プレゼンテーション

  

2016年11月14日
グローバルみずほインベストメントコンファレンス(MIC)
場所:米国ニューヨーク州ニューヨーク

「米国、日本、アジアとの架け橋となる」
講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、CEO(最高経営責任者)で共同創立者、Efficient Power Conversion、Keith Adams、CFO(最高財務責任者)、Efficient Power Conversion

1対1の設定で、上級管理職と、エネルギー、財務、医療、産業、リート(REIT)、テクノロジー・メディア・通信(TMT)、消費者、公益事業の各部門に対してグローバルに概観します。

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2016年10月3日
International Workshop on Power Supply On Chip (PwrSoC)
場所:スペインのマドリード

「先進的な電力変換システムにおけるGaNオン・シリコン技術のアプリケーション」
講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、EPC社のCEO(最高経営責任者)で共同創立者

最初のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタが初めて顧客に届けられてから7年以上経っており、その間に、この技術は、シリコン集積回路の初期のころを彷彿とさせるスピードで進歩しています。今日では、多くの顧客が、包絡線追跡、ワイヤレス・パワー、LiDAR(光による検出と距離の測定)、医療用画像処理、エネルギー効率の高い照明、太陽光発電用インバータ、AC-DC変換、DC-DC変換などのアプリケーションにGaNオン・シリコンを使うシステムを生産しています。いくつかの企業によって現在生産されているこれらのディスクリート・トランジスタは、高性能で低コストという約束を果たしてきました。次の大きな技術の飛躍は、窒化ガリウム・オン・シリコン集積回路、さらにシリコンMOSFETやLDMOSパワー・トランジスタと比べて、性能とコストのギャップを広げることです。この論文では、最新のGaN集積回路、主要なアプリケーションでのメリットの定量化を説明し、より複雑かつ高機能化に向けたロードマップを示します。

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2016年3月24日
Applied Power Electronics Conference
場所:カリフォルニア州ロングビーチ

「4G携帯電話の基地局用包絡線追跡GaN電源」
講演者:Yuanzhe Zhang、米国のコロラド大学

この論文では、4G携帯電話の基地局向けに、EPC社のeGaN® FETを使う包絡線追跡ET(envelope tracking)電源を説明します。設計の最適化のために解析モデルが開発され、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)技術を用いた単相同期バック・コンバータで検証しました。そして、このモデルは、4相に拡張され、20 MHzの大信号帯域幅を備える60 Wの包絡線追跡電源の設計に使われました。1相当たり25 MHzのスイッチング周波数で測定した静的な電力段の効率のピークは、30 Vから供給された出力電力68 Wにおいて96.5%です。実験結果では、30 Vから62 Wの平均電力を供給したときの効率が92%で、20 MHz、7dBのPAPR(ピーク電力対平均電力比)のLTE包絡線を正確に追跡していることを実証しています。

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2016年3月23日
Applied Power Electronics Conference
場所:カリフォルニア州ロングビーチ

「チップスケール・パッケージに封止した窒化ガリウム・トランジスタの熱特性の評価」
講演者:David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、常に小さくなる基板スペースに収容されなければなりません。窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・トランジスタの能力は電気的効率を向上させますが、それ以上に、熱的にもより効率的でなければなりません。この論文では、チップスケール・パッケージに封止したエンハンスメント・モードGaN電界効果トランジスタ(eGaN® FET)の熱特性を評価し、回路内での電気的特性と熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。この論文は、デバイスのパッケージング技術の熱効率を素早く比較するためのツールとして設計者が使える熱的な性能指数FOM(figure of merit)を提案して結論とします。

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2016年3月22日
Applied Power Electronics Conference
場所:カリフォルニア州ロングビーチ

「高共鳴ワイヤレス・パワーを狙ったeGaN ICの紹介」
講演者: Michael de Rooij博士、アプリケーション部門バイス・プレジデント

EPCは、これまでに、さまざまなアンプの回路構成において無線エネルギー伝送を可能にするためのeGaN FETの能力を実証しました。低出力インピーダンスと、広い負荷インピーダンス範囲を駆動する能力によって、ZVSのD級は、これらの用途において特に有望であることを示します。この論文で、EPCは、ZVSのD級構成のアンプの効率を最大化するように特別に設計されたeGaN ICを紹介します。この新しいeGaN ICは、ハーフブリッジ構成と、ゲート・ドライバの誘起された逆回復損失を排除するために使われる同期ブートストラップFETを搭載しています。

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2016年3月20日
Applied Power Electronics Conference
場所:カリフォルニア州ロングビーチ

専門家向け教育セミナー:「48 Vから負荷電圧を得る:GaNトランジスタで低電圧DC-DCコンバータの特性を向上」
講演者:Alex Lidow博士、共同創立者でCEO(最高経営責任者)、David Reusch博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ、John Glaser博士、アプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)パワー半導体は、増え続ける電力変換のアプリケーションに採用されています。この技術が急速に発展して、現場での製品の経験が拡大しています。このチュートリアルでは、GaN技術、GaNトランジスタの構造、最新の電気的特性の概要など、GaN技術の最先端の議論から始めます。

このチュートリアルは、ドライバ、レイアウト、並列化、デッドタイム管理、熱の考察を含むGaNトランジスタの基本的な設計の基礎へと続きます。基本的な設計に続いて、48 V入力、1 V出力のネットワーク/通信用の電源に焦点を当てた設計例となります。異なるアーキテクチャを比較し、GaNトランジスタの利点は、48 V入力から負荷へのさまざまなアプローチにおいてSi MOSFETを超えることを定量化します。

このチュートリアルでは、この比較的若いこの技術の将来を展望し、既存のアプリケーションの特性を向上させる可能性や、成熟したシリコンMOSFETでは実現できない新しいアプリケーションが可能になることを示して結論とします。GaN技術は、ディスクリート・トランジスタを超えて、完全に集積化された回路へと発展し、電力変換特性の水準を高めるGaNの可能性も説明します。

