EPC Gallium Nitride Automotive AEC Q101 Qualified

自動車

自動車技術は、自動運転車の出現と、駆動力としての電気の推進力でルネッサンス期に入りました。これは、シリコンが電力変換の世界で性能限界に達しているときにも起こっています。

なぜクルマにGaN?

自動車エレクトロニクスは今、eGaNデバイスによる高効率化、高速化、小型化、低コスト化を最大限に活用できるようになりました。すでに、成熟したシリコンMOSFETを超えるGaNの大きな利点を備えたいくつかの大規模なアプリケーションが出現しています:

EPC Automotive Electronics

48 V入力、12 V出力の電力分配システム:

GaNは効率を高め、大きさと重さを削減し、コストを低減します

48 Vバスの電力分配の必要性は、最新のクルマにおいて、電気で駆動され、電力を必要とする新たな機能や装備のすべてが現れて明らかになりました。

例えば:

  • 電子制御アイドリング・ストップ
  • 電動ステアリング
  • 電子制御サスペンション
  • 電動ターボ・スーパーチャージャ
  • インバータ・エアコン
48 V EPC GaN Automotive Applications

そして現在、自動運転車の出現によって、lidar、レーダー、カメラ、超音波センサーなどのシステムが加わり、電力分配システムへの電力需要が大きくなりました。これらの情報は、高性能グラフィック・プロセッサが集め、解釈し、統合し、それをすべて認識するために必要です。これらのプロセッサは、非常に消費電力が大きく、自動車の従来の12 V系分配バスに追加の負担をかけることになります。

48 Vのバス・システムでは、GaN技術は、効率を高め、サイズを縮小し、システム・コストを削減します。.

48 VBUSのリファレンス・デザイン

  型番 構成 VIN VOUT lOUT
(A)
fSW 搭載製品  
EPC9130 Demonstration Board
EPC9130 48 V入力、12 V出力の安定化した非絶縁型バス・コンバータ 36 - 60 12 50 500 kHz EPC2045 購入
EPC9205 Demonstration Board
EPC9205 100 VのGaNパワー・モジュール 48 - 80 10 700 kHz EPC2045 購入

自動運転車向けLidar:

GaNで、より遠くへ、より速く、より高性能に

Lidar(光による検出と距離の測定)は、パルス・レーザーを使って、クルマの周辺にある物の360度の高解像度3次元画像を迅速に提供します。レーザーの速度は、安全な自動走行に必要な非常に高解像度の画像を得る上で非常に重要です。したがって、lidarが高速に動作するほど、周囲の画像の解像度が高くなります

GaN技術は、同等のシリコンMOSFET部品よりも、はるかに高速にレーザー信号を発射するこができます。GaNベースのlidarによって、自動運転車は、基本となる「道路上の目」で、より遠くを、より速く、より高性能に見ることができます。

LiDAR systems Silicon vs. GaN laser driver

Lidarデモ・ボード

型番 構成 VBUS
(最大値)
VINPUT
(最大値)
TPin
(最小値)
Max Pulse (A) 搭載製品
EPC9126 Demonstration Board
EPC9126 大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード 80 5 6 ns 75 EPC2016C (EPC2212) 購入
EPC9126HC Demonstration Board
EPC9126HC 大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード 80 5 6 ns 150 EPC2001C 購入
型番 構成 VDS Max
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
パルスIDのID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
パッケージ
(mm)
ハーフブリッジ開発基板
EPC2206 GaN FET
EPC2206 シングル 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 epc連絡先
EPC2202 GaN FET
EPC2202 シングル 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 購入
EPC2203 GaN FET
EPC2203 シングル 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2212 GaN FET
EPC2212 シングル 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 epc連絡先

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