GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: MOSFET
11 post(s) found

2 22, 2024

Why you shouldn’t use Rds(on) to select and compare devices in switching power converters

Andrea Gorgerino, Director of Global Field Application Engineering

Learn why RDS(ON) shouldn't be your main criteria for selecting switching devices. EPC's insights reveal a more effective approach for evaluating GaN FETs.

4 13, 2023

窒化ガリウムのオーディオ・アンプ:オーディオ・パワー・アンプの最新技術

Renee Yawger, Director of Marketing

従来、オーディオ・ファンは、D級オーディオ・アンプを見下してきました。スイッチング・トランジスタが、最も厳しいファンを満足させるために、十分な開ループ直線性を備えたアンプを構成するために最適化された性能を備えていなかったからです。窒化ガリウムのトランジスタと集積回路の急速な採用によって、設計者は、仕様によるマーケティングに必要なTHD+N(全高調波歪率+雑音)の性能目標を達成し、過渡相互変調歪みを低減して、最適なリスニング体験を目的とした音楽の温かみのある繊細さと音色を実現できるようになりました。

8 03, 2022

CEOコーナー:Alex Lidowは、GaNデバイスがシリコンよりもコストがかかるという神話を払拭します

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

去る2015年に、米オンライン・ニュースは、シリコンから引き継いだ窒化ガリウム・チップに関する記事を公開しました。その記事で私は、GaN FETはシリコンよりも高性能で、かつ低コストなので、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体の広範な採用が可能であると主張しました。それでも、GaNがまだ、そのマイルストーンに到達していないという誤解が広まっています・・・これは誤った神話です。このブログで、この議論は定格400 V未満のデバイスに限定されているという注意と共に、この神話を払拭しようと試みます。これは、EPCのFETとIC製品のアプリケーションの焦点だからです。

5 10, 2021

GaN FETに基づくインテリジェント・パワー・アンプ・モジュール

EPC Guest Blogger,

GaNの話のブログのゲスト:Pavel Gurev、ロシアのSinftech Rus LLC

2 09, 2021

GaNがモーター駆動用途に、どのように革命を起こすか

Marco Palma, Director of Motor Drives Systems and Applications

普通のことを再考し、心理的バイアスを克服する

モーター駆動の用途は、産業、家電製品、自動車など、いくつかの市場に広がっています。市場に関係なく生じる共通点は、新しい技術が提案されると、その採用に対する抵抗感に直面することです。結局、知られていることに固執し、変化に抵抗することは、人間の本性です。

9 22, 2020

新しい100 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETよりも、ベンチマーク性能が向上します

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格100 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaNトランジスタの間の性能の差を広げています。新しい第5世代「プラス」デバイスは、以前の第5世代製品と比べて、オン抵抗RDS(on)が約20%小さく、直流定格が高くなっています。この性能向上は、厚い金属層の追加と、はんだボールから、はんだバーへの変更によるものです。

8 21, 2020

新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格200 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaN®トランジスタの間の性能の差を2倍にしています。新しい第5世代デバイスのサイズは、前世代の約半分です。この性能向上は、図1に示すように、2つの主な設計上の違いによります。左側は、第4世代の200 Vのエンハンスメント・モードGaNオン・シリコンの構造の断面図です。右側の断面図は、第5世代の構造で、ゲート電極とソース電極との間の距離を短くし、厚い金属層が追加されています。これらの改善に加えて、示されていない他の多くの改善によって、新世代FETの性能は2倍になりました。

5 19, 2020

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!

Michael de Rooij, Ph.D., Vice President, Applications Engineering

GaN FETは、Si MOSFETに比べて非常に高速にスイッチングできるため、多くのシステム設計者は、スイッチング速度の高速化がEMI(電磁干渉雑音にどのように影響するかを気にします。

このブログでは、eGaN® FETを使ってスイッチング・コンバータ・システムを設計するときに考慮すべき簡単な軽減手法について説明し、スイッチング速度が高速であるにもかかわらず、GaN FETがMOSFETsよりもEMI雑音の発生が小さい理由を示します。

1 23, 2020

eGaN対シリコン

John Glaser , Ph.D., Director of Applications

この記事は、2016年6月13日にJohn Glaser博士とDavid Reusch博士によって書かれ、米Power Systems Design誌のウエブ・サイトで公開されました。

11 12, 2019

破壊の時が来た ―― GaNがシリコン・パワーMOSFETを正面攻撃へ

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

シリコンの時代は、十分すぎるほど長過ぎます。若くてより適切な挑戦者が半導体材料の主役を引き継ぐ時です。