イベント

2017年8月29日 - 2017年9月1日
Interpack
場所: 米国カリフォルニア州サンフランシスコ

パネル発表:GaNトランジスタ:パワー・エレクトロニクスの次世代を可能にする 講演者:David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ヂレクタ

ポストシリコンの世界で、GaNは、次のレベルに向けた電力変換を行っています。窒化ガリウム・トランジスタは、多くの電力変換用途の設計に急速に取り入れられています。このパネル発表では、EPCの最新世代のエンハンスメント・モードGaN製品と最終用途を中心に、GaNトランジスタ技術の最先端に関する最新情報を提供します。

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2017年8月29日 - 2017年9月1日
Interpack
場所: 米国カリフォルニア州サンフランシスコ

チップスケール・パッケージに封止した窒化ガリウム・トランジスタの熱的評価 講演者:David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

より高い電力密度を必要とするパワー・コンバータにおいて、トランジスタは、減少し続ける基板スペースに収容されなければなりません。窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの電気的効率を向上させる能力以上に、熱的にも、より高効率でなければなりません。このプレゼンテーションでは、チップスケール・パッケージに封止したエンハンスメント・モードGaN電界効果トランジスタ(eGaN® FET)の熱特性を評価し、回路内での電気的、熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。この論文は、デバイスのパッケージ技術の熱効率を迅速に比較するためのツールとして使うために、設計者に、熱的性能指数(FOM:figure of merit)を提案することで結論とします。

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