イベント

Power Electronics Conference

2017年12月5日
Power Electronics Conference
場所: ドイツのミュンヘン空港のHilton Hotel

GaNは新しい考え方を生み出す 講演者:Steve Colino、ストラテジック・テクニカル・セールス部門バイス・プレジデント

GaNなどのワイドバンドギャップ半導体は、新しいレベルの速度とサイズを提供し、シリコン・ベースの半導体では実現できなかったシステムの選択肢を設計者に提供します。速度の高速化は、より高い周波数と高い電圧を効率的にスイッチングすることを可能にします。この論文では、エンハンスメント・モードGaNの進展を調べ、可能な異なる考え方をいくつか検討します。

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CES 2018

2018年1月9日 - 2018年1月12日
CES 2018
場所: Las Vegas, NV

Consumer Electronics Show (CES) 2018 EPC Hospitality and Demonstration Suite
Smart Home Section,Level 2, in the AirFuel™ Alliance Booth

See, Learn, and Discuss eGaN technology with EPC Experts at CES 2018 in Las Vegas Nevada. EPC will be featured in two show locations, the EPC Hospitality and Demonstration Suite at the Venetian/Palazzo Hospitality Suites and the Smart Home Section,Level 2, in the AirFuel™ Alliance Booth #40140

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Compound Semiconductor International Conference

2018年4月10日 - 2018年4月11日
Compound Semiconductor International Conference
場所: ベルギーのリュッセル

GaNデバイスによる無線充電 講演者:Nick Cataldo、セールス・アンド・マーケティング部門バイス・プレジデント

T高共鳴ワイヤレス・パワー伝送の人気が高まっています。この技術は、給電側と受電側との間の距離、充電時の受電機器の向き、1個の充電器上の複数の機器の同時充電、より高い空電能力など、消費者の不満要因に対処し、人間にとっては安全です。

磁気共鳴システムは、MOSFETの能力をはるかに上回る高い周波数(6.78 MHzまたは13.56 MHz)に調整された疎結合のコイルを使います。さらに、低入出力容量、低寄生インダクタンス、小型など、GaNデバイスの優れた特性は、高効率化に最適です。このプレゼンテーションでは、GaNがワイヤレス・パワーのアプリケーションにもたらす貢献について説明する予定です。

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