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采用芯片级封装的氮化镓（GaN）晶体管改善系统的热性能
Posted 2016年10月31日
随着功率转换器需要更高的功率密度，晶体管必须配合不断在缩减的电路板面积。氮
化镓（GaN）功率晶体管除了可以提高电源效率外，它们也必须具备更高的热效率。在
这篇文章中，我们探讨采用芯片级封装的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN
®FET）
的热性能，并与最先进的Si MOSFET比较两种器件的电气性能和热性能。
Bodo's China
2016年10月
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