イベント

2017年3月1日 11:00 - 12:00
IEEE IASの教育ウエビナ・シリーズ
場所: IEEEウエビナ・シリーズ

ウエビナ:ムーアの法則はGaNで生きている 講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、CEO(最高経営責任者)で共同創立者

11:00 am東部標準時(ニューヨーク、GMT-05:00)

GaNトランジスタと集積回路の特性は、シリコンの「行け行けドンドン」時代のムーアの法則を思い起こさせる道筋で学習曲線を上っています。この業界のプレゼンテーションでは、48 V入力、1 V出力の1段の変換、無線充電の効率、LiDAR(光による検出と距離の測定)システムの速度において、新世代のGaN技術によって可能になった大幅な特性改善を示します。

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2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

APEC 2017:Applied Power Electronicsにおけるプレミア・グローバル・イベント

APECは、パワー・エレクトロニクスの専門家がスキルを高めるための主要な会議と考えられています。APECのプログラムは、あらゆる種類のパワー・エレクトロニクス機器の使用、設計、製造、およびマーケティングにおける幅広いトピックを扱っています。高度な専門家教育セミナー、審査された論文の完全なプログラム、および、溢れんばかりの展示ホールの組み合わせは、相変わらず、毎年の貴重な教育の場となっています。

EPCは、技術セッションに積極的に参加し、会議のフロアに出展します。さらに、EPCは、eGaN®製品やデモ・ユニットを展示すると同時に、お客様とのプライベートなミーティングを行うためのお客様用スイート・ルームを用意しています。

EPCのブース内とお客様用スイート・ルームでの製品デモには、マルチモードのワイヤレス・パワー、自動運転車やAR(拡張現実)向けのLiDAR(光による検出と距離の測定)、データセンター用の48 V入力、1 V出力の1段の電力変換などのアプリケーションに搭載したeGaN FETとICがあります。

APEC 2017でEPCのエキスパートたちとの面会予約は、こちらです

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2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

eGaN FETとICの信頼性評価の進歩によって、メインストリームへの採用の準備が整ったことを実証 講演者:Chris Jakubiec、信頼性と故障解析の担当ディレクタ

Efficient Power Conversion(EPC)のeGaN®FETとICは、2010年以降、量産されています。これらの製品の品質認定や製品化のためには、多くの信頼性データが必要です。パワー・デバイスやチップスケール・パッケージ向けのJEDEC(半導体技術協会)規格のさまざまなストレス・テストに基づいて、多くの累積テスト時間が記録されています。eGaN FETとICを製造する前に完了した一連の厳しいストレス・テストの詳細を説明します。品質認定試験は重要ですが、eGaN FETデバイスの信頼性の究極的な基準は、エンド・ユーザーのアプリケーションで、どれだけうまく信頼性を維持できるかです。フィールド信頼性の経験は、故障モードを含めて詳細に検討されます。チップの信頼性とウエハー・レベル・チップスケール・パッケージ(WLCSP)の基板レベルの信頼性の両方の加速ストレス寿命モデルについては、追加の結果を示します。このプレゼンテーションでは、eGaN FETデバイスは、従来のシリコン・パワー・デバイスに対して測定された信頼性基準を超えることができ、eGaN FETデバイスが主流として採用される準備が整っていることを示します。

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2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

高性能GaNトランジスタを使って48 V入力のサーバー・アーキテクチャを再評価 講演者:David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)集積回路およびディスクリート・トランジスタは、電力システムのエンジニアに、サーバーや通信システムの効率、コスト、電力密度を改善するための新しいツール・セットを提供します。この業界セッションでは、48 Vの入力から最終的な出力先(1 Vのデジタル負荷)に電力を供給する電力システムの設計における特性の新しいベンチマークとさまざまなトレードオフについて検証します。

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2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

eGaN®FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失:逆回復がないことが、あなたの損失をどのように削減できるか 講演者:John Glaser博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ

