eGaN FETの信頼性

eGaN® FETの信頼性

常識をくつがえす画期的な技術の普及をうながす基本的な条件のうちのひとつは、その製品がアプリケーションの中で十分な信頼性で使うことができるか否かであると、シリコンパワーMOSFETの30年間の開発の経験が我々に教えてくれました。この原則が、EPCのエンハンスメントモード窒化ガリウム(GaN)デバイスの設計を導いています。EPCは、信頼性試験を実施したことを記述した文献、およびEPCのeGaN FETで達成された結果を公表しています。信頼性試験は、この技術が一般的な商業用途で、今、使える準備ができていることを実証しています。当社は、この知識ベースに新しい文献を定期的に追加し続けます。