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增强型氮化镓场效应晶体管商用化已经超过四年,并不断渗透及进驻本来被硅功率MOSFET器件所垄断的应用领域。
Power Pulse
作者:Alex Lidow
2013年10月
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宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐,其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。
宜普公司(www.epc-co.com.cn)推出带高铅含量焊锡端子的器件,非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%,而锡含量为5%。
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With the introduction of this family of eGaN® FETs, power systems and RF designers now have access to high performance gallium nitride power transistors enabling innovative designs not achievable with silicon.
October, 2013
Bodo's Power Systems
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我们在本章讨论在隔离型直流-直流功率转换中使用更复杂的硬开关转换器。
EEWeb
作者:Alex Lidow
2013年10月
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封装的缺点是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,并增加阻抗和电感,从而降低器件的性能。宜普电源转换公司Alex Lidow辩说最有效的解决方案是不用封装,使 氮化镓高电子迁移率晶体管与等效硅器件相比,具有相同成本的优势。
杂志:Compound Semiconductor
日期:2013年6月
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