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2015年9月29日
Darnell’s Energy Summit
場所:カリフォルニア州ロサンゼルス

プレナリー・セッション:「GaNの効果:GaNは私たちの生活をどのように変えるのか」
講演者:Alex Lidow博士、CEO(最高経営責任者)で共同創立者

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、6年以上にわたって市販されており、充電器や電源コードを不要にしています。GaN技術は、高速無線データ、より良い自動車、優れた健康管理を可能にしています。この講演では、GaNパワー・デバイスによる最先端のアプリケーションを概観し、この技術のロードマップに対する見解を発表します。

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2015年9月20日 - 2015年9月24日
IEEE Energy Conversion Congress & Expo
場所:カナダのケベック州モントリオール

「モノリシックのハーフブリッジGaN ICでDC-DCコンバータの高周波特性を向上」
講演者:David Reusch博士、アプリケーション部門ディレクタ

GaNパワー・トランジスタの急速な発展は、高周波電力変換において、新しい能力を可能にし続けています。この論文では、eGaN® FETのモノリシック集積化における最新の技術の進歩の1つを評価します。GaNパワー・トランジスタのモノリシック集積化の利点を、寄生要素の低減、チップ・サイズの最適化、熱特性に関して説明します。30 VのeGaNモノリシック・ハーフブリッジ(HB)ICを搭載し、スイッチング周波数1 MHz、最大出力電流40 Aで動作する12 V入力、1 V出力のバック・コンバータの実験結果を示します。80 VのeGaNモノリシックHB ICでは、48 V入力で 1 Vまたは1.8 V出力のPOL(負荷点)コンバータが、最高スイッチング周波数500 kHz、最大出力電流30 Aで動作することを実証します。

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2015年9月6日 - 2015年9月9日
IEEE 82nd Vehicular Technology Conference (VTC2015)
場所:マサチューセッツ州ボストン

「自動車に適した単一アンプのモバイル機器向けマルチモード・ワイヤレス・パワー」
講演者:Ivan Chan、フィールド・アプリケーション・エンジニア

モバイル・アプリケーションへのワイヤレス・パワー製品の急増は、消費者の混乱を招き、この技術の採用を妨げています。モバイル・デバイスのワイヤレス・パワー規格のすべてで動作することができるeGaN® FETベースの簡単な単一アンプ構成を発表します。さらに、eGaN FETの高い信頼性は、このソリューションを車載アプリケーションに適したものにします。この論文では、今回提案した構成を、低周波数(Qi(チー)規格やPMA規格)、および高い周波数(A4WP規格)の両方において優れた特性を実証する実験的検証と共に説明します。

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2015年9月1日
IIC Power Management and Power Semiconductor Conference
場所:中国の深圳

「ZVSのD級アンプにおけるA4WPクラス3ワイヤレス・パワー準拠のためのeGaN® FETとMOSFETの特性比較」
講演者:Larry Chen博士、FAEマネージャ、Efficient Power Conversion社

ZVSのD級アンプを使って、広いインピーダンス範囲にわたって動作させたとき、ワイヤレス・パワー伝送アンプにおいて、eGaN FETは、MOSFETよりも高い効率が得られることを何回かにわたって示しました。この発表では、より低いデバイス・ゲートと同期して駆動されるeGaN FETでハイサイド・ゲート・ドライバのブートストラップ・ダイオードを置き換えることによって、eGaN FETの特性をさらに改善する方法を検討します。ゲート・ドライバ回路として、同じウエハー上にショットキー・ダイオードを集積することは非常に難しいので、ゲート・ドライバに集積化したブートストラップ・ダイオードには、逆回復損失(PQRR)が生じます。周波数に依存する逆回復損失が上側のデバイスで生じるので、アンプの高周波特性を制限します。ゲート・ドライバ内部のブートストラップ・ダイオードを置き換える技術を実装し、eGaN FETベースのZVSのD級アンプを使って評価し、A4WPクラス3の駆動用途に対して±35jΩの広い負荷インピーダンス範囲にわたって動作する同等のMOSFET版と比較します。この結果、eGaN FETベースのアンプの損失は15%~48%減少したことを示し、同等の最高クラスのMOSFETアンプに比べて20 jΩ以上も広い負荷インピーダンス範囲で動作することができました。

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2015年6月24日 – 2015年6月26日
PCIM Asia 2015
場所:中国の上海

「E級アンプにおけるA4WPクラス3準拠のワイヤレス・パワー特性をeGaN® FETとMOSFETで比較」
講演者:Michael de Rooij博士、アプリケーション部門シニア・エグゼクティブ・ディレクタ

E級アンプを共振周波数で動作させるとき、eGaN FETは、ワイヤレス・パワー伝送ソリューションにおいて、より高い効率が得られることを、以前に示しました。さらに、この論文では、反射がある負荷インピーダンスの広い範囲にわたって動作するとき、eGaN FETは、E級アンプにおいて、どのようにMOSFETを上回り続けているか、について検討します。大きな反射インピーダンスは、ワイヤレス・パワー伝送ソリューションでの利便性に対処するA4WP準拠の要件の一部です。A4WPクラス3準拠の全虚数成分は、非常に広く、必要な電流を得るために、両端で非常に高い電圧が必要になります。この評価では、虚数成分の変動が-30jΩから0jΩに低減されるので、A4WP準拠の全範囲+10jΩから-150jΩを制御するための3ビットの離散適応マッチング再同調回路が実現できます。さらに、この特性を、同等のMOSFET版のアンプと比較します。

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2015年5月21日
PCIM EU
場所:ニュルンベルク(ドイツ)

「ZVSのD級アンプにおいて、A4WPクラス3ワイヤレス・パワー準拠の特性をeGaN® FETとMOSFETとの間で比較」
講演者:Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門エグゼクティブ・ディレクタ

