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宜普电源转换公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化镓功率晶体管

分类: 新闻稿
宜普电源转换公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化镓功率晶体管

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶体管,应用于负载点(POL)转换器激光雷达(LiDAR)包络跟踪电源D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。

与采用塑胶封装的MOSFET相比,采用芯片级封装的EPC2049氮化镓场效应晶体管的散热性能好很多,这是由于使用芯片级封装的氮化镓器件可以直接把热量散出至环境,而MOSFET晶片的热量则聚集在塑胶封装内。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。 设计师不需要选择设计更小型化还是性能更高的产品,而是二者可以同时兼得!

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「EPC2049展示出EPC公司及其氮化镓晶体管技术如何提升eGaN® 器件的性能之同时能够降价。EPC2049进一步印证了eGaN与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在继续扩大。」

价格及供货

EPC2049eGaN FET在批量为1,000片时的单价为2.19美元,可以立即从Digikey公司购买,网址为http://www.digikey.cn/zh/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、功率逆变器三维成像与激光雷达(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)

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