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宜普公司在2013年APEC会议将与工程师分享氮化镓（GaN）的技术及应用

Posted 2013年2月25日

宜普公司首席执行官及应用专家将于业界IEEE APEC2013年电力电子研讨会举行为期半天的关于氮化镓场效应晶体管的技术及应用研讨会。

增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管的全球领先供应商宜普电源转换公司将于3月17日至21日在美国加州Long Beach举行的2013年APEC会议的学术研讨会及多个以应用为主题的技术论坛演讲。

在功率电子应用响负盛名™的APEC会议专注功率电子的实用及应用方面，备受各界功率电子专家关注。APEC会议与在职工程师分享所有不同功率电子元件及设备的用途、设计、制造及推广，详情请浏览http://www.apec-conf.org/ 。

宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow说：“我们的专家非常荣幸获得2013年APEC会议技术评委会推荐我们在其学术研讨会演讲，并与工程师分享关于氮化镓的技术论 文。委员会对我们的支持进一步强化我们的信念 -- 功率系统设计工程师对具备卓越性能的氮化镓技术感到兴趣并且认同。”

学术研讨会： 实现高效电源转换的氮化镓晶体管
日期：3月17日（星期日）（S.7：下午2时30分至6时）

是次研讨会将讲解“氮化镓晶体管- 高效功率转换器件” 教科书所涵盖的议题，并阐释氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能，以及讨论如何使用这些器件，包括解释在高性能、高频的电源转换应用中需要考虑驱动器、版图及热管理等因素。 为展示氮化镓技术在现实世界里的价值，我们将讨论多个应用包括高频包络跟踪（ET）、中间总线转换器（IBC）及无线电源传送。此外，我们将在研讨会的总结部分讨论这个崭露头角、替代MOSFET技术的未来发展。

宜普专家讨论关于氮化镓场效应晶体管的技术演讲
圆桌座谈会

专题讨论 ：宽带隙的半导体 - 时机成熟还是有待实现的承诺？
讲者 ：Alex Lidow
日期 ：3月19日（星期二）（Session 2：下午5时至6时30分）

技术研讨会

减小了寄生电感的高频及低损耗eGaN转换器设计
讲者 ：David Reusch 及 Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（直流-直流转换器 Session ：下午2时至5时30分）

在包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
讲者 ：Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.4：上午8时30分至10时15分）

氮化镓场效应晶体管推动低功耗及高频无线能量转移转换器的应用
讲者 ：Michael de Rooij
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.3：上午8时30分至10时15分）

基于氮化镓场效应晶体管的谐振式高频电源转换器
讲者 ：David Reusch
日期 ：3月21日（星期四）（IS 1.4.5：上午8时30分至11时30分）

宜普公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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宜普开发板展示200 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可使设计功率系统变得容易

Posted 2013年2月5日

EPC9004开发板内含氮化镓场效应晶体管及采用德州仪器公司专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器

宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功率晶体管改为采用更高效的氮化镓场效应晶体管。

EPC9004开发板是一种200 V峰值电压、2 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2012氮化镓场效应晶体管，并同时配合德州仪器公司的快速栅极驱动器（UCC27611），从而缩短设计高频及高效功率系统的时间及减少设计的复杂性。

推出EPC9004开发板的目的是简化评估高效氮化镓场效应晶体管的过程，因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板，板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。此外，电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南，使用户可以更容易使用开发板。

受益于200 V的EPC2012晶体管的应用包括无线电源充电、磁力共振扫描及具低射频的应用如智能仪表通信设备。

EPC9004开发板的单价为95美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

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商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ([email protected])

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