讲者: 宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士

功率转换器恒常地改善并迈向实现更高的输出功率、效率及功率密度。要实现更高的性能需要更好的功率器件。由于硅技术已经非常成熟及接近其理论上的性能极限,它在性能方面的改善已经变得缓慢。 氮化镓(GaN)器件在各种功率转换应用中有可能替代硅器件,并且推动以前不可能实现的全新应用的出现。我们在本研讨会讨论氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的最新发展,包括与工程师分享最新一代分立式器件的一个重大改善,并且介绍具备无可匹敌的高频性能的最新单片式半桥IC系列。 这些全新产品系列与日益陈旧的功率MOSFET的绩效差距正在逐渐扩大,尤其是在高频功率转换应用中,氮化镓技术在主要的开关品质因数(FOM) 具备极大优势、继续减低电路中的寄生电感及改善器件的散热性能。

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2015年5月11日星期一 -- 2015年5月13日星期三
ISPSD 2015
地点: Hong Kong

“氮化镓电晶体使摩尔定律复活”
全体会议主讲嘉宾:宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士

增强型氮化镓晶体管已经作商业用途超过五年并支持很多以前被旧有硅功率MOSFET垄断的应用。本研讨会将讨论先进氮化镓技术的进程及预测它在未来几年内如何在功率半导体领域使摩尔定律复活。 我们也将列举氮化镓器件在性能、成本及可靠性方面超越硅器件的优势。

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2015年3月15日星期日 - 2015年3月19日星期四
APEC 2015
地点: Charlotte, NC

“低压氮化镓器件—初期采用氮化镓器件的应用及器件的可靠性”
Industry Session讲者:宜普电源转换公司共同创办人兼首席执行官Alex Lidow博士

本研讨会将展示采用最新一代氮化镓晶体管的新兴应用如D类音频放大器、光学遥感技术(LiDAR)、无线电源传送及射频包络跟踪等应用的优势。从这些应用的发展可以看到业界从功率MOSFET器件及LDMOS转用氮化镓(GaN)晶体管的步伐正在加速。 我们也将展示氮化镓器件在通过验证测试及加速寿命测试后的最新可靠性测试结果。

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“基于eGaN® FET并面向高度谐振无线电源传送应用的ZVS电压模式D类放大器拓扑”
Technical Session 讲者: 应用工程行政总监Michael de Rooij博士

在过去几年间,工作在6.78 MHz频率并采用松散耦合线圈的高度谐振无线电源传送系统日益普及,备受欢迎。本研讨会将探讨ZVS电压模式D类放大器拓扑及对采用eGaN FET与MOSFET的系统性能在多方面作出比较,包括电源峰值、负载变化性能、负载调节性能、外来金属物对器件性能的影响及如何调教发射线圈以在整个负载范围内实现最高性能。我们用实验证明这些比较结果,分别使用两种不同的线圈组:A4WP第三级发射线圈与第三类接收线圈组,以及WiTricity线圈组。我们将在研讨会的最后部分总结并分享支持实验结果的凭据--在无线电源传送应用中,ZVS D类放大器拓扑比其他拓扑尤为优胜。

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“如何有效地并联氮化镓晶体管以支持多种大电流及高频应用”
讲者: 应用总监David Reusch博士

由于基于氮化镓(GaN)的功率器件具备工作在硅功率MOSFET无法实现的效率及开关速度,因此氮化镓器件被迅速采纳。 本研讨会将探讨在需要更高输出电流的应用并联这些高速氮化镓晶体管、电路内寄生电感对性能的影响及建议可改善并联高速氮化镓晶体管的性能的PCB布局。我们将展示采用最优化布局、并联四个半桥器件在一个48 V转12 V、480 W、300 kHz、40 A的单相降压转换器,在35% 至100% 的负载范围内可实现超过96.5%的效率。此外,我们将讨论eGaN® FET的最新发展情况包括可应付更大电流的第四代氮化镓器件。