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2015年5月20日
PCIM EU
場所:ニュルンベルク(ドイツ)

「車載用途におけるエンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタ」
講演者:Alex Lidow博士、Efficient Power Conversion 社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、5年以上にわたって生産されています。この技術が成熟すると共に、それは、運転席のコックピットの無線充電、LiDAR(光による検出と距離の測定)センシング、EV(電気自動車)などの多くの自動車用途に採用されています。そして、自動車用途での採用は。さらに増えるでしょう。この論文では、電気自動車やハイブリッド車のモーター駆動と同様に、これらの車載用途におけるGaN技術の現在および将来の用途について説明します。各用途における時期や、GaNによる付加価値も説明します。

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2015年5月20日
PCIM EU
場所:ニュルンベルク(ドイツ)

「GaN FET搭載の大電力で完全に安定化された1/8ブリックDC-DCコンバータ」
講演者:John Glaser博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタ

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2015年5月19日
PCIM EU
場所:ニュルンベルク(ドイツ)

「DC-DCの効率と電力密度を向上するためのモノリシックGaNの集積」
講演者:David Reusch博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタn

パワー・コンバータは常に、大出力電力、高効率、高電力密度に向かう傾向があります。特性の改善を実現するためには、より優れたパワー・デバイスが必要とされます。シリコン(Si)のパワー・デバイスの場合、その技術が成熟して特性の向上が減速し、その理論的限界に近づいています [1]。窒化ガリウム(GaN)デバイスは、以前は不可能だった新しい用途を可能にするものとして、さまざまな電力変換用途において、シリコン・デバイスの有力な代替品として出現しています [1] - [4]。この論文では、ディスクリート・デバイスの最新世代による主な改善など、最新のeGaN® FET開発を説明し、比類のない高周波特性を提供するモノリシック・ハーフブリッジICの新しいファミリーを紹介します。このeGaN FETの新しいファミリーは、鍵となるスイッチングの性能指数FOM(figure of merit)の大幅な改善、特性の足かせとなる回路内の寄生成分の継続的な削減、および、改善された熱特性を提供することで、高周波電力変換において、成熟したパワーMOSFETとの特性の差を広げています。

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2015年5月11日 - 2015年5月13日
ISPSD 2015
場所: Hong Kong

プレナリー・セッション:「GaNトランジスタ:ムーアの法則に新しい命を与える」
講演者:Alex Lidow博士、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、5年にわたって市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって独占されていた多くのアプリケーションに浸透してきています。この発表では、GaN技術の最先端と今後数年間にわたって予想される進歩を説明し、ムーアの法則は健在であり、パワー半導体技術の世界では成り立つことを示します。性能、コスト、および信頼性の面で、シリコンを上回るGaNの優位性を列挙します。

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2015年3月15日 - 2015年3月19日
APEC 2015
場所: ノースカロライナ州シャーロット

「低耐圧GaN:初期のアプリケーションへの採用と信頼性達成状況のディスカッション」
業界セッションの講演者:Alex Lidow博士、Efficient Power Conversionの共同創立者でCEO(最高経営責任者)

このプレゼンテーションでは、D級オーディオ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡などの新しく出現したアプリケーションに対して、最新世代のGaNトランジスタから得られる利点を示します。これらのすべての事例は、パワーMOSFETやLDMOSを窒化ガリウム・トランジスタに置き換えるという急激な定向進化をサポートしています。認定試験や加速寿命試験の両方から得られた最新の信頼性結果も示します。

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「ZVS電圧モードD級アンプ、高共鳴無線エネルギー伝送向けのeGaN® FET対応の回路構成」
テクニカル・セッションの講演者:Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

6.78 MHzで動作する高共鳴、疎結合の無線エネルギー伝送システムの人気は、ここ数年で劇的に高まっています [1、2、3、4]。この論文では、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)の電圧モードD級アンプの回路構成を示し [5、6、7]、eGaN FETやMOSFETを使って、その特性を評価します。この比較では、ピーク電力特性、負荷変動特性、負荷安定化特性、デバイス特性への異種金属の影響、および、全動作負荷範囲にわたって最適な特性を確保する送信コイルの調整方法をみていきます。この比較では、2つの異なるコイル・セット、すなわち、A4WPクラス3の送信コイルとカテゴリ3の受信コイルのセットと、WiTricity コイルのセットを使って、実験的に検証します [8]。この論文では、ZVSのD級が無線エネルギー伝送向けのすべての他の回路構成にも優れていることを示す実験的証拠をまとめて結論とします。

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「大電流、高周波のアプリケーション向けに効率的に並列接続した窒化ガリウム・トランジスタ」
講演者:David Reusch博士、アプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、シリコン(Si)・パワーMOSFETの能力を超える周波数およびスイッチング速度で動作することができるので、急速に採用が進んでいます。この論文では、大出力電流が要求されるアプリケーションでの高速GaNトランジスタの並列接続について説明します。具体的には、回路内の寄生成分が特性に与える影響を議論し、高速GaNトランジスタの並列接続特性を改善するためのプリント回路基板のレイアウト方法を提案します。レイアウトを最適化して並列接続した4つのハーフブリッジ構成の48 V入力、12 V出力、480 W、300 kHz、40 A出力の単相バック・コンバータにおいて、35%〜100%の負荷で効率96.5%以上が得られることが実証されます。この論文では、より大きな電流処理能力向けに設計された第4世代のデバイスを含めて、最新のeGaN® FETの開発についても説明します。

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2015年3月11日
Compound Semiconductor International Conference
場所:ドイツのミュンヘン

「GaNトランジスタのコストを引き下げるためにパッケージを捨てる」
基調講演:Alex Lidow博士、共同創立者でCEO(最高経営責任者)

