新闻

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Microsemi announces partnership with EPC

Microsemi公司正在与宜普电源转换公司(www.epc-co.com)合作开发一系列用于高可靠性宇航与军事应用中的高性能FET产品。两家公司在2011年3月21至24日于佛罗里达州奥兰多市举行的政府微电路应用与关键技术会议(GOMAC)上发表了题为“在长期应力下的增强型氮化镓产品特性”的联合研究论文。这份研究报告提供了可靠性测试结果,并展示了在高温和暴露在辐射环境下器件的稳定性能。

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Alex Lidow, CEO, interviewed in ECN's Tinker’s Toolbox

Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website.  The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.

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宜普电源转换公司(EPC)发布两款业界领先的无铅且符合RoHS要求的 eGaN FET

宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。

EPC2001 FET是一种100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件,RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比,这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻,体积比相同电阻的硅器件更小,并且具有卓越许多倍的开关性能。

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