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2015年3月11日
Compound Semiconductor International Conference
地点:德国慕尼黑

全会议题:摒弃封装从而降低氮化镓晶体管的成本
讲者:宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow博士

在开关功率晶体管的领域里,晶体管的封装常常降低器件的性能及增加成本。一般来说,客户投诉晶体管的封装的主要原因有五个方面:1)封装的占板面积过大;2)封装增加的电阻太大; 3)封装增加的电容太大;4)封装增加的热阻太高;及5)封装增加的成本过高。在本研讨会我们讨论为什么所有设计工程师不要把晶体管放进封装内并转用使用芯片规模LGA的氮化镓晶体管,这样可以解决以上的各项问题。

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2014年9月23日 - 2014年9月25日
Darnell Energy Summit
地点: 佛吉尼亚州里士满市(Richmond)

全会议题:氮化镓晶体管给摩尔定律注入新生命
讲者: 宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士

增强型氮化镓晶体管的商用化超过四年并已经渗透许多早前采用日益陈旧的硅功率MOSFET器件的应用。 本演讲将讨论先进氮化镓技术及预期它在未来数年的演进,展示出摩尔定律活现于功率半导体技术领域。我们也会展示在新兴应用如D类音频放大器、光学遥感技术(LiDAR)、无线电源传送及射频包络跟踪等应用采用最新世代的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)可实现的优势。这些实例皆表明氮化镓晶体管替代功率MOSFET器件及LDMOS器件的趋势发展迅猛。

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教育研讨会议题:氮化镓晶体管实现高效功率转换
讲者: 宜普电源转换公司首席执行长Alex Lidow博士及应用工程总监David Reusch博士

氮化镓器件在许多功率转换及射频应用中渐渐备受采纳。这种技术快速开发并不断累积在产品方面的经验。 Alex Lidow博士将于本研讨会首先讨论氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)如何工作及分享众多全新先进技术的最新发展步伐,包括最新制造技术、不同器件在成本方面的要求及比较、器件的可靠性资料及可缩短学习曲线的因素。

研讨会的第二部分由David Reusch博士讲解如何使用这些高性能器件, 包括考虑驱动器、版图、散热管理等因素从而实现高性能及高频电源转换。此外,我们将讨论应用实例如高频包络跟踪(ET)、D类音频放大器、射频放大器、直流-直流转换器及无线电源传送等应用。最后,我们以展望这种相对地年轻的技术的未来发展作结。

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技术研讨会议题:采用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)使得高频硬开关转换器具备更先进的性能
讲者: 宜普电源转换公司应用工程副总裁Johan Strydom博士

氮化镓场效应晶体管的硬开关时间在亚纳秒范围内,使得功率设计工程师可使用的开关频率范围扩大至数十MHz频率范围。此外,其slew rate可高达 75 V/ns,致使系统性能上的限制延至功率器件以外的周边元件及版图的寄生电感。本研讨会将讨论部分限制并展示最新的氮化镓晶体管在高频硬开关功率应用的性能如射频包络跟踪应用可实现传统硅MOSFET器件现在所不能实现的效率。

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技术研讨会议题:采用氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)在6.78 MHz频率使用E类放大器拓扑及ZVS D类放大器拓扑的无线电源传送应用的性能比较
讲者: 宜普电源转换公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士

根据A4WP标准、工作在6.78 MHz的高度谐振无线电源传送应用在过去几年间变得非常受欢迎。 我们在本研讨会将比较两个受欢迎并采用氮化镓场效应晶体管而的拓扑:单终端 E类放大器及ZVS D类放大器拓扑。我们对器件的峰值功率性能、不同负载性能、负载调制性能及外来金属物体对器件性能的影响作出比较。我们使用相同发射及接收线圈组对是次比较作实验性证明。

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技术研讨会议题:氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)推动直流-直流转换器的发展
讲者: 宜普电源转换公司应用工程总监David Reusch博士

