eGaNドライバとコントローラ

EPCは、GaNにエンハンスメント・モードを導入し、電力変換市場に旋風を巻き起こし、新しいアプリケーションを可能にしています。GaN FETは、成熟したシリコンMOSFETと比べて、はるかに小さい実装面積で、より高速なスイッチング速度を実現しています。最適化されたゲート駆動ICとコントローラは、ゲームを変えるこの新しい技術から十分な利点を引き出すことに役立ちます。ゲート駆動要件の詳細な説明については、ホワイト・ペーパー「eGaN® FET Drivers and Layout Considerations」をご覧ください。

半導体サプライヤが、eGaN FETのために特別に最適化したドライバICを続々と製品化するにつれて、シリコンからeGaN技術へと移行する仕事は、より簡単で、よりコスト効率が高くなるでしょう。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaN Drivers and Controllers
 
型番機能メーカー概要
NCP4305コントローラ米オン・セミコンダクター社2次側同期整流コントローラ
TPS53632Gゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社48VのGaNのDC/ DCコンバータ用ハーフブリッジD-CAP+コントローラ
FBS-GAM01-P-R100ゲート・ドライバFreebird SemiconductorRadiation Hard Low Side Integrated 12 A 100 V De-rated GaN Driver
FBS-GAM01-P-R50ゲート・ドライバFreebird SemiconductorRadiation Hard Low Side Integrated 12 A 50 V De-rated GaN Driver
FBS-GAM04-P-R50ゲート・ドライバFreebird SemiconductorRadiation Hard Dual Low Side Integrated 10 A 50 V De-rated GaN Driver
ISL70040SEH ゲート・ドライバルネサスエレクトロニクス耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバ
LM5113ゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ
LMG1020ゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社5 V、7 A / 5 Aで速度60 MHz / 1nsローサイドGaNドライバ
LMG1205ゲート・ドライバ 米テキサス・インスツルメンツ社1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ
LMG1210ゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバ
PE29102ゲート・ドライバ米Peregrine社高速FETドライバ、40 MHz
UCC27611ゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ
uP1966Aゲート・ドライバシンガポールのuPI Semiconductor社eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ
Si827xGB-IM絶縁ゲート・ドライバ米シリコン・ラボラトリーズ社4 AのISOdriver。GaN用途では、低UVLOは接尾辞「GB」、5×5 mmのLGAパッケージは接尾辞「IM」。
FBS-GAM02-P-R50パワー段米Freebird Semiconductor社50 V / 10 Aの耐放射線特性を強化した多機能パワー・モジュール
LMG5200パワー段米テキサス・インスツルメンツ社80 VのGaNハーフブリッジのパワー段
FBS-GAM01P-R-PSEゲート・ドライバFreebird Semiconductor