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Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices Published by The Institution of Engineering and Technology

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices Published by The Institution of Engineering and Technology

Based on the authors' years of extensive experience, this is an authoritative overview of Wide Bandgap (WBG) device characterization.

EL SEGUNDO, Calif. – September 2018 – Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) announces the publication by the Institution of Engineering and Technology of Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices co-authored by EPC Senior Applications Engineer, Dr. Edward A. Jones. This textbook provides essential tools to assist researchers, advanced students, and practicing engineers in performing both static and dynamic characterization of WBG devices, particularly those based on using silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) power semiconductors. The book presents practical considerations for real applications and includes examples of applying the described methodology.

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宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)产品荣获《今日电子》杂志/21IC中国电子网 2018年度“Top10电源产品–技术突破奖”

宜普电源转换公司(EPC)的两个车规级氮化镓晶体管(EPC2202及EPC2203)成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证,推动一系列面向车用及其它严峻环境的应用的发展。

宜普电源转换公司(EPC)的第一批通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证的氮化镓场效应晶体管(EPC2202EPC2203),荣获《今日电子》杂志与21IC中国电子网颁发2018年度“Top-10电源产品奖—技术突破奖”。该奖项在2018年9月13日于北京举行的21iC电源技术研讨会上颁发。

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宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN)功率晶体管

专为功率系统设计师而设的EPC2051功率晶体管是一种100 V、25 mΩ并采用超小型芯片级封装的晶体管,可实现37 A脉冲输出电流。EPC2051是多种应用的理想器件,包括48 V功率转换器、激光雷达及LED照明等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on)))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。

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