スイッチング・パワー・トランジスタの世界では、半導体を取り囲むパッケージは、常に特性を低下させ、デバイスのコストを増加させます。トランジスタのパッケージに関する顧客の不満をまとめると、主に5つあります:(1)パッケージは、非常に広いスペースを占める、(2)パッケージは、電気的な抵抗を非常に大きくする、(3)パッケージは、インダクタンスを非常に大きくする、(4)パッケージは、熱抵抗を非常に大きくする、(5)パッケージは、コストを非常に高くする。この発表では、なぜ誰もが、パッケージ封止のトランジスタを捨てるべきと考え、上記の不満のそれぞれに対処したチップ・スケールのLGA封止の窒化ガリウム・トランジスタに切り換えるか、その理由を説明します。

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2014年9月23日 - 2014年9月25日
Darnell Energy Summit
場所: バージニア州リッチモンド

プレナリー・セッション:「GaNトランジスタ:ムーアの法則に新しい命を与える」
講演者: Alex Lidow博士;Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上にわたって商用に市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによってこれまで独占されていた多くのアプリケーションに浸透してきています。この発表では、GaN技術の最先端と、今後、数年間にわたって期待される進歩を議論します。パワー半導体技術の世界では、ムーアの法則が生きており、十分に健在であることを示します。さらに、D級オーディオ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡などの新たに出現した用途において、最新世代eGaN® FETから得られる御利益も示します。いずれの場合も、パワーMOSFETやLDMOSから窒化ガリウム・トランジスタへ転換するという急速に進む流れをサポートしています。

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教育セミナー:「高効率電力変換用GaNトランジスタ」
講演者: Alex Lidow博士;Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
David Reusch博士;Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウムは、多くの電力変換用途やRF用途で広く受け入れられ始めています。この技術は急速に発展しており、市場での製品の利用経験が広がっています。このセミナーでは、GaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)がどのように動作するかのAlex Lidow(アレックス・リドウ)による説明で始まり、この分野への多くの新規参入者からの最新技術のアップデートへと続きます。このアップデートには、最新の製造技術、コスト要求と比較、信頼性データ、および加速要因などが含まれる予定です。

続いて、David Reuschが、これらの高性能デバイスの使用方法に関するチュートリアルを行います。高性能で高周波の電力変換向けのドライバ、レイアウト、熱の考察から始まり、次いで、高周波の包絡線追跡(ET:Envelope Tracking)、D級オーディオ、RFアンプ、DC-DCコンバータ、ワイヤレス・パワー伝送など、いくつかのアプリケーション例に移ります。

このセミナーでは、比較的若い技術の将来を見通して終わります。

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テクニカル・セッション:「eGaN® FETを使って、高周波ハード・スイッチング・コンバータの技術水準を押し上げる」
講演者: Johan Strydom博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

ハード・スイッチング時間がサブナノ秒程度のeGaN FETによって、パワー回路の設計者が利用可能なスイッチング周波数範囲が数10MHzへと拡大しています。最大75 V/nsのスルーレートは、パワー・デバイス以外の周囲の部品やレイアウトの寄生成分によるシステム性能の限界を押し上げます。この発表では、これらの限界のいくつかについて説明し、RF包絡線追跡などの高周波ハード・スイッチングのパワー用途に対する最新世代の窒化ガリウム・トランジスタの能力を実証すると同時に、従来のシリコンMOSFETでは現在実現できない効率が得られることを示します。

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テクニカル・セッション:「6.78 MHzのワイヤレス・パワー伝送にeGaN® FETを使用したときのE級とZVSのD級の特性比較」
講演者: Michael de Rooij博士;アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

6.78 MHzで動作し、A4WP規格に準拠した高共鳴ワイヤレス・パワー伝送の人気は、ここ数年で劇的に高まっています。この論文では、eGaN FETを使って実現されたときの2つの一般的な回路構成の候補、すなわち、シングルエンドのE級とZVSのD級を比較します。この比較では、ピーク電力特性、負荷変動時の特性、負荷の安定化特性、金属異物がデバイスの特性に与える影響を見ていきます。この比較は、同じ送電コイルと受電コイルの組み合わせを用いて実験的に検証します。

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テクニカル・セッション:「eGaN® FETを搭載したDC-DCコンバータの進展」
講演者: David Reusch博士;Efficient Power Conversionのアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ

eGaN FETは、電力変換の水準を押し上げ続け、大電力密度、大電流の用途において着実に特性を改善しています。この発表では、大電流用途でGaNデバイスを効果的に並列接続するための技術や、大電力密度のGaNビルディング・ブロックの開発、最新世代のデバイスにおけるeGaN FETの主な改善点などを含めて、eGaN FETを搭載した非絶縁型や絶縁型のDC-DCコンバータにおける最新の開発動向ついて説明します。eGaN FETのこの新しいファミリーは、スイッチングの重要な性能指数FOM(figure of merit)を大幅に向上させ、高周波電力変換において成熟したパワーMOSFETとの特性の差を広げていることから、ムーアの法則が生き続けていることを示します。

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2014年9月4日
IIC China Power Management Conference
場所: 中国の深圳

「パワー・マネージメントとパワー半導体:第4世代eGaN® FET」
講者: 宜普電源轉換公司亞太區FAE總監鄭正一

我們將在本研討會探討採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的直流-直流轉換器應用的最新發展,包括研究新一代氮化鎵器件在性能上所取得的重大改進。第四代氮化鎵器件系列使得摩爾定律復活,由於這些器件在主要開關品質因數方面取得重大增益,因此在高頻功率轉換領域全新的氮化鎵場效應電晶體於性能上可進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將演示的轉換器包括工作在1 MHz開關頻率、取得超過91.5%效率的12 V轉至1.2 V、40 A的負載點(POL)轉換器, 以及工作在300 kHz開關頻率、取得超過98% 效率的48 V轉至12 V、30 A的非隔離型直流-直流中間總綫轉換器。

