アセンブリの資料

eGaN FETは、電力変換効率において最先端を歩んでいます。このベンチマークとなる特性を実現するうえで、これらFETがチップスケールのランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージに封止されていることが大きな特徴の一つです。これは、回路基板のスペースを削減し、浮遊インダクタンスや寄生抵抗を低減します。以下の資料で、基板へのLGAパッケージ実装方法についてご紹介いたします。

EPCのeGaN FETは、フルブリッジ、ハーフブリッジ、バックコンバータ、昇圧コンバータ、PFC(力率改善)、フライバックコンバータ、フォワードコンバータ、LLCコンバータなど、様々なトポロジーで使うことが出来、これまでのシリコンパワーMOSFETと比べて特性を大幅に改善することが出来ます。