データセンターの電力

1段の電力変換:48 VからPOL(負荷点)へ

私たちの社会の情報に対する需要は、前代未聞の速度で拡大しています。クラウド・コンピューティングや、さまざまなモノがインターネットにつながるIoT(internet of things)などの新たに出現した技術によって、より多くの情報により高速にアクセスしたいという流れは、減速の兆しが見られません。可能な限り高速に情報を伝送させるものは、主に中央のデータセンターにあるラックやサーバーのラックです。

歴史的に、この急速に拡大する需要をサポートするために必要な電力は、電力系統から来て、複数の変換段を通過し、各段で効率が下がり、そしてデジタル半導体チップの中に残ったエネルギーを実際に供給します。現在、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)技術に基づいたパワー・コンバータの優位性は、直流48 Vの入力電圧を中心に分配する既存のデータセンターや通信アーキテクチャに対して、直流1 V以下の負荷電圧を直接供給するソリューションを実現可能にします。


48 V からPOL(負荷点)へのDC-DC変換用eGaN FET、IC、モジュール
1段の48 Vから POLへのパワー・コンバータの設計に、なぜeGaN FETやIC
  • 小型化と同時に出力電流を増やせます
  • 超低QGDでQRRゼロ=大電流・高電圧で高効率なスイッチング
  • ウエハー・レベルのパッケージ=低インダクタンス、低雑音、低コスト
  • 高周波数スイッチング=小型で安価な受動部品、高速過渡応答
  • 超低容量=軽い負荷で高効率

48 VからPOLへの1段のコンバータ設計向けの推奨デバイス

型番 構成 VDS 最大
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
最大ピーク・パルスID(A)*
パッケージ 購入
EPC2023 シングル 30 1.3 20 5.8 1.9 28 590 6.1 x 2.3 購入
EPC2021 シングル 80 2.5 15 3.4 2.3 63 420 6.05 x 2.3 購入
EPC2022 シングル 100 3.2 13.2 2.4 2.4 71 390 6.05 x 2.3 購入
EPC2105 ハーフブリッジ 80 14.5
3.4
2.5
10
1
3.2
0.50
2
11
55
75
320
6.1 x 2.3 購入

推奨デバイスに対するハーフブリッジ開発基板

型番 概要 VIN ID(最大 RMS) 搭載製品 回路図 ガーバー BOM
(部品表)
購入
EPC9031ハーフブリッジ+ドライバ3040EPC2023購入
EPC9034ハーフブリッジ+ドライバ8027EPC2021購入
EPC9035ハーフブリッジ+ドライバ10025EPC2022購入
EPC9041モノリシックGaNハーフブリッジのパワー段評価8020EPC2105購入

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