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2014年9月3日
IEEE PELS Webinar
場所: IEEE Webinar Series

「包絡線追跡用バック・コンバータにeGaN® FETを使う」
講演者: Johan Strydom博士;アプリケーション部門バイス・プレジデント

ディスクリートGaNパワー・デバイスは、MOSFETよりも優れたハード・スイッチング特性が得られ、システム帯域幅の条件が満たされるなら、包絡線追跡用スイッチング・コンバータの開発には極めて重要です。システム特性は、高速ゲート・ドライバやプリント回路基板のレイアウトのような能動パワー・デバイスの外部要因によって影響されます。このセミナーでは、シリコン上の高周波エンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ(eGaN® FET)の最新ファミリーが、いくつかのマルチメガヘルツ・バック・コンバータに登場します。システム・レベルの異なる寄生成分について議論し、その影響を実験結果に基づいて評価しました。

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2014年8月26日
Wireless Power World 2014
場所: 中国の上海

「D級構成の新しいゼロ電圧スイッチングを用いたeGaN® FETベースのワイヤレス・パワー伝送
講演者: Johan Strydom博士;アプリケーション部門バイス・プレジデント

6.78 MHzで動作する高共鳴、疎結合の無線エネルギー伝送システムの人気は、ここ数年で劇的に高まっています。この発表では、E級構成と新しいゼロ電圧スイッチング(ZVS)の電圧モードD級アンプ構成との特性が比較されます。これらの構成は、与えられたコイル・システムに対してMOSFETとeGaN FETの両方を使って実現されています。この比較では、ピーク電力特性、負荷変動時の特性、負荷の安定化特性、金属異物がデバイスの特性に与える影響を見ます。この結果は、CAT3の負荷コイルを用いた同等のA4WPクラス3の効率の結果を示すために拡張されます。

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2014年8月7日
PSMA Webinar
場所: PSMA Roadmap Presentation

「GaNトランジスタ:ムーアの法則に新しい命を与える」
講演者:Alex Lidow博士;Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上にわたって商用に市販されており、成熟したシリコン・パワーMOSFETによってこれまで独占されていた多くのアプリケーションに浸透してきています。この発表では、GaN技術の最先端と、今後、数年間にわたって期待される進歩を議論します。パワー半導体技術の世界では、ムーアの法則が生きており、十分に健在であることを示します。さらに、D級オーディオ、LiDAR(光による検出と距離の測定)、ワイヤレス・パワー伝送、RF包絡線追跡などの新たに出現した用途において、最新世代eGaN® FETから得られる御利益も示します。いずれの場合も、パワーMOSFETやLDMOSから窒化ガリウム・トランジスタへ転換するという急速に進む流れをサポートしています。

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2014年6月17日
PCIM Asia 2014
場所: 中国の上海

「低電力、高周波のE級無線エネルギー・コンバータにおけるeGaN® FETの特性評価」
講演者:Michael de Rooij:アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

EPCは以前に、D級システムを使って、効率70%以上の無線エネルギー伝送を可能にするeGaN FETの能力を実証しました。さらに、EPCは、同じコイルとデバイス負荷を使って、D級を越えて、効率の20パーセント・ポイントの改善を示したE級無線システムで使われるeGaN FETを実証します。この設計は、疎結合コイルでも動作し、6.78MHzのISM帯で動作します。

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2014年6月1日(日)~2014年6月6日(金)
International Microwave Symposium
場所: フロリダ州タンパベイ

「RF PAの効率的な電力供給のためのGaNベースの電源と電源変調器」
講演者:Michael de Rooij:アプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFETは、ノーマリ・オフのスイッチであり、多くのパワー・マネジメントのアプリケーションにおいて、シリコン・パワーMOSFETを急速に置き換えています。これらのワイド・バンドギャップ(WBG)材料の高速スイッチング特性は、これらのスイッチの逆回復特性がないことと合わせて、スイッチングDC-DC電源の高効率化と高電力密度化を可能にします。

このプレゼンテーションでは、eGaN®FETの特性を紹介し、静的スイッチング電源への搭載に対して、今日のシリコン・パワーMOSFETと比較する方法を示します。eGaNのDC-DCパワー・コンバータの実装に重点を置き、RFパワー・アンプの負荷の包絡線追跡やこのほかのアプリケーションの設計に関連した課題に注目します。

この議論では、ベスト・プラクティス設計のフロー、デバイス・サイジングの考察、および負荷条件の正確な予測について詳しく述べます。このプレゼンテーションの終わりには、パワー・マネジメント回路、特にRFアンプへの電力供給に使われたときに、最高の性能を得るためのeGaN FETの利点と重要な設計パラメータについての広い知識を得られるでしょう。

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2014年5月20日(火)~2014年5月22日(木)
PCIM Europe
場所: ニュルンベルク(ドイツ)

「包絡線追跡用eGaN® FETを使うマルチ・メガヘルツのバック・コンバータ」
講演者:Johan Strydom博士: Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門バイス・プレジデント

最大70V/nsのスルー・レートでスイッチング可能なディスクリートのGaNデバイスを備えるシステムの性能は、高速ゲート・ドライバのようなアクティブ・パワー・デバイスや、プリント回路基板のレイアウトといった外部要因によって大きく影響されます。この論文では、高周波エンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ(eGaN® FET)の最新ファミリのマルチ・メガヘルツのバック・コンバータでの使用について示します。これらのデバイスは、ディスクリートのSi MOSFETでは現実的でない高周波ハード・スイッチングのパワー・アプリケーション向けに設計されました。これによって、高電圧で高周波を要求する包絡線追跡(ET:envelope tracking)のようなアプリケーションに使うことが可能になります。最大電圧42V、最大出力40Wでの多くの10MHzのバック・コンバータについてプレゼンテーションします。この論文では、これらのレベルでディスクリート・デバイスを使うスイッチングへの制限も議論します。

