アプリケーション

GaN Changing the Way We Live

もし「理想的な」パワー素子を持っていたら、あなたは何を設計するでしょうか。

eGaN® FETは、非常に高効率という特徴を生かし既存のパワーMOSFETやLDMOSを幅広く置き換えることが出来ます。

パワー素子に求められる要素:

  • 低オン抵抗
  • 高速応答性
  • 低寄生容量
  • 小型パッケージ

低オン抵抗と高速応答性……それには、卓越した導通メカニズムが必要です:
これは、2次元電子ガス(2DEG)の中へ電子を閉じ込めることから始まり、これによる高導電性と高速電子移動につながります。これがeGaN® FETの特徴です。

低寄生容量……優れた性能指数FOM(Figure of Merit)は、これまでにない特性を実現します:
eGaN® FETは、ハードスイッチングとソフトスイッチングのいずれの用途においても、 従来のMOSFETと比較し優れた性能指数FOMを示します。

より小型……性能を追求するならこのカタチ!
回路基板のスペースは、非常に高価な土地に例えられます。eGaN®FETは、低インダクタンス、低オン抵抗、そして小型で安価なLGAパッケージに収められています。

GaN(窒化ガリウム)は、伝統はありますが、成熟したシリコン・ソリューションを置き換える技術として出現し、もっと、もっと効率的に電力を使いたいという私たちの需要に応え続けることができます。