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Efficient Power Conversion(EPC)、米国バージニア州ブラックスバーグのGaN FETとICのアプリケーション・センターの開設を発表、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を採用

Efficient Power Conversion(EPC)、米国バージニア州ブラックスバーグのGaN FETとICのアプリケーション・センターの開設を発表、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を採用

GaN®FETとICの幅広いアプリケーションの研究に加え、その利用と評価に関してEPCの顧客をサポートするために、アプリケーション・センターの開設し、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を採用したと発表しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年1月26日、米国バージニア州ブラックスバーグにアプリケーション・センターを開設したと発表しました。このセンターでは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・トランジスタとICのアプリケーションの研究開発をサポートするために、EPCの守備範囲を拡大する予定です。GaN技術は、従来のFETやICの電力変換アプリケーションに加えて、ワイヤレス・パワー伝送, 自動運転車用LiDAR(光による検出と距離の測定)、周波数帯域が高い4Gや5Gの通信用包絡線追跡などの新たに出現したアプリケーションを可能にしています。

このセンターの開設を支援するために、シニア・アプリケーション・エンジニアとしてSuvankar Biswas博士を任命しました。Biswas博士の経歴には、太陽光発電モジュール、系統連系インバータ、および蓄電池を統合するためのコンバータ構成に関する仕事があります。さらに、Suvankar氏は、モバイル機器での電力回収の統合、モバイル・プラットフォーム・レベルのシステムにおける電力供給アーキテクチャ、プラグイン・ハイブリッド車、および、それらのスマート・グリッドとの接続性に関する研究経験もあります。米国電気電子学会IEEEの活発なメンバーであり、査読済みの掲載された論文が多数あります。Biswas博士は、インド工科大学カラグプル校で電気工学学士号を取得し、米ミネソタ大学で博士号を取得しました。

「ブラックスバーグ・アプリケーション・センターの開設は、eGaN技術に基づくソリューションを設計し、MOSFETやLDMOSを超えるeGaNトランジスタの優れた特性を実証するときに、顧客とのパートナーシップに注力するための当社の継続的な取り組みの重要な要素です。窒化ガリウムに基づくソリューションの採用が広く急速に進んでいる現在、Biswas博士が当社に加わることを非常に喜んでいます」とCEO(最高経営責任者)で共同設立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

EPCのブラックスバーグ・アプリケーション・センターが拡大し続けるための職種がいくつかあり、人材募集のページをご覧ください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、joe.engle@epc-co.com

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。