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「eGaN® FETベースの無線エネルギー伝送トポロジの性能比較」
講演者:Michael de Rooij博士:Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

ピーク効率70%以上で、同等のMOSFET版よりも全体の効率が4%高い古典的な電圧モードのD級無線エネルギー伝送システムにおけるeGaN FETを、以前、デモンストレーションしました。この論文では、eGaN FETを再び使用し、電流モードのD級、単一出力のE級、新しい高効率電圧モードのD級などのさまざまなトポロジによる高共鳴無線エネルギー伝送において比較します。この比較は、負荷と結合コイルのバリエーションに対する効率と感度に基づいています。各トポロジは、同じデバイスの整流器で、信号源とデバイス・コイルの同じ組み合わせを使って、実験的にテストされます。各実験装置は、6.78MHz(ISM帯)において疎結合コイルで動作し、15Wと30Wの間(トポロジによる)の電力を供給します。各アンプの設計は、COSSのようなデバイス・パラメータがコイルまたは整合ネットワークの中に吸収されることができる方法に注目しています。

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「大電流アプリケーション向けの並列動作する高速GaNトランジスタの特性改善」
講演者:David Reusch博士: Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワーMOSFETの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので、急速に採用されています。この論文では、より大きな出力電流が必要なアプリケーションでの並列接続した高速GaNデバイスについて議論します。ここでは、特性への回路内の寄生要素の影響について議論し、高速GaNトランジスタの並列接続時の特性を改善するプリント回路基板のレイアウト方法を提案します。35%から100%の負荷で効率96.5%以上を達成する最適化された並列接続のレイアウトを行ったスイッチング周波数300kHzで動作する48Vから12Vへの480W、40Aのバック・コンバータをデモンストレーションします。

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2014年5月27日
ECTC 2014
場所: フロリダ州レイクブエナビスタ

「無銭エネルギー伝送:テクノロジー•ドライバ」
講演者: Michael de Rooij博士、アプリケーション部門エグゼクティブ・ディレクタ

ワイヤレス・パワー伝送システムの特別セッション

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2014年4月10日
International Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
場所: 台湾の新竹

「GaNでシリコンを粉砕」
講演者:Alex Lidow博士: Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

最初の窒化ガリウム・トランジスタが、商用のDC-DCアプリケーションにおいて、パワーMOSFETの置き換えとして製品化されて以来、4年が経ちました。それ以来、この新しい技術は、大きな関心を集め、開発と商用化の急速な進展がありました。多くの製品が発表され、さらに多くの製品が発表間近です。シリコンは後退しています。この講演では、GaN技術の重要な――そして驚くべき――新しいアプリケーションや、市場に出回っている最新の製品、最新の今後のロードマップ、および、パワーMOSFETやSiCと比較した相対的な競争力に関するアップデートを行います。

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2014年4月04日
GOMAC Tech
場所: サウスカロライナ州チャールストン

「高周波DC-DC変換向けの耐放射線特性を強化したエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FET」
講演者:Alex Lidow博士: Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

エンハンスメント・モードのGaNオン・シリコン(eGaN)FETは、優れた特性を示し、厳しい環境条件や高放射線条件の下でも信頼性高く動作する能力も実証しています。この論文では、より高い周波数で動作するように設計されたエンハンスメント・モードGaN HEMTトランジスタの新しく発表したファミリを特徴づける結果を示します。10MHzで動作する高性能DC-DCコンバータにおいて、それらの能力を示すと同時に、放射線被曝の下でのこれらのデバイスの安定性もプレゼンテーションします。

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2014年3月20日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
場所: テキサス州フォートワース

「GaN:電力変換特性のバーを上げる」
講演者:David Reusch博士: Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、シリコン(Si)・パワーMOSFETを超える周波数およびスイッチング速度で動作する能力によって、急速に採用されています。10MHzで動作する2AのPOL(負荷点)コンバータから、300kHzで動作する40Aのサーバー用電源までの範囲のさまざまなアプリケーションにおける特性を改善するためのエンハンスメント・モードGaNトランジスタ(eGaN® FET)の能力を実証します。スイッチング周波数を1桁高めることを狙うeGaN FETの新しいファミリEPC8000も紹介し、さらに高周波電力変換のバーを高くします。

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2014年3月20日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
場所: テキサス州フォートワース

「窒化ガリウムに基づく10MHz、42VのDC-DCコンバータの設計と評価」
講演者:Johan Strydom博士: Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門バイス・プレジデント

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、シリコン(Si)パワーMOSFETが可能とするよりも、高い効率と高いスイッチング周波数を実現する能力によって、ありふれたものになってきています。40V/nsを超えるスルー・レートでスイッチング可能なディスクリートのeGaN® FETを備えたシステムの性能は、高速ゲート・ドライバのようなパワー・デバイスや、プリント回路基板レイアウトといった外部要因によって、大きく影響されます。この論文では、高周波のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタの新しいファミリの能力を実証すると同時に、これらの制限が確認され、議論されます。これらのデバイスは、Si MOSFETでは現実的でない高周波ハード・スイッチングのパワー・アプリケーション向けに設計されているので、高電圧で高周波が必要な応用を可能にします。包絡線追跡(ET:envelope tracking)に適した42V、10MHz、40Wのバック・コンバータのデモ機では、89%以上のピーク効率を示すことをプレゼンテーションします。

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2014年3月19日
Applied Power Electronics Conference and Exposition
場所: テキサス州フォートワース

