GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 48V
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8 24, 2023

窒化ガリウム(GaN)がクルマの電動化をいかに加速するかは、これです ―― ICEからMHEV、そしてBEVへ

Renee Yawger, Director of Marketing

このブログでは、ICEからマイルドハイブリッド(MHEV)、BEVまで、この進化の3つの主要な段階を検証し、自動車の展望を形作る際の低電圧電力分配の役割を探ります。

1 20, 2023

電動自転車やドローン向けのモーター駆動回路を小型化

Marco Palma, Director of Motor Drives Systems and Applications

GaNは、モーター駆動用途のゲーム・チェンジャ(流れを変えるもの)です。設計者がこの技術を活用するためには、迅速で信頼性高い製品化するまでの時間が重要です。最先端のエレクトロニクスと技術を利用した使いやすいリファレンス・デザインは、製品の市場投入までの時間を短縮する貴重なツールを提供します。このツールEPC9173を使うと電動自転車やドローンの設計者は、モーター・システムのサイズ、性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させると同時に、設計を簡素化して市場投入までの時間を短縮できます。

8 25, 2022

48 Vのマイルドハイブリッド電気自動車向けのGaN FETを備えた48 V/12 Vの間の2 kW双方向パワー・モジュールの設計方法

Tiziano Morganti, Senior Field Application Engineer at Efficient Power Conversion

環境への圧力によって、より新しく、よりクリーンで高効率な輸送オプションを迅速に採用したいという圧力がかかっています。2025年には、販売される自動車の10台に1台が、より燃費効率の高い48 Vのマイルドハイブリッドになると予想されています。これらのシステムには、電力範囲が1.5 kW~6 kWの48 Vと12 Vの間の双方向コンバータが必要になるでしょう。これらのシステムの設計上の優先事項は、サイズ、コスト、高い信頼性です。GaN電力変換ソリューションは、これらの新しいモデルで使われる48 Vと12 Vの間の双方向コンバータをサポートするために最適です。

8 04, 2022

優れた電力密度の窒化ガリウムFETを使って、240 Wで汎用交流入力を備えたUSB PD3.1 電源を設計

Cecilia Contenti, Vice President Of Strategic Marketing at Efficient Power Conversion

48 Vは、コンピューティングのデータセンターや、ラップトップ・パソコンなどの民生用電子機器の新しい標準としての採用が広がっています。新しいUSB PD3.1規格は、コネクタとケーブルの電流制限が5 Aの場合、USB電圧が48 Vに高まることで、全電力供給が最大240 Wに大きくなったことも一因となって、ラップトップ・パソコンに浸透しています。 新しいUSB PD規格を使う互換性のある電源は、高電力密度の必要性を後押しする小型形状のソリューションを実現するというプレッシャの増大に直面していますGaN FETの高速スイッチング速度と低オン抵抗RDSonは、電源を構成する複数の回路で、この課題に対処できます。

7 21, 2022

CEOコーナー:Alex Lidowは、GaNデバイスがシリコンよりもコストがかかるという神話を払拭します

Jianglin Zhu, Senior Applications Engineer

去る2015年に、米オンライン・ニュースVenture Beatは、シリコンから引き継いだ窒化ガリウム・チップに関する記事を公開しました。その記事で私は、GaN FETはシリコンよりも高性能で、かつ低コストなので、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体の広範な採用が可能であると主張しました。それでも、GaNがまだ、そのマイルストーンに到達していないという誤解が広まっています・・・これは誤った神話です。このブログで、この議論は定格400 V未満のデバイスに限定されているという注意と共に、この神話を払拭しようと試みます。これは、EPCのFETとIC製品のアプリケーションの焦点だからです。

最初のGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタが大量生産を始めてから12年以上が経過し、Lidar(光による検出と距離の測定)や宇宙の電子機器などの多くのアプリケーションで、非常に急速に採用されています。しかし、民生用電子機器、コンピュータ、モーター駆動、自動車などの他の市場についてはどうでしょうか? これらの各分野でさえ、性能の向上と低コスト化という予測される転換点が現実のものになってきたため、GaNデバイスが大量に使われ始めています。

3 16, 2022

APEC 2022で、GaNが複数の業界で48 V革命をどのようにリードしているかをご覧ください

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

EPCがApplied Power Electronics Conference (APEC)のために米国ヒューストンに向かう準備は順調に進んでいます。このチームは、GaNの優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなどの多くの業界にわたって、電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを直接展示して、帰ってくることを楽しみにしています。

2 11, 2022

48 V/12 Vの自動車用評価パワー・モジュール(EPC9137、EPC9163、EPC9165)は、2相同期バック/ブースト構成を利用

Yuanzhe Zhang, Director, Applications Engineering at EPC

48 V/12 Vの自動車用評価パワー・モジュール(EPC9137EPC9163EPC9165など)は、2相同期バック(降圧型)/ブースト(昇圧型)の回路構成を採用しています。エッジ・コネクタとコントローラ・カードも、1枚のコントローラと、並列接続した2枚のモジュールを動作させられるように設計されており、効果的に4相を実現し、定格電流と定格電力を2倍にできます。EPC9137モジュールの使用例が図1です。

1 07, 2022

eGaN FETと、ルネサス エレクトロニクスのコントローラISL81807を使った12V入力、48 V / 500 W出力の2相ブースト・コンバータの設計、シリコンと同じBOM(部品表)点数で、いかに優れた効率と電力密度を実現するか

Jianglin Zhu, Senior Applications Engineer

48 Vは、AI(人工知能)システム、データセンター、マイルドハイブリッド電気自動車など、多くのアプリケーションで採用されています。ただし、従来の12 Vのエコシステムが依然として支配的であるため、12 Vから48 Vへの高電力密度のブースト(昇圧型)・コンバータが必要です。eGaN® FETの高速スイッチングと低オン抵抗RDS(on) は、この課題に対処することに役立ちます。このブログでは、ルネサス エレクトロニクスのeGaN FET互換コントローラIC のISL81807によって直接駆動されるeGaN FETを使った12 V入力、48 V、500 W出力のDC-DCパワー・モジュールの設計をシンプルで低コストの同期ブースト構成の中で評価します。.

12 14, 2020

モノリシックGaNのePower Stageを使った48 Vと12 Vとの間の変換可能な双方向1/16ブリック・コンバータの設計方法

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

ブリックDC-DCコンバータは、データセンター電気通信自動車のアプリケーションで広く使われており、公称48 Vのバスを公称12 Vのバス(または12 Vから48 V)に変換します。GaN集積回路(IC)技術の進歩によって、ハーフブリッジとゲート・ドライバの集積化が可能になり、レイアウトが簡素化され、面積が最小化され、コストが削減されるワン・チップ・ソリューションが実現できました。

このアプリケーション・ノートでは、最大出力電力300 W、ピーク効率95%で、48 Vから12 Vへの変換用途向けに集積化したGaNパワー段を使ったデジタル制御の双方向1/16ブリック・コンバータの設計について説明します。

1/16ブリック・コンバータの面積の規格は33×22.9 mm(1.3×0.9インチ)です。この設計の高さ制限は10 mm(0.4インチ)に設定されています。

1 02, 2020

2020年、GaNと共に新年

Nick Cataldo, Senior Vice President for Global Sales and Marketing

EPCの親愛なる友人、同僚、パートナ様

みなさま、および、ご家族のみなさま、EPCの全社員より、謹んで新春のお慶びを申し上げます!

2019年は、EPCのGaNの革新と、成果を上げたGaNの複数のユース・ケースで記憶に残る年でした。EPCの最新世代のGaