在150 V - 12 V DC/DC转换采用GaN FET 与MOSFET的比较

EPC的产品再一次击败硅基MOSFET功率元件，实现更高的性能而同时缩小元件的尺寸及降低成本。本视频展示出200 V的 GaN FET与等效MOSFET相比，GaN FET的性能更高、大大减小占板面积（器件的尺寸缩小15倍）、功耗低出40%及提高功率密度达3倍。