「高周波共振のソフト・スイッチングDC-DCコンバータにおける窒化ガリウム・トランジスタの評価」
講演者:David Reusch博士: Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスの出現は、成熟したシリコン(Si)パワーMOSFETが可能とするよりも、高い効率と高いスイッチング周波数を実現できる可能性を秘めています。この論文では、共振型ソフト・スイッチングのアプリケーションにおいて、出力電力密度と効率を改善する窒化ガリウム・トランジスタの能力を実証します。共振型ソフト・スイッチングのアプリケーションで、回路内の特性に影響を及ぼす重要なデバイス・パラメータを比較するために、性能指数(FOM:figure of merit)を提案し、GaN技術とSi技術を比較します。高周波共振型コンバータにおいて、Si MOSFETをエンハンスメント・モードGaNトランジスタ(eGaN® FET)に置き換える利点を実験的に確かめるために、出力電力400W、スイッチング周波数1.2MHzで動作する48Vから12Vへの安定化していない絶縁型バス・コンバータのプロトタイプで、SiとGaNのパワー・デバイスを比較します。

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2013年3月18日
Electronica China – International Power Electronics Conference
場所: 上海

「eGaN® FETベースのコンバータで無線エネルギーの伝送特性を改善する」
講演者: Peter Cheng、Efficient Power Conversionのフィールドアプリケーションエンジニアのマネージャ

成熟したシリコン(Si)・パワーMOSFETよりも高効率の置き換えとして登場した窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・デバイスは、ワイヤレス・パワー伝送のような新たに出現したアプリケーションの開発を可能にします。

無線エネルギー伝送のアプリケーションにおいて、すでに、eGaN FETベースの電圧モードD級システムは、最大効率70%以上が得られることが実証されました ―― 同等のMOSFETと比べて、全体の効率で4%高くなっています。さらに、E級の無線エネルギー伝送システムにおけるeGaN FETは、同じコイルとデバイス負荷を使ったときに、D級版よりも最大効率で20パーセント・ポイントの改善を示します。最新の設計では、最大30Wを供給でき、6.78MHzのISM帯において疎結合コイルで動作する新しいE級の設計を実証します。パッケージの寄生インダクタンスが小さいなどのeGaN FETの多くの望ましい特徴によって、E級システムは最適な変換効率で動作することが可能になります。

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2014年3月5日(水)
IEEE PELS 2014 Webinar
場所: IEEE Webinar Series

「GaNがシリコンを粉砕する――どうしてかを語らせてください」
EPCの参加者: Alex Lidow博士(CEO)、David Reusch博士(アプリケーション部門ディレクタ)

窒化ガリウムは、電力変換やRFの多くのアプリケーションで広く受け入れられ始めています。この技術は、急速に発展しており、市場においてこの製品を扱った経験も広まっています。このセミナーは、どのようにGaNの高電子移動度トランジスタ(HEMT)が動作するかの説明に始まり、この技術の最先端の最新情報へと続きます。

最新情報に続いて、このプレゼンテーションは、高周波包絡線追跡(ET:Envelope Tracking)、共振型DC-DC変換、ワイヤレス・パワー伝送などのいくつかの応用例へと移ります。

このセミナーは、比較的若い技術の将来を見据えて締めくくります。

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2013年10月28日
ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスとアプリケーションに関する第1回IEEEワークショップ
場所: オハイオ州コロンバス

「エンハンスメントモードのGaNオンシリコンは、特性を向上させ、新しいアプリケーションを広げることが可能」
講演者: David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

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2013年10月11日
グーグル+ハングアウト

「Digi-Key社とEPCのグーグルハングアウト」
EPCとDigi-Key社は、10月11日(金)の午前10時にグーグルハングアウトに出演します。Digi-Key社のAnissa Lauer 氏の番組に、EPCのAlex Lidow(アレックス・リドウ)、Michael de Rooij、Renee Yawgerが参加して、半導体材料の発展について議論します。EPCは、最先端のエンハンスメントモード窒化ガリウムのパワートランジスタ技術、これらのデバイスを搭載した設計を始める方法について説明します。

グーグルハングアウトのビデオを見る

2013年10月1日
IMAPS 2013
場所: フロリダ州オーランド

「DC-DCのアプリケーションにおいて、eGaN® FET でシステム性能を改善」
講演者: David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

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2013年6月18日~20日
PCIM Asia
場所: 上海

「GaNトランジスタでハード・スイッチングとソフト・スイッチングのアプリケーションを改善」
講演者: Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門副社長

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2013年5月13日~16日
化合物半導体の製造技術に関する国際学会(CSMANTECH:Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference)
場所: ルイジアナ州ニューオーリンズ

セッション9a:WBGパワー・デバイス
「GaNトランジスタ向けに新しく生まれたアプリケーション」
講演者: David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

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ランプ・セッションB:GaNは億万長者になりたいか? 答えを得る為に誰を呼ぶべきか?
講演者: David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

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2013年5月16日
PCIM Europe
場所: ドイツのニュルンベルク

「GaNオン・シリコン技術、デバイスとアプリケーション」
講演者:Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

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2013年4月23日
Designwest
場所: San Jose, CA

「GaNトランジスタ向けに新しく生まれたアプリケーション」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

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2013年4月8日
2013 CPES Conference Program
場所: バージニア州ブラックスバーグ

「GaNトランジスタ:成功と挑戦の先に」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

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2013年3月17日~21日
APEC
場所:カリフォルニア州ロングビーチ

「低減された寄生インダクタンスを備えた高周波、低損失のeGaNコンバータの設計」
講演者: David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーションエンジニアリング部門ディレクタ

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「eGaN FETは、低電力、高周波の無線エネルギーコンバータを可能にする」
講演者: Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門シニアディレクタ

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「包絡線追跡ET(Envelope Tracking)にeGaN FETを使用」
講演者: Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門副社長

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「eGaN FETベースの高周波共振コンバータ」
講演者:David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門ディレクタ

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「高効率電力変換用GaNトランジスタ」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)、Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門シニアディレクタ、Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション部門副社長、David Reusch博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーションエンジニアリング部門ディレクタ

