eGaN®のFETとICのプロダクト・セレクタ・ガイド

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周波数能力の向上と超低オン抵抗RDS(ON)によって、eGaN FETと集積回路は、標準的なシリコンMOSFETを使うアプリケーションの特性を向上させ、シリコン技術では達成できなかったアプリケーションを実現可能にします。 GaNデバイスは、スペースを節約し、効率を向上させ、製造効率を高め、より低いシステム・コストに貢献します。