氮化镓场效应晶体管继续提高功率转换性能基准并改善器件在高功率密度及大电流应用的性能。本研讨会将讨论采用氮化镓场效应晶体管的非隔离型及隔离型直流-直流转换器的最新发展, 包括在大电流应用如何高效地并联氮化镓器件的技术、高功率密度氮化镓的发展基石及最新一代氮化镓器件所取得的主要改善。全新氮化镓晶体管系列活现摩尔定律,在主要的开关品质因数取得重大增益,使得其性能在高频功率转换应用进一步抛离对手 -- 日益陈旧的功率MOSFET器件。

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2014年9月4日
IIC China 功率管理研讨会
地点: 中国深圳

"电源管理及功率半导体:第四代氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)"
讲者: 宜普电源转换公司亚太区FAE总监郑正一

我们将在本研讨会探讨采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的直流-直流转换器应用的最新发展,包括研究新一代氮化镓器件在性能上所取得的重大改进。第四代氮化镓器件系列使得摩尔定律复活,由于这些器件在主要开关品质因数方面取得重大增益,因此在高频功率转换领域全新的氮化镓场效应晶体于性能上可进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET器件。我们将演示的转换器包括工作在1 MHz开关频率、取得超过91.5%效率的12 V转至1.2 V、40 A的负载点(POL)转换器, 以及工作在300 kHz开关频率、取得超过98% 效率的48 V转至12 V、30 A的非隔离型直流-直流中间总线转换器。

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2014年9月3日
IEEE PELS Webinar
地点: IEEE PELS Webinar 系列

"给包络跟踪降压转换器应用的氮化镓场效应晶体管"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程副总裁Johan Strydom博士

分立型氮化镓(GaN)功率器件提供比MOSFET器件更卓越的硬开关性能,以及如果需要达到系统的频宽要求,这些氮化镓器件对于给包络跟踪应用的开关转换器的开发尤为重要。该系统性能受到有源功率器件以外的因素所影响,例如高速栅极驱动器及印刷电路板的版图。是次研讨会将讨论于数个工作在数MHz的降压转换器所采用的硅基高频增强型氮化镓功率晶体管((eGaN® FET)系列的最新发展、不同系统级的寄生电感及基于实验结果,评估它们所带来的影响。

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2014年8月26日
Wireless Power World 2014
地点: 中国上海

"基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)并采用全新零电压开关D类放大器拓扑的无线电源传送应用"
讲者: 宜普电源转换公司产品应用副总裁Johan Strydom博士

在过去几年间,高度谐振、使用松散耦合线圈并在6.78 MHz频率下工作的无线电源传送系统日渐广受欢迎。是次研讨会将探讨在给定的线圈系统下,对采用MOSFET器件及氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)并使用E类放大器拓扑及使用全新零电压开关(ZVS)、电源模式的D类放大器拓扑进行比较。我们分别对器件在峰值功率、不同负载、负载调制等各方面性能及其他金属物对晶体管的影响作出比较,并进一步使用CAT3负载线圈对各个符合A4WP第三等级效率器件所得的结果作出比较。

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2014年8月7日
PSMA Webinar
Location: PSMA Roadmap Presentation

"氮化镓晶体管为摩尔定律注入新生命"
讲者: 宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士

作为功率MOSFET的替代器件,增强型氮化镓晶体管的商用化已经有四年多并进驻了很多以前被硅功率MOSFET器件独占的应用。本研讨会将讨论先进氮化镓(GaN)技术及预计它于未来数年间的进程:在全球功率半导体技术的应用领域,氮化镓器件使得摩尔定律复活。我们也将展示在新兴应用新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的优势,包括D类音频放大器、LiDAR、无线电源传送及射频包络跟踪等应用。所有的范例都支持功率MOSFET及LDMOS的使用者逐步转用氮化镓晶体管。

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2014年6月17日星期二
PCIM Asia 2014
地点: 中国上海