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「セッション2:ワイドバンドギャップ半導体:プライムタイム、それとも将来性?」
講演者: Kevin Parmenter氏、Excelsys Technologies社
パネリスト:, Tim Mcdonald氏、インターナショナルレクティファイアー社
Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
Dan Kinser博士、フェアチャイルド社のCTO(最高技術責任者)
Primit Parkh博士、Transphorm社のCEO(最高経営責任者)
John Palmour博士、クリー社のCTO(最高技術責任者)
Greg J. Miller Sr.氏、Sarda Technologies社のアプリケーションエンジニアリング部門副社長

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2013年3月13日
GOMAC Tech Conference
場所: ネバダ州ラスベガス

「DC-DCコンバータにおける耐放射線特性を強化したエンハンスメントモード窒化ガリウム(eGaN®)FET」
講演者: Johan Strydom博士:Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーションエンジニアリング部門VP、Tom Gati氏:マイクロセミ社

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2012年11月16日
National Taiwan University Forum
場所: 台湾

「GaNトランジスタ向けに新しく生まれたアプリケーション」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

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「eGaN FETの利用法」
講演者: Peter Cheng、Efficient Power Conversionのフィールドアプリケーションエンジニアのマネージャ

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2012年10月25日
PSMA パワー技術ロードマップのウエーブセミナー

「主流はシリコンからGaNへ」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO

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2012年10月7日~12日
ECS – PriME 2012

「ローパワー ワイヤレス電力伝送におけるeGaN FET」
話者: Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ
場所: ハワイ州ホノルル

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2012年9月19日~21日
Darnell’s Power Forum
場所: カリフォルニア州サンノゼ

「GaNトランジスタを使う新たなアプリケーション」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

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「GaNトランジスタによるエンベロープトラッキング(ET)アプリケーション」
講師: Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション・エンジニアリング部門VP

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「eGaN® FETを使った絶縁型DC-DCコンバータ」
講師: Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーション・エンジニアリング部門VP

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「電源回路へのGaNアプリケーション」
講師: Robert V. White氏、Embedded Power Labs社

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座談会
「私たちが最大効率を達成した後:次は何?」
EPCの参加者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO

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2012年5月22日
クレディ・スイス社のプライベート・セミ・コンファレンス

「高効率電力変換用の窒化ガリウム・トランジスタ」
講師: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO
場所: カリフォルニア州サンフランシスコ

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2012年4月23日
CS Mantech

「高効率電力変換用の窒化ガリウムトランジスタ」
講師: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO
場所: マサチューセッツ州ボストン

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2012年3月22日
GOMAC Tech Conference

「耐放射線特性を強化したエンハンスメントモード窒化ガリウム(eGaN®)FETの特性」
講師: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO
場所: ネバダ州ラスベガス

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2012年2月23日
IIC China Conference

「高効率電力変換用eGaN FET」
講師: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
場所:中国シンセン

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2012年2月9日
Applied Power Electronics Conference

「eGaN FETの並列接続」
講師: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO
場所: フロリダ州オーランド

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2012年2月5日
Applied Power Electronics Conference

「電源回路へのeGaNアプリケーション」
講師: Robert V. White氏、Embedded Power Labs社(コロラド州ハイランドランチ)
場所: フロリダ州オーランド

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2011年12月1日
2011 EDN China Innovation Conference and Awards

「高性能DC-DCコンバータ用eGaN® FET」
講演者: Stephen Tsang、Efficient Power Conversion CorporationのアジアのセールスVP
場所:上海

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2011年10月11日
IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting

「電力変換ではシリコンは限界ですか?」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
場所: ジョージア州アトランタ

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2011年10月13日
ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit

「高性能電力変換システムにおいて、eGaN® FETをシリコンMOSFETと比較」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
場所: マサチューセッツ州ボストン

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2012年9月26日
Darnell’s Power Forum

「高周波電力変換におけるeGaN® FET」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
場所: カリフォルニア州サンノゼ

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2011年9月17日~22日
ECCE 2011: IEEE Energy Conversion Congress & Exposition

「パワー・マネジメントにおけるシリコンの置き換え技術としてのGaN」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
場所: アリゾナ州フェニックス

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2011年6月22日
PCIM Asia 2011: Power Electronics/Intelligent Motion/Power Quality

「高性能電力変換システムでのeGaN® FET 駆動」
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
場所: 上海

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2011年5月11日
IBM Power Symposium

「eGaN® FET 搭載の高降圧比バックコンバータ」:
講演者: Alex Lidow(アレックス・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion Corporationのアプリケーションエンジニアリング部門副社長
場所: ノースカロライナ州ローリー

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2011年3月24日
GOMAC Tech Conference

「長期間ストレス下のエンハンスメントモード窒化ガリウム(eGaN®)特性」
Alexander Lidow(アレクサンダー・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)
J. Brandon Witcher氏、Sandia National Laboratories社のテクニカルスタッフのシニアメンバー
Ken Smalle氏、マイクロセミ社のプロダクトエンジニア

窒化ガリウムオンシリコン(eGaN)で形成されたエンハンスメントモードHEMTトランジスタは、シリコンのパワーMOSFETの置き換えとして1年間以上も商用市場に存在しています。優れた導電性とスイッチング特性は、設計者がシステムの電力損失、サイズ、重さ、およびコストを大幅に削減することを可能にします。防衛や宇宙への応用は、eGaNトランジスタを使うことで利益を得るでしょう。しかし、それらの部品は、厳しい環境条件の下で信頼性高く動作することが要求されます。この論文で、私たちは放射線被曝時におけるこれらのデバイスの安定性を実証する結果を示します。

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2010年10月12日
GOMAC Tech Conference

「パワーマネジメントにおいてシリコンは限界ですか?」
講演者: Alexander Lidow(アレキサンダー・リドウ)博士、Efficient Power Conversion CorporationのCEO(最高経営責任者)

Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士は、2010年10月12日に開催されたIEEE SCV Electron Devices Society(EDS)で「パワーマネジメントにおいてシリコンは限界ですか?」をプレゼンテーションしました。

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