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Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-16 Reliability Report adding new findings to the extensive knowledge base on GaN reliability and mission robustness.
EL SEGUNDO, Calif.— March 2024 — EPC announces the publication of its Phase-16 Reliability Report, documenting continued work using test-to-fail methodology and adding specific guidelines for overvoltage specifications and improving thermo-mechanical reliability.
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EPC推出采用紧凑型QFN封装(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能 MPPT等应用实现更高的功率密度。
2024年2月27日—全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。
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EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合,为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。
宜普电源转换公司(EPC )宣布推出采用 EPC GaN FET 和 Analog Devices, Inc. (ADI) 控制器的各种参考设计。
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EPC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能
增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ,包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。
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Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利,是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2204), 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之间实现了最佳折衷,这对于要求严格的硬开关应用至关重要,同时在紧凑的封装中实现100 V的漏-源击穿电压。这种紧凑型设计显着缩小了PCB的尺寸,保持较小的电流环路和最大限度地减少EMI。
EET公司结合了EPC的氮化镓器件和其SolMate MPPT充电转换器,以实现多种优势:效率损失减半和整体效率从96%提高到98%。转换器的体积缩减了70%、BOM和制造成本降低了 20%而同时降低了对散热的要求。此外,由于开关频率提高了10倍,因此无需使用易于引发问题的电解电容器,从而延长了转换器的使用寿命。
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基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率(比功率)增加了一倍以上。该逆变器非常微型,可集成到电机外壳中,从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。
宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V,可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。
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EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC转换器,占板面积仅为17.5 mm x 22.8 mm,可实现5130 W/in3最先进的功率密度。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9159参考设计。这是一款48 V/12 V的LLC转换器,专为高功率密度48 V服务器电源和DC/DC转换器而设计。该参考设计可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封装内提供高达1 kW的功率,其功率密度为5130 W/in3。这是在初级侧和次级侧电路中采用于高开关频率工作的氮化镓(GaN)功率器件才可以实现的。
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Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions with two new 40 V devices rated at 62 A and 250 A to address critical spaceborne and other high-reliability applications.
EL SEGUNDO, Calif.— July 2023 — EPC announces the introduction of two new 40 V rated radiation-hardened GaN FETs.EPC7001 is a 40 V, 4 mΩ, 250 APulsed, rad-hard GaN FET in a small 7 mm2 footprint. EPC7002 is a 40 V, 14.5 mΩ, 62 APulsed, rad-hard GaN FET in a tiny 1.87 mm2 footprint. Both devices have a total dose radiation rating greater than 1,000K Rad(Si) and SEE immunity for LET of 83.7 MeV/mg/cm2 with VDS up to 100% of rated breakdown. These new devices, along with the rest of the Rad Hard family, are offered in a chip-scale package. Packaged versions are available from EPC Space.
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2023年7月3日中国商务部宣布8月起对镓、锗相关物项的出口实施管制。宜普电源转换公司的晶圆技术是硅基氮化镓,尽管每个器件中有其微量镓含量,相对全球镓来源广泛,宜普的需求相对较小。我们预计不会出现短期或长期的供应中断。
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案例聚焦新一代替代硅技术
(加利福尼亚州,埃尔塞贡多)--氮化镓(GaN)技术的全球领导者宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC)于今日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(统称英诺赛科)侵犯。 这些专利涵盖了宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的核心环节。这些专利是创新技术,已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目,发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路,较使用硅基器件而言更高效,更小型,成本更低。
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基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。
宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186,这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。
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宜普电源转换公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考设计采用经过全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管,可实现超过96.5%的效率。
宜普电源转换公司(EPC)宣布新推EPC9158,这是一款工作在500 kHz开关频率的双输出同步降压转换器参考设计,可将48 V~54 V的输入电压转换为12 V稳压输出,可提供高达每相25 A电流或50 A总连续电流。ADI的新型LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效GaN FET相结合,可为高功率密度应用提供占板面积小且非常高效的解决方案。该解决方案在48 V/12 V 、50 A连续电流下可实现 96.5%的效率。
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EPC’s GaN Experts will be available during PCIM Europe 2023, showcasing the latest generation of GaN FETs and ICs in a wide variety of real-world applications.
EL SEGUNDO, Calif. — April 2023 — — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs,will be delivering multiple technical presentations on GaN technology and showcasing applications at PCIM Europe 2023 in Nuremburg, 09 – 11 May (see detailed schedule below). In addition, the company will demonstrate its latest eGaN® FETs and ICs in a large variety of customer end products in Hall 9, Stand 318.
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Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions with two new devices rated at 100 V and 200 V to address a multitude of critical spaceborne and other high-reliability .
EL SEGUNDO, Calif.— April 2023 — EPC announces the introduction of two new radiation-hardened GaN FETs. The EPC7020 is a 200 V, 11 mΩ, 170 APulsed, rad-hard GaN FET in a small 12 mm2 footprint. The EPC7003 is a 100 V, 30 mΩ, 42 APulsed, rad-hard GaN FET in a tiny 1.87 mm2 footprint. Both devices have a total dose radiation rating greater than 1,000K Rad(Si) and SEE immunity for LET of 83.7 MeV/mg/cm2 with VDS up to 100% of rated breakdown. These new devices, along with the rest of the Rad Hard family, EPC7019, EPC7014, EPC7004, EPC7018, EPC7007, are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN® FET and IC family. Packaged versions will be available from EPC Space.
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宜普电源转换公司(EPC) 扩展了其封装兼容的ePower™ IC系列,提高功率密度和简化设计以满足DC/DC应用、电机驱动器和D类音频放大器的不同功率要求。
继早前推出的100 V、35 A功率级IC(EPC23102)之后,EPC公司新推两款新型100V功率级IC,其额定电流分别为15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。
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EL SEGUNDO, Calif.— March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.
EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.
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EPC的GaN专家将在其APEC展位展示各种应用所采用的最新一代GaN FET 和 IC。
宜普电源转换公司(EPC)是增强型氮化镓FET和IC领域的全球领导者,将于3月19日至23日在奥兰多举行的IEEE APEC 2023会议上发表多项技术演讲,详情请参阅下方时间表。此外,我们还会在奥兰治县会议中心的732号展位展示最新一代的 eGaN®FET和IC,其应用范围包括高功率密度计算、电动汽车、机器人、太阳能、电池充电等。欢迎莅临参观“GaN之墙”,我们提供市场上最广泛的氮化镓功率半导体产品组合,可现成交付。
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EPC推出EPC9177,这是一种基于eGaN®IC的高功率密度、薄型DC/DC转换器参考设计,可满足新型USB PD 3.1对多端口充电器和主板上从28 V~48 V输入电压转换至12 V或20 V输出电压的严格要求。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9177,这是一款数字控制、单输出同步降压转换器参考设计,工作在 720 kHz 开关频率,可转换 48 V、36 V、28 V至稳压12 V输出电压,并提供可高达20 A的连续输出电流。
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