EPC2010C:增强型功率晶体管

VDS, 200 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 22 A
脉冲 ID, 90 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2010C Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.6 mm x 1.6 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 隔离型DC/DC转换器
  • 无刷直流电机驱动器
  • 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流
  • 高频硬开关及软开关技术
  • D类音频放大器
  • 光学遥感技术/脉冲式功率应用

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:已提供新型器件(NDO)
面向新设计,EPC 氮化镓专家推荐EPC2207NDO(已提供新型器件):这是前代器件,虽然您仍然可以采用,但请使用我们推荐的新型器件 - 它的价格更好和在大多数应用中性能更高。
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教