在采用E类放大器拓扑的低功率及高频无线电源转换器对eGaN® FET的性能进行评估
讲者: 应用工程执行总监Michael de Rooij博士

EPC之前已展示了氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)可推动采用D类系统的无线电源传送应用实现超过70% 效率。我们将进一步展示与D类系统相比,如果使用相同线圈及器件负载,氮化镓场效应晶体管在E类无线系统可改善效率达20%。 该设计也可配合使用松散耦合线圈并在6.78 MHz的ISM频带工作。

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2014年6月1日星期日至2014年6月6日星期五
International Microwave Symposium
地点: 美国佛罗里达州Tampa Bay

"基于氮化镓器件的电源供电及电源调制器可调制供电以提高射频功放效率 "
演讲者: 宜普公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士

增强型氮化镓场效应晶体管是通常处于断开状态的开关并在许多功率管理的应用中可替代硅功率MOSFET器件。 这种宽频隙(WBG)物料具快速开关特性,加上没有反向恢复特性,因此在开关直流-直流供电应用可实现更高效率及更高功率密度。

本演讲将介绍氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 的特性,以及在实现静态开关电源时与目前硅功率MOSFET器件的比较。我们会着重探讨实现基于氮化镓器件(eGaN)的直流-直流功率转换器并凸显在设计包络跟踪应用及其他射频功放负载应用时所要面对的挑战。

此外,我们将分享最佳实践的设计过程、器件在尺寸方面的考虑因素及准确预测负载要求。参加者可在研讨会获得氮化镓场效应晶体管的优势的广泛知识,以及射频功放供电时在功率管理电路懂得使用主要设计参数实现最优性能。

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2014年5月20日星期二至2014年5月22日星期四
PCIM Europe
地点: 德国Nuremberg

"在包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管、于数MHz频率工作的降压转换器"
讲者: 宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士

氮化镓分立器件可在slew rate高达70V/ns时开关,而系统性能受到有源功率器件以外的因素影响包括高速栅极驱动器及印刷电路板的版图。 是次演讲将展示于数MHz频率工作的降压转换器采用最新高频、增强型氮化镓功率晶体管(eGaN® FET)产品系列的效果。 我们设计这些全新器件专为不可以使用分立硅MOSFET器件的高频硬开关功率应用而设, 因此可以推动需要在高压下需要高频的包络跟踪应用。我们将展示数个于电压达42 V、输出功率达40 W、10 MHz频率下工作的降压转换器,并讨论分立器件在该工作条件下开关所受的限制。

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"基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)并使用不同拓扑的无线电源传送放大器在性能方面的比较"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程执行总监Michael de Rooij博士

相比采用等效MOSFET器件的无线电源转换系统相比,之前我们已展示了氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在使用经典的电压模式D类放大器的无线电源转换系统可实现超过70%峰值效率及其总效率高出4%。本研讨会将讨论采用氮化镓场效应晶体管、使用不同拓扑的放大器,在高度谐振无线电源转换应用在效率及对不同负载和线圈耦合敏感度方面的比较,这些拓扑包括电流模式D类放大器、单终端E类放大器及新颖的高效电压模式D类放大器。 每一种使用相同发射线圈、接收线圈及整流器的拓扑都经过实验性测试。实验性装置使用松散耦合线圈、工作在6.78 MHz频率(ISM 频带)及不同拓扑可传送达15 W至30 W功率。 放大器的设计着重如何使得器件参数如COSS 等被线圈或匹配网络吸收功率。

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"在大电流应用提高并联工作、具高速开关的氮化镓晶体管的性能"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程总监 David Reusch博士

氮化镓(GaN)功率器件被迅速采纳,因为它们的工作频率及开关速度是硅功率MOSFET器件所不能及的。本研讨会将讨论在需要更高输出电流的应用并联高速氮化镓器件。此外,我们将讨论电路中的寄生电感如何影响性能及建议如何选用印刷电路板版图来提高并联高速氮化镓晶体管的性能。 我们会展示一个48 V转至12 V、480 W、40 A的降压转换器,它在300 KHZ开关频率下、采用最优并联版图、在负载为35% 至100%时可实现超过96.5%效率。