ハード・スイッチング、ソフト・スイッチング、高周波の電力変換などのさまざまなアプリケーションにおいて、eGaN FETとシリコンMOSFETのいくつかの比較をします。これらの研究によって、eGaN FETは、シリコンMOSFETよりも高い効率と高い電力密度で大きな利点があることが示されます。このプレゼンテーションでは、同期整流器(SR)としてのeGaN FETの利用とデッドタイム管理の重要性に焦点を当てます。

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2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタのゲート駆動の過電圧管理手法を評価 講演者: David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、多くのサプライヤから市販されており、この市場は拡大しています。主流のGaN技術は、ノーマリオフのエンハンスメント・モード(eモード)・パワー・トランジスタです。eモードGaNトランジスタを実装する主な設計上の課題の1つは、ゲート駆動回路、特にGaNトランジスタのゲートのピーク電圧の管理です。この論文では、eモードGaNトランジスタのゲート駆動設計の基礎を説明し、ゲートの過電圧を管理するさまざまな方法を評価し、ハーフブリッジ構成でゲートの過電圧を効果的に管理する新しいソリューションを提案します。

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2017年3月26日 - 2017年3月30日
IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2017
場所: 米国フロリダ州タンパ

Wireless Power Class E Amplifier using a eGaN® FET and eGaN Gate Driver IC Speaker: Yuanzhe Zhang, Ph.D., Director of Applications Engineering

eGaN FETs have already proven their ability to outperform MOSFETs in many applications such as DC to DC converters. In addition, they are also enabling new applications such as highly resonant wireless power transfer, LiDAR, and envelope tracking. Widespread adoption of GaN is accelerating, and that acceleration is fueled by advances in the cost-benefit ratio. Opportunities for additional cost benefits can come from fertile targets such as improved gate driver availability, as well as the integration of discrete devices into monolithic ICs. The first level of integration came in the form of multiple power FETs, such as a half-bridge and a support FET on a single die. Next levels of integration involve gate driver or more complex functions. The integrated FET with simple gate driver from Panasonic and the integrated 650V half-bridge with analog and logics from Dialog Semiconductor are examples.

The lateral structure of GaN FETs lends itself well for circuit integration including ASIC functions such as a stand-alone gate driver. This presentation will introduce a new low-side only eGaN driver IC that can be used at high frequency and will ultimately be used for full monolithic integration of a FET plus a driver. The performance of this eGaN driver IC will be demonstrated in a differential-mode class E amplifier operating at 6.78MHz in a 33 W capable wireless power transfer application.

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2017年5月16日 - 2017年5月18日
PCIM Europe 2017 Conference
場所: ドイツのニュルンベルグ

チップスケールeGaN®FETを採用した製造可能で信頼性の高いプリント回路基板の設計 講演者:Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

ニュルンベルクで開催されるPCIMは、パワー・エレクトロニクスとそのアプリケーションの駆動技術および電力品質の専門家の国際会議の場です。参加者は、会議で最新のパワー半導体、受動部品、熱管理のための製品、新素材とセンサー、サーボ技術、電力品質やエネルギー管理に関連する製品を見つけることができます。

EPCは、会議中に、ポスター・セッション/対話セッションに積極的に参加する予定です。

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2017年6月27日 - 2017年6月29日
PCIM Asia 2017 Conference
場所: Shanghai, China

Comparison of 6.78 MHz Amplifier Topologies for High Power, Highly Resonant Wireless Power Transfer Presenter: Michael de Rooij, Ph.D., Vice President of Applications Engineering

Experimentally verified differential mode versions of the class E and ZVS class D topologies, built using eGaN® FETs, capable of highly resonant wireless power transfer to power and charge small laptop computers while operating at 6.78 MHz based on the AirFuel™ Class 4 [1] standard at 33 W are compared. The results show greater than 85% amplifier efficiency over the entire full power load range capability can be achieved for either topology without exceeding 80% FET voltage rating or 100°C thermal limit while operating in a 25°C ambient.

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