GaNの利用法の教育シリーズ

EPCの「GaNの利用法」の教育シリーズは、窒化ガリウム技術に対するあなたの学習曲線を加速することを目指しています。高性能GaNパワー・トランジスタに関する理論と現実世界のアプリケーションを取り上げます。

利用可能なモジュール:

HTG01イントロダクション:材料の比較HTG01イントロダクション:材料の比較
このイントロダクションは、なぜ窒化ガリウムが卓越した新しい半導体材料なのか、についての基本的な理解を助けます

HTG02イントロダクション:動作特性HTG02イントロダクション:動作特性
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタの特性が、どうして、成熟するパワーMOSFETよりも優れた電気的特性になるのかを探ります

HTG03設計例:ハード・スイッチング用途HTG03設計例:ハード・スイッチング用途
ハード・スイッチング用途でのeGaN FETの利点

HTG04設計例:ソフト・スイッチング用途HTG04設計例:ソフト・スイッチング用途
ソフト・スイッチング用途でのeGaN FETの利点

HTG05設計の基礎:ゲート駆動HTG05設計の基礎:ゲート駆動
eGaN FET用ゲート駆動の要求と電流のソリューション

HTG06設計の基礎:レイアウトHTG06設計の基礎:レイアウト
パワー・トランジスタ用パッケージ技術と、eGaN FETの低インダクタンスLGAパッケージから適切な恩恵を受けるためのレイアウト技術の進展

HTG07設計の基礎:デッドタイム管理HTG07設計の基礎:デッドタイム管理
デッドタイムが特性に及ぼす影響と、現実のアプリケーションにおいてeGaN FETの特性を最適化するためのデッドタイム管理技術

HTG08設計の基礎:熱の管理HTG08設計の基礎:熱の管理
現実のアプリケーションにおいてeGaN FETの特性を最適化するための熱の管理技術

HTG09設計の基礎:測定HTG09設計の基礎:測定
eGaN FETのための測定技術

HTG10設計の基礎:プロトタイプ製作HTG10設計の基礎:プロトタイプ製作
当社の標準的な開発基板の1つを作業用プロトタイプに変える方法

HTG11将来への展望HTG11将来への展望
GaNは、どこへ行くのか?