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2014年5月27日
ECTC 2014
地点: 佛罗里达州 Lake Buena Vista
专题演讲: 无线电源传送系统专题演讲

"推动无线电源传送应用的使能技术"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程总监 Michael de Rooij博士

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2014年4月10日
宽能隙电力电子研发联盟 - 宽能隙电力电子国际研讨会
地点: 台湾新竹县

"利用氮化镓击败硅技术"
讲者: 宜普电源转换公司首席执行官 Alex Lidow 博士

作为功率MOSFET的替代器件,第一批氮化镓场效应晶体管出现于商用直流-直流应用中已经有四年多。自此之后,氮化镓器件的发展及商用化备受关注,技术上的进步一日千里,新产品不断推陈而出并看到更多即将推出的全新产品的预告篇。硅器件正在撤退。 我们将在是次演讲分享氮化镓技术的最新发展、全新及令人意想不到的应用、在市场上的最新产品资讯、氮化镓技术未来发展的路线图,以及氮化镓与功率MOSFET、碳化硅器件的相对竞争力的比较。

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2014年4月3日
GOMAC Tech技术研讨会
地点: 南加州Charleston

"在高频直流-直流转换应用采用耐辐射的增强型氮化镓场效应晶体管"
讲者: 宜普电源转换公司首席执行官 Alex Lidow 博士

增强型硅基氮化镓(eGaN)场效应晶体管展示了其优越性能并同时展示了它们可以在严峻环境及高辐射条件下可靠地工作的性能。本研讨会将讨论专为更高频工作而设计、最新推出的增强型氮化镓HEMT晶体管系列的性能,并展示这些器件经过辐照后的稳定性及在高效直流-直流转换器、10 MHz频率下工作的优越性能。

电源转换器件在严峻的工作环境下供电包括宇航、高飞行高度或高可靠性军用等应用都必需可以抵受离子化辐射而不会损坏或产生故障。

大部分的电子元件面对在设计或制造方面不断变化的需求来减低它们易受辐射影响而遭受破坏,因此耐辐射器件的开发步伐趋于落后于其他器件。

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2014年3月20日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
地点: 美国Fort Worth, TX

"氮化镓:提高电源转换技术门槛"
讲者: 宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士

相比硅功率MOSFET器件,由于基于氮化镓(GaN)的功率器件具备在更高频率及开关速度条件下工作的性能,它们迅速被采用。我们将展示增强型氮化镓晶体管(eGaN®FET)如何在宽泛的应用中提高电源转换效率,范围包括从工作在10 MHz频率下的2 A负载点转换器至工作在300 KHz频率下的40 A伺服器供电应用。 此外,我们将介绍为开关频率带来了数量级改进的全新氮化镓场效应晶体管EPC8000产品系列,进一步提高高频电源转换技术的门槛。

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"设计及评估一个基于氮化镓晶体管、工作在10 MHz频率的42 V直流-直流转换器"
讲者: 宜普电源转换公司应用副总裁Johan Strydom博士

 

由于基于氮化镓(GaN)的功率晶体管可实现硅(Si)功率MOSFET所不能及的更高效率及更高开关频率,因此氮化镓功率器件日益普遍。 分立eGaN® FET可以在slew rate 40 V/ns以上开关,系统性能受到功率器件以外的因素影响如高速栅极驱动器及印刷电路板的版图。

本研讨会将探讨这些限制因素并讨论全新高频增强型氮化镓功率晶体管系列的性能。 我们设计这些器件来支持硅MOSFET器件所不可以支持的高频硬开关功率应用,从而推动要求在高压时实现高频的应用的出现。 我们将展示适用于包络跟踪应用的一个在10 MHz工作、42 V、40 W的降压转换器可实现超过89%峰值效率。

