eGaNドライバとコントローラ

  

EPCは、GaNでエンハンスメント・モードを実現しました。これは即座に、高周波、かつ小さいデューティ比の電力変換における効率において、常識をくつがえす改善を実現可能にします。このゲームのルールを変える新しい技術から十分な御利益を引き出すために、設計者は、最初にeGaN FET特有の駆動要件を理解しなければなりません。ゲート駆動要件の詳細な説明については、ホワイト・ペーパー「eGaN® FET Drivers and Layout Considerations」をご覧ください。

半導体サプライヤが、eGaN FETのために特別に最適化したドライバICを続々と製品化するにつれて、シリコンからeGaN技術へと移行する仕事は、より簡単で、よりコスト効率が高くなるでしょう。
以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

型番機能メーカー概要
LM5113 ゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ
LM5114ゲート・ドライバテキサス・インスツルメンツ社ピーク電流7.6 Aの単一ローサイド・ゲート・ドライバ
UCC27611ゲート・ドライバテキサス・インスツルメンツ社4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ
NCP4305コントローラ米オン・セミコンダクター社2次側同期整流コントローラ
TPS53632Gゲート・ドライバ米テキサス・インスツルメンツ社48VのGaNのDC/ DCコンバータ用ハーフブリッジD-CAP+コントローラ