GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ

Where GaN is Going in 2019…

Where GaN is Going in 2019…
1 07 2019

As the new year starts, it is worth spending a few minutes to review the successes of 2018 and look ahead to expectations for 2019. 

Over the past year, the applications taking advantage of GaN’s superior performance continued to expand and the knowledge base of GaN users continued to broaden.  The world has seen in operation the autonomous vehicles that GaN enables. Digital communications have been vastly improved with the use of GaN FETs and ICs in high speed, energy saving envelope tracking power supplies. The dream of a wireless world is coming closer to reality with the emergence of large surface area wireless power.

Tags: CESeGaNGaN

CES is the Global Stage for Innovation

CES is the Global Stage for Innovation
12 30 2018

World-changing innovations such as the first video cassette recorder (VCR) in 1970 to the world’s first laptop that can charge wirelessly have been announced at CES, the worlds gathering place for innovation.

World-changing innovations and Gallium Nitride (GaN), a critical building-block component behind many of today’s new and exciting consumer technology innovations such as self-driving cars, robots, drones, wireless power solutions, world-class audio and cutting-edge automotive solutions go hand in hand.

How to Get More Power Out of a High-Density eGaN®-Based Converter with a Heatsink

How to Get More Power Out of a High-Density eGaN®-Based Converter with a Heatsink
12 14 2018

eGaN FETs and ICs enable very high-density power converter design, owing to their compact size, ultra-fast switching, and low on-resistance. The limiting factor for output power in most high-density converters is junction temperature, which prompts the need for more effective thermal design. The chip-scale packaging of eGaN also offers six-sided cooling, with effective heat extraction from the bottom, top, and sides of the die. This application note presents a high-performance thermal solution to extend the output current capability of eGaN-based converters.

GaN Rising as Power Chain Option as Energy Demand, Cost Grows

GaN Rising as Power Chain Option as Energy Demand, Cost Grows
11 29 2018

This post was originally published by Bill Kleyman on November 5, 2018 on the Data Center Frontier  web site. Learn more about eGaN technology and EPC GaN solutions for the Data Center.

The data center is an ever-changing entity and part of our technological landscape. But sometimes the biggest changes in the colocation industry happen at the core of what makes a data center tick, and may not be visible at first glance. In this instance, we’re talking about data center power, and the potential of creative solutions on the market, such as using Gallium nitride (GaN) in power conversion equipment.

eGaN® FETs and ICs Bring Precision Control to Surgical Robots

eGaN® FETs and ICs Bring Precision Control to Surgical Robots
11 14 2018

Minimal invasive surgery using surgical robots gives unprecedented control to surgeons looking to achieve the next level of precision, thereby reducing risk and trauma to the patient and speeding recovery. Many motors are required to control the various robotic appendages, such as arms, joints, and tool control, that give the surgical robot the required degrees of freedom (DOF) and dexterity to perform extremely delicate tasks. Weight and size of motor control circuitry are thus important factors in the design of such robots as they directly impact the size of the motor that manipulates the robot’s appendages during surgery.

The motor of choice for robotic surgery is the 3-phase brushless DC (BLDC) motor These motors are compact for their power rating, can be precisely controlled, offer high electro-mechanical efficiency, and can operate with minimal vibration when properly controlled. The choice of motor voltage lies in the range of 24 V to 48 V with balancing power conductor thickness and weight with insulation thickness and stiffness for optimum performance and dexterity being the determining factors.

How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout

How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout
10 24 2018

Motivation

eGaN FETs are capable of switching much faster than Si MOSFETs, requiring more careful consideration of PCB layout design to minimize parasitic inductances. Parasitic inductances cause higher overshoot voltages and slower switching transitions. This application note reviews the key steps to design an optimal power stage layout with eGaN FETs, to avoid these unwanted effects and maximize the converter performance.

Impact of parasitic inductance on switching behavior

As shown in figure 1, three parasitic inductances can limit switching performance 1) power loop inductance (Lloop), 2) gate loop inductance (Lg), and 3) common-source inductance (Ls). The chip-scale package of eGaN FETs eliminates any significant inductance within the transistor itself, leaving the printed circuit board (PCB) as the main contributor. Each parasitic inductance is a consequence of the total area encompassed by the dynamic current path and its return loop. (See WP009: Impact of Parasitics on Performance).

効率95%で48 V入力、1 V / 10 A出力のVRMハイブリッド・コンバータ

効率95%で48 V入力、1 V / 10 A出力のVRMハイブリッド・コンバータ
10 07 2018
Gab-Su Seo1,2、Ratul Das1、and Hanh-Phuc Le1
1米コロラド大学のDepartment of Electrical, Computer, and Energy Engineering
2米国コロラドの国立再生可能エネルギー研究所のPower Systems Engineering Center

クラウド・コンピューティングやビッグデータ処理への需要が劇的に増加していることから、米国のデータセンターの電力消費量は、2020年までに730億kWhに達すると予測されています [1]。これは、米国全体の電力消費量の約10%を占めます。この消費の大部分は、非効率な電力供給アーキテクチャによる損失によって引き起こされ、改善のために大きな注意を払わなければなりません [2],[3]。

自動運転のEレースの中のLiDARなどを設計

自動運転のEレースの中のLiDARなどを設計
8 27 2018

米ニュース・サイトPlanet Analogの編集長Steve Taranovich氏が執筆したこの記事は、もともとPlanet Analogのウエブサイトに2018年8月10日に掲載されました。LiDAR(光による検出と距離の測定)のeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細をご覧ください。

驚異的な新技術、GaNベースのパワー・システム・ソリューションに関するユーザーの声

驚異的な新技術、GaNベースのパワー・システム・ソリューションに関するユーザーの声
7 24 2018

エンハンスメント・モードGaNパワー・デバイス(eGaN® FETとIC)は、ユーザーが最終製品を差異化するための道を拓きます。この新技術は、小型機器や電子機器に給電するために、常に存在する電源回路や電力分配回路の効率を大幅に向上させます。

アメリカのセールス・マネージャとして、私は、優れた新しいビジョンを創り出すためにユーザーと協力するという羨ましがられる立場に立っており、彼らは、引き続き市場をリードし、エネルギー消費を削減して消費電力を最適化することに貢献しています。

新しい技術やアプローチを導入するパワー・システムの設計は常に、好奇心と評価で満ちています。ユーザーは常に、新技術の属性と実装に関して、最も根本的で遠大な質問をします。 したがって、私が受けた最も一般的な質問を文書化することは、GaN技術の使用がこの過渡的な技術を、自信を持って採用するための道を開くと考えている人の助けになるだろうと考えました。

GaNを追い越し車線に駆り出す

GaNを追い越し車線に駆り出す
6 12 2018

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。

最近、同社は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。

当社には、LiDAR(センサー)用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。