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2014年3月19日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
地点: 美国Fort Worth, TX

"对在高频谐振及软开关直流-直流转换器所采用的氮化镓晶体管进行评估"
讲者: 宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士

基于氮化镓(GaN)的功率晶体管的出现为业界带来可实现更高效及更高开关频率的机遇,为日益陈旧的硅(Si)功率MOSFET器件所不能提供。

本研讨会将展示在谐振及软开关应用,氮化镓晶体管具备可提高效率及输出功率密度的性能。我们建议一个用来与重要器件参数比较的品质因数,该参数影响谐振及软开关应用电路中的性能,以及比较氮化镓及硅技术。

为了验证增强型氮化镓晶体管替代硅MOSFET器件的优势,我们在一个高频谐振转换器、48 V转12 V、使用非调制隔离型总线转换器原型、在1.2 MHz开关频率工作、具400 W输出功率的转换器比较硅及氮化镓功率器件。

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2014年3月18日
慕尼黑上海电子展- 国际电力电子创新论坛
地点: 中国上海

“采用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET )的无线能源传送解决方案”
演讲者: 宜普电源转换公司亚太区FAE总监郑正一

基于氮化镓(GaN)的功率器件为目前硅(Si)功率MOSFET的更高效替代器件,可推动新兴应用的发展如无线电源传送应用。

在无线能源传送的应用中,我们早前已展示了基于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)的电压模式D类系统具超过70%峰值效率,与等效MOSFET器件相比,相等于其总效率可高出4%。此外,与使用相同线圈及器件负载的D类系统相比,氮化镓场效应晶体管在E类无线电源传送系统的峰值效率可进一步改善达20%。 本研讨会将展示全新的E类设计,可提供高达30 W功率以及工作在6.78 MHz的ISM频带时使用松散耦合线圈。氮化镓场效应晶体管具备很多其他理想特性如具有较低封装寄生电感,可允许E类系统实现最高电源转换效率。

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2014年3月5日
IEEE PELS 2014 Webinar
地点: IEEE Webinar Series

"让我告诉您氮化镓器件如何击败硅器件"
演讲者: 宜普公司首席执行官Alex Lidow 博士及应用总监David Reusch博士

氮化镓器件刚刚广为许多功率转换及射频应用所采纳。该技术开发迅速,在市场所累积的产品经验与日俱增。本研讨会将解释氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)如何工作并分享这种先进技术的最新发展情况。

此外,我们会展示多个应用范例包括高频包络跟踪(ET)、谐振直流—直流转换及无线电源传送应用。

研讨会将以展望这种相对地较年轻的技术的未来发展作结。

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2013年10月28日星期日
第一届 IEEE Workshop:具宽频隙的功率器件及应用
地点: 美国俄亥俄州哥伦布 市

"增强型硅基氮化镓晶体管可推动更高性能及全新应用的出现"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程总监David Reusch 博士

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2013年10月11日星期五
Google + Hangout

"Digikey及宜普公司谷歌Hangout"

宜普电源转换公司及Digikey在2013年10月11日早上10时(PST)会面,Digikey公司的Anissa Lauer与宜普公司的Alex Lidow、Michael de Rooij 及 Renee Yawger讨论半导体材料的演进。宜普将展示其先进的增强型氮化镓功率晶体管技术及如何开始利用该器件设计产品,从而在设计师的系统发挥氮化镓晶体管的优越性能。

观看Hangout视频   观看Hangout视频Youtube

2013年10月1日星期二
IMAPS 2013
地点: 美国佛罗里达州Orlando

"在直流-直流应用采用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)改善系统性能"
讲者: 宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士

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2013年6月18-20日
PCIM Asia
地点:中国上海

"于硬开关及软开关应用使用氮化镓场效应晶体管改善设计性能"
讲者:宜普公司产品应用副总裁Johan Strydom博士

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2013年5月13日-16日
Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference
地点:美国New Orleans LA

