ワイヤレス電力伝送

ワイヤレス電力伝送

ワイヤレス電力伝送が普及するにつれ、共鳴システムは、高効率で高い空間的自由度を可能にする、より高い周波数のISM帯(6.78MHzと13.56MHz)で動作することが要求されます。これらの高い周波数では、従来のMOSFET技術は、その能力の限界に近づいています。

eGaN® FETは、MOSFETの代替になります。サブナノ秒の範囲のスイッチング遷移速度によって、eGaN FETは、ワイヤレス電力伝送のアプリケーションに理想的と言えるほど高速にスイッチングすることができます。

アプリケーション・ノート:低コストの共振型ワイヤレス・パワー用途向けeGaN FET

モバイル・デバイス向けのマルチモード可能な10 Wワイヤレス・パワー・アンプ

アプリケーションの概要:ワイヤレス・パワー用eGaN FET

ワイヤレス・パワーのトップ5メリット

Cut the Cord! -- GaN Enables the Wireless Home
ワイヤレス・ハンドブック
出版されました!

eGaN Technology for Wireless Power Transfer
無線電力は、圏内にありますか?

A4WPのワイヤレス充電の仕様は、ノート・パソコンやタブレット端末向けに利用可能な電力を3倍に

デモ・キットは、製品化までの時間を短縮します

Wireless Power Demo Board
ワイヤレス・パワー・キットが製品化までの時間を短縮

ワイヤレス・パワーのデモ・キットは、給電基板(送信器またはパワー・アンプ)、給電コイル(送信コイル)、および、整流器と直流平滑コンデンサを備えた受電コイルを搭載しています。

高共鳴ワイヤレス・パワー・キット

型番 出力電力 動作周波数
EPC9111 35 W 6.78 MHzにプリセット、またはユーザー選択可能
EPC9112 50 W 6.78 MHzにプリセット、またはユーザー選択可能

AirFuel™アライアンス規格互換のワイヤレス・パワー・キット

型番 クラス 出力電力 動作周波数
EPC9113 3 16 W 6.78 MHz
EPC9114 2 10 W 6.78 MHz

マルチモード・ワイヤレス・パワー・キット

型番 規格 クラス 出力電力 動作周波数
EPC9121 AirFuel Compatible
Qi/PMA Compatible
2
A6
10 W
5 W
6.78 MHz
6.165 KHZ

EPCが推奨するソリューション・パートナは、迅速なプロトタイプ製作と開発期間短縮のためのリファレンス・デザインの完全なソリューションとツールを提供します。パートナのページをご覧ください

ワイヤレス・パワーのアンプ基板

型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)
搭載製品 回路図 ガーバー BOM
(部品表)
 
EPC9506ZVSのD級8V - 32VVIN10AEPC2014C
EPC2038
EPC9507ZVSのD級8V - 36VVIN6AEPC2007C
EPC2038
EPC9508ZVSのD級7V - 36VVIN3AEPC8009
EPC2007
EPC9509ZVSのD級17V - 24V52V1AEPC2108
EPC2036
EPC9510ZVSのD級17V - 24V66V0.8AEPC2107
EPC2036
EPC9051E級0V - 40VVIN1AEPC2037
EPC9052E級0V - 40VVIN1 AEPC2012C
EPC9053E級0V - 40VVIN1 AEPC2019
EPC9054E級0V - 40VVIN1 AEPC2010C
EPC9065ZVSのD級12 V (max VDD)80 V1.8 ARMSEPC2007C
EPC8010
EPC951110 Wのマルチモード・ワイヤレス・パワー・システム17V - 24V66V/26V1.7 AEPC2107
EPC2038
EPC2036

GaN集積回路

型番 VDS オン抵抗RDS(ON)
(標準値)
出力電荷QOSS
(標準値)
Q1 :制御用 FET Q2:同期整流用FET ブートストラップFET Q1 :制御用 FET Q2:同期整流用FET ブートストラップFET
EPC2107 100 320 mΩ 320 mΩ 3.3 Ω 800 pC 1400 pC 134 pC
EPC2108 60 190 mΩ 190 mΩ 3.3 Ω 650 pC 1000 pC 134 pC

購入

ワイヤレス・パワー設計向け推奨デバイス

型番 構成 VDS 最大 RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
パルスID
最大ピーク値 (A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
LGA パッケージ
(mm)
ハーフブリッジ開発基板
EPC2015C シングル 40 4 8.7 2.7 1.2 19 235 4.1 x 1.6 EPC9201
EPC2014C シングル 40 16 2 0.70 0.30 4 60 1.7 x 1.1 EPC9005C
EPC8004 シングル 40 110 0.37 0.120 0.047 0.63 7.5 2.1 x 0.85 EPC9024
EPC2108 ブートストラップを
集積したデュアル
60 190
3300
0.22 0.085
0.20
0.045
0.004
0.65
1
0.134
5.5
0.5
1.35 x 1.35 N/A
EPC8009 シングル 65 130 0.37 0.120 0.055 0.94 7.5 2.1 x 0.85 EPC9029
EPC2039 シングル 80 22 2 0.63 0.42 7.6 50 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2038 シングル 100 3300 0.044 0.020 0.004 0.134 0.5 0.9 x 0.9 EPC9507
EPC2016C シングル 100 16 3.4 1.1 0.55 16 75 2.1 x 1.6 EPC9010C
EPC2007C シングル 100 30 1.6 0.6 0.3 8.3 40 1.7 x 1.1 N/A
EPC2036 シングル 100 65 0.7 0.17 0.14 3.9 18 0.9 x 0.9 EPC9050
EPC8010 シングル 100 160 0.36 0.130 0.060 2.2 7.5 2.1 x 0.85 EPC9030
EPC2107 ブートストラップを
集積したデュアル
100 320
3300
0.16
0.044
0.065
0.020
0.04
0.004
1.4
0.134
3.8
0.5
1.35 x 1.35 EPC9063
EPC2110 デュアル
共通ソース
120 60 0.8 0.25 0.19 4.9 20 1.35 x 1.35 N/A
EPC2047 シングル 200 10 8.2 2.9 1.8 60 160 4.6 x 1.6 EPC9081
EPC2010C シングル 200 25 3.7 1.3 0.7 40 90 3.6 x 1.6 EPC9003C
EPC2019 シングル 200 50 1.8 0.60 0.35 18 42 2.8 x 0.95 EPC9014
EPC2012C シングル 200 100 1 0.30 0.20 10 22 1.7 x 0.9 EPC9004C

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