トレーニング・ビデオ

我々は、シリコンパワーMOSFETの30年間の開発の経験によって、新しい技術を使うためにはそれが容易に導入されることを示すことが大事だと知りました。EPCは、当社顧客の設計の中でeGaN FETの十分な能力を引き出すことを支援するために、容易にアクセス可能な製品のトレーニング資料を広く取りそろえています。

EPCのeGaN 技術は、新規で重要なアプリケーションを可能にします

短いビデオのこのシリーズで、EPCのアプリケーション・エンジニアリングのエキスパートたちは、顧客が現在、市場に出している製品を含む広範なアプリケーションにおけるeGaN® FETとICを紹介します。

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GaNの上級学習シリーズ

このビデオ・シリーズは、GaNトランジスタを使うための設計の基礎と信頼性情報を提供するだけでなく、開発基板をワーキング・プロトタイプに変更するための方向性を提供します。さらに、このシリーズでは、通信/データ通信システム用DC-DC変換など、広く利用されているパワー・エレクトロニクスのアプリケーションにおけるGaNトランジスタの利用に関する実例を示し、無線充電システムにおけるGaNデバイスの利用に関する2本のビデオも含まれています。

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GaNの利用法の教育シリーズ

EPCの「GaNの利用法」の教育シリーズは、窒化ガリウム技術に対するあなたの学習曲線を加速することを目指しています。高性能GaNパワー・トランジスタに関する理論と現実世界のアプリケーションを取り上げます。

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ビデオ・プレゼンテーション
Spirit Tech Talk with EPC
Spirit's Marti McCurdy and EPC's CEO Alex Lidow discuss the performance and cost benefits of gallium nitride over silicon and how leading companies the world over work with EPC to develop their next gen technologies with the power of GaN.

オーディオ・プレゼンテーション
GaNが、シリコンを超える性能において、もう1段の飛躍を遂げる
EPCの最新世代のeGaN技術は、デバイスの面積が半分になった上で、特性が3倍になります。このコスト削減と特性向上は、eGaN®FETおよびICと、成熟したシリコン・パワーMOSFETとの間の性能とコストのギャップを拡大する「好循環」を作り出します。EPCの使命は、これまでも、そして依然として、同等のシリコンよりも高性能で、かつ低コストの製品を開発することです。2010年に製品化された当社の第1世代品は、この約束の最初の半分を成し遂げました。第4世代までに、コストのしきい値を超え、後ろを振り返ることはありません。今、この第5世代で、性能とコストの両面でさらにギャップを広げ、GaNがシリコンを粉砕するという私たちの主張を裏付けています。