SESSION 9a: WBG 功率器件
"氮化镓晶体管推动全新应用的出现"
讲者:宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士

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Rump Session B: 氮化镓希望成为十亿富翁?谁可帮助提供答案?
与会者:宜普电源转换公司应用总监David Reusch博士

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2013年5月16日
PCIM Europe
地点:德国Nuremberg

"硅基氮化镓的技术、器件及应用"
讲者:宜普首席执行官Alex Lidow 博士

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2013年4月23日
Designwest
地点:美国San Jose

"氮化镓晶体管推动全新应用的出现"
讲者:宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士

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2013年4月8日
2013 CPES Conference Program
地点:Blacksburg, VA

"氮化镓晶体管 – 成功与未来的挑战"
讲者:宜普公司首席执行官Alex Lidow博士

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2013年3月17日至21日
APEC
地点:美国加州Long Beach

"减小了寄生电感的高频及低损耗eGaN转换器设计"
主讲者:宜普电源转换公司应用工程总监David Reusch博士

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"氮化镓场效应晶体管推动低功耗及高频无线能量转移转换器的应用"
主讲者:宜普电源转换公司高级产品应用总监Michael de Rooij博士

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"在包络跟踪应用中采用氮化镓场效应晶体管"
主讲者:宜普电源转换公司产品应用副总裁Johan Strydom博士

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"基于氮化镓场效应晶体管的谐振式高频电源转换器"
主讲者:宜普电源转换公司产品应用总监David Reusch博士

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"采用氮化镓场效应晶体管实现高效功率转换"
主讲者:宜普公司首席执行官Alex Lidow博士、应用行政总监Michael de Rooij 博士、应用副总裁Johan Strydom博士及应用工程总监David Reusch博士

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APEC Rap专题讨论 – Session 2: 宽带隙的半导体 - 时机成熟还是有待实现的承诺?
主持专题讨论的主席: Kevin Parmenter, Excelsys Technologies Ltd.
参加专题讨论的专家:
Tim Mcdonald, International Rectifier
Dr. Alex Lidow, CEO of EPC Efficient Power Conversion
Dr. Dan Kinser, CTO Fairchild
Dr. Primit Parkh, CEO Transphorm
Dr. John Palmour, CTO of CREE
Greg J. Miller Sr., Vice President - Applications Engineering at Sarda Technologies, Inc.

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2013年3月11日至14日
GOMAC 技术研讨会 – 宜普公司议题的摘要
地点:美国拉斯维加斯

"在直流-直流转换器中采用具备卓越耐辐射性能的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)"
讲者:宜普电源转换公司Johan Strydom博士及Microsemi公司Tom Gati

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2012年11月16日
臺大国际论坛
地点:臺大电机系博理馆101会议室

"氮化镓晶体管所带领的全新应用的出现"
讲者: 宜普公司首席执行官Alex Lidow博士

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"How to Use eGaN FETs"
讲者: Peter Cheng; Field Applications Engineering Manager, Efficient Power Conversion

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2012年10月25日

"PSMA 电源技术发展在线座谈 - 采用氮化镓场效应晶体管的解决方案"
讲者: 宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士
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2012年10月7日至12日
ECS – PriME 2012
地点: 美国夏威夷州檀香山

"在低功耗无线电源转换器中的eGaN场效应晶体管"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程总监Michael de Rooij博士

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2012年9月19日至21日
Darnell’s Power Forum
地点: 美国加州SanJose

"氮化镓晶体管的新兴应用"
讲者: 宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士

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"通过氮化镓晶体管激活包络跟踪功能"
讲者: 宜普电源转换公司应用工程副总裁Johan Strydom博士

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"使用氮化镓场效应晶体管的隔离型直流-直流转换器"
主讲者: 宜普电源转换公司应用工程部副总裁Johan Strydom博士

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"在工程师所设计的电源应用中成功使用氮化镓器件"
主讲者: Embedded Power Labs 公司 Robert V. White

摘要 视频

圆桌会议议题
"当我们达到最高效率时,下一个目标是什么?"
宜普公司代表: 首席执行官Alex Lidow博士

视频

2012年5月22日
Credit Suisse Private Semi Conference

"推动高效功率转换的氮化镓晶体管"
讲者: Alex Lidow博士
地点: 加州三藩市

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2012年4月23日
CS Mantech

"推动高效功率转换的氮化镓晶体管"
讲者: Alex Lidow博士
地点: 马萨诸塞州波士顿市

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2012年3月22日
GOMAC Tech Conference

"耐辐射的增强型氮化镓场效应晶体管的特性"
讲者: Alex Lidow博士
地点: 内华达州拉斯维加斯市

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2012年2月23日
第十七届国际集成电路研讨会(IIC China 2012)

"eGaN® FET 的科技发展"
主讲者 :宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow博士
地点 :中国深圳会展中心

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2012年2月9日
Applied Power Electronics Conference

"并联氮化镓场效应晶体管"
讲者: Alex Lidow博士
地点: 佛罗里达州奥兰多市

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2012年2月5日
Applied Power Electronics Conference

"在供电应用如何使氮化镓器件发挥其性能"
讲者: Robert V. White(科罗拉多州Highland Ranch的Embedded Power Labs)
地点: 佛罗里达州奥兰多市

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12/1/2011
中国电子设计杂志 - 2011年度中国创新科技论坛及颁奖典礼

"eGaN® FET 的科技发展 - 应用于高效DC-DC转换器"
讲者: 宜普公司亚太区销售副总裁曾海邦先生
地点: 中国上海

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2011年10月11日
IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting

"功率转换器件 - 硅器件已经走到尽头吗?"
讲者: Alex Lidow
地点: Atlanta, Georgia

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2011年10月13日
ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit

"高效功率转换系统 - 氮化镓场效应晶体管与硅MOSFET器件的比较"
讲者: Alex Lidow博士
地点: Boston, Massachusetts

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2011年9月26日
Darnell’s Power Forum

"氮化镓场效应晶体管在高频功率转换条件下工作"
讲者: Alex Lidow博士
地点: San Jose, CA

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2011年9月17日至22日
ECCE 2011: IEEE Energy Conversion Congress & Exposition

"在功率管理领域替代硅器件的氮化镓技术"
讲者: Alex Lidow博士
地点: Phoenix, AZ

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2011年6月22日
PCIM Asia 2011;功率电子/智能运动/电源质量

"Driving eGaN® FETs in High Performance Power Conversion Systems"
讲者: Alex Lidow博士
地点: 中国上海

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2011年5月11日
IBM Power Symposium

"采用氮化镓场效应晶体管、具高降压比的降压转换器"
讲者: Alex Lidow博士及Johan Strydom 博士
地点: Raleigh, NC

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March 24, 2011
GOMAC Tech Conference

"在长期应力下的eGaN特性"
Alexander Lidow; 宜普电源转换公司首席执行官
J. Brandon Witcher; Senior Member of the Technical Staff, Sandia National Laboratories
Ken Smalley; Microsemi 公司产品工程师

作为硅功率MOSFET的替代品 - 硅基氮化镓(eGaN)增强型HEMT晶体管,其商业应用已经超过一年多。它的卓越导通性能和开关特性使设计师可以很大幅度地减少系统功率损失、体积、重量和成本。eGaN晶体管可以利于军事和宇航应用,但器件必须可靠地在严苛环境条件下工作。本文展示了这些器件在高温和暴露在辐射环境下也能稳定地工作。

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2010年10月12日
GOMAC Tech Conference

"功率转换器件 - 硅器件已经走到尽头吗?"
讲者: Alex Lidow博士

Alex Lidow博士在IEEE SCV Electron Devices Society (EDS)演讲。

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