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EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。
宜普电源转换公司宣布推出EPC9102演示板，这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。这块电路板就是一个36V-60V输入、12V输出、375kHz相移全桥(PSFB)式八分之一砖转换器，最大输出电流为17A。该演示板内含100V EPC2001 eGaN FET及德州仪器专为驱动eGaN FET而设的半桥栅极驱动器（LM5113）。
LM5113是业界首款能够最佳驱动增强型氮化镓FET、并且能够充分发挥这种FET优势的驱动器。EPC9102演示板展示了当eGaN FET配合德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器，可以实现eGaN FET的高开关频率性能。
这种转换器的结构符合标准八分之一砖的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。尽管这个尺寸比较小，但整个电路板在36V输入电压、10A输出电流条件下，可以达到94.8%的峰值功效。
EPC9102演示电路的设计用于展示使用eGaN FET在375kHz工作时，能够实现得到的尺寸和性能，而设计本身并没有针对最大输出功率进行优化。其工作频率大约比类似商用的八分之一砖DC/DC电源转换器高出50%至100%。
EPC9102演示板的尺寸特别是过大的尺寸，这是方便电源系统设计工程师连接相关的评估平台。演示板上有许多探测点，便于测量简单波形和计算效率。
EPC9102演示板可用在低环境温度和强制空冷条件下的基准评估。随EPC9102演示板一起提供的，还有一份供用户参考和易于使用的快速入门指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf。
EPC9102演示板单价为306.25美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为：http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
EPC eGaN FET 及 德州仪器的LM5113 设计工具指南
eGaN FET 设计信息及支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
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Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride transistors. His initial focus will be on their use in higher voltage DC-DC converters and resonant, soft-switching converters. Dr. Reusch’s research and experience in these applications will be shared with customers to accelerate their designs using high performance eGaN FETs. His designs will demonstrate GaN transistors’ superior performance over MOSFETs.
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EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) CEO Alex Lidow will speak at the private Credit Suisse investor conference in San Francisco on Tuesday, May 22, at 10:00 a.m. Pacific time. Dr. Lidow will discuss the growing market for gallium nitride transistors with a focus on EPC’s eGaN® FET technology and products. As a displacement technology, GaN FETs can be used in an array of current MOSFET applications in addition to enabling new high volume applications, such as wireless power and envelope tracking, a method for significant energy savings in communication devices.
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