イベント

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

APEC 2017:Applied Power Electronicsにおけるプレミア・グローバル・イベント

APECは、パワー・エレクトロニクスの専門家がスキルを高めるための主要な会議と考えられています。APECのプログラムは、あらゆる種類のパワー・エレクトロニクス機器の使用、設計、製造、およびマーケティングにおける幅広いトピックを扱っています。高度な専門家教育セミナー、審査された論文の完全なプログラム、および、溢れんばかりの展示ホールの組み合わせは、相変わらず、毎年の貴重な教育の場となっています。

EPCは、技術セッションに積極的に参加し、会議のフロアに出展します。さらに、EPCは、eGaN®製品やデモ・ユニットを展示すると同時に、お客様とのプライベートなミーティングを行うためのお客様用スイート・ルームを用意しています。

EPCのブース内とお客様用スイート・ルームでの製品デモには、マルチモードのワイヤレス・パワー、自動運転車やAR(拡張現実)向けのLiDAR(光による検出と距離の測定)、データセンター用の48 V入力、1 V出力の1段の電力変換などのアプリケーションに搭載したeGaN FETとICがあります。

APEC 2017でEPCのエキスパートたちとの面会予約は、こちらです

イベントの詳細を見る

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

eGaN FETとICの信頼性評価の進歩によって、メインストリームへの採用の準備が整ったことを実証 講演者:Chris Jakubiec、信頼性と故障解析の担当ディレクタ

Efficient Power Conversion(EPC)のeGaN®FETとICは、2010年以降、量産されています。これらの製品の品質認定や製品化のためには、多くの信頼性データが必要です。パワー・デバイスやチップスケール・パッケージ向けのJEDEC(半導体技術協会)規格のさまざまなストレス・テストに基づいて、多くの累積テスト時間が記録されています。eGaN FETとICを製造する前に完了した一連の厳しいストレス・テストの詳細を説明します。品質認定試験は重要ですが、eGaN FETデバイスの信頼性の究極的な基準は、エンド・ユーザーのアプリケーションで、どれだけうまく信頼性を維持できるかです。フィールド信頼性の経験は、故障モードを含めて詳細に検討されます。チップの信頼性とウエハー・レベル・チップスケール・パッケージ(WLCSP)の基板レベルの信頼性の両方の加速ストレス寿命モデルについては、追加の結果を示します。このプレゼンテーションでは、eGaN FETデバイスは、従来のシリコン・パワー・デバイスに対して測定された信頼性基準を超えることができ、eGaN FETデバイスが主流として採用される準備が整っていることを示します。

イベントの詳細を見る

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

高性能GaNトランジスタを使って48 V入力のサーバー・アーキテクチャを再評価 講演者:David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)集積回路およびディスクリート・トランジスタは、電力システムのエンジニアに、サーバーや通信システムの効率、コスト、電力密度を改善するための新しいツール・セットを提供します。この業界セッションでは、48 Vの入力から最終的な出力先(1 Vのデジタル負荷)に電力を供給する電力システムの設計における特性の新しいベンチマークとさまざまなトレードオフについて検証します。

イベントの詳細を見る

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

ムーアの法則はGaNで生きている 講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、CEO(最高経営責任者)で共同創立者

GaNトランジスタと集積回路の性能は、シリコンの「行け行けドンドン」時代のムーアの法則を思い起こさせる学習曲線の道を登っています。この業界プレゼンテーションでは、48 V入力、1 V出力の1段の変換、無線充電の効率、LiDAR(光による検出と距離の測定)システムの速度において、新世代のGaN技術によって可能になった大幅な特性改善を示します。

イベントの詳細を見る

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

eGaN®FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失:逆回復がないことが、あなたの損失をどのように削減できるか 講演者:John Glaser博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ

ハード・スイッチング、ソフト・スイッチング、高周波の電力変換などのさまざまなアプリケーションにおいて、eGaN FETとシリコンMOSFETのいくつかの比較をします。これらの研究によって、eGaN FETは、シリコンMOSFETよりも高い効率と高い電力密度で大きな利点があることが示されます。このプレゼンテーションでは、同期整流器(SR)としてのeGaN FETの利用とデッドタイム管理の重要性に焦点を当てます。

イベントの詳細を見る

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタのゲート駆動の過電圧管理手法を評価 講演者: David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、多くのサプライヤから市販されており、この市場は拡大しています。主流のGaN技術は、ノーマリオフのエンハンスメント・モード(eモード)・パワー・トランジスタです。eモードGaNトランジスタを実装する主な設計上の課題の1つは、ゲート駆動回路、特にGaNトランジスタのゲートのピーク電圧の管理です。この論文では、eモードGaNトランジスタのゲート駆動設計の基礎を説明し、ゲートの過電圧を管理するさまざまな方法を評価し、ハーフブリッジ構成でゲートの過電圧を効果的に管理する新しいソリューションを提案します。

イベントの詳細を見る

2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

eGaN®FETとeGaNゲート・ドライバICを使ったワイヤレス・パワー用E級アンプ 講演者:Yuanzhe Zhang博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ

eGaN FETはすでに、DC-DCコンバータなどの多くのアプリケーションにおいて、MOSFETを上回る優れた特性を発揮しています。さらに、高共鳴ワイヤレス・パワー伝送、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡などの新しいアプリケーションも可能にしています。GaNの普及が加速しており、その優位性は費用便益比の向上によって加速されています。ゲート・ドライバの可用性の向上や、ディスクリート・デバイスのモノリシックICへの集積化など、魅力的な目標によってコスト・メリットを一段と向上できる可能性があります。第1段階は、1つのチップ上にハーフブリッジやサポート用FETのような複数のパワーFETを集積化するという形で行われました。次のレベルの集積化には、ゲート・ドライバ、または、より複雑な機能が含まれています。パナソニックのシンプルなゲート・ドライバを備えた集積化FETや、独Dialog Semiconductor社のアナログと論理回路を集積化した650 Vのハーフブリッジがその例です。

GaN FETの横型構造は、スタンドアロンのゲート・ドライバのようなASIC機能を含む回路の集積化に適しています。このプレゼンテーションでは、高周波で使用可能な新しいローサイドだけのeGaNドライバICを紹介し、これは、最終的に、FETとドライバの完全なモノリシック化に利用されます。このeGaNドライバICの特性は、33 W対応のワイヤレス・パワー伝送のアプリケーションで6.78 MHzで動作する差動モードE級アンプで実証します。

イベントの詳細を見る

2017年3月29日 11:15 - 11:45
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

効率的な電力変換のためのGaNトランジスタ 講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、CEO(最高経営責任者)で共同創立者

ポストシリコンの世界では、GaNは、次のレベルでの電力変換を行っています。窒化ガリウム・トランジスタは、多くの電力変換用途の設計に急速に広まっています。このセミナーでは、EPCの最新世代のエンハンスメント・モードGaN製品と、高電力密度DC-DCコンバータ、高周波包絡線追跡、LiDAR(光による検出と距離の測定)、ワイヤレス・パワー伝送などの最終用途のアプリケーションを中心に、GaNトランジスタ技術の最先端に関する最新情報を説明します。

イベントの詳細を見る

2017年5月16日 - 2017年5月18日
PCIM Europe 2017 Conference
場所: ドイツのニュルンベルグ

チップスケールeGaN®FETを採用した製造可能で信頼性の高いプリント回路基板の設計 講演者:Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

ニュルンベルクで開催されるPCIMは、パワー・エレクトロニクスとそのアプリケーションの駆動技術および電力品質の専門家の国際会議の場です。参加者は、会議で最新のパワー半導体、受動部品、熱管理のための製品、新素材とセンサー、サーボ技術、電力品質やエネルギー管理に関連する製品を見つけることができます。

EPCは、会議中に、ポスター・セッション/対話セッションに積極的に参加する予定です。

イベントの詳細を見る

2017年6月27日 - 2017年6月29日
PCIM Asia 2017 Conference
場所: 上海、中国

大出力、高共鳴ワイヤレス・パワー伝送向けの6.78 MHzのアンプ構成を比較 講演者:Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

33 WでAirFuel™クラス4 [1] 規格に基づく6.78 MHzで動作しながら、小型ノート・パソコンに電力を供給して充電するために、高共鳴ワイヤレス・パワー伝送が可能なeGaN®FETを使って構成した差動モードE級とZVSのD級の各構成を実験的に検証し、比較しました。この結果、周囲温度25℃で動作しながら、FETの電圧定格の80%を超えることなく、または、温度制限の100℃を超えることなく、負荷電力の全範囲にわたって効率85%を超えるアンプを、いずれの構成でも達成できることを示します。

イベントの詳細を見る