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面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流,因此可以提高激光雷达(LiDAR)系统所侦测的资料的质素,包括资料的准确性、精确度及制作速度。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动汽车应用的激光雷达系统需要制作三维地图,因此,侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到,与等效MOSFET相比,具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管,从而提升激光雷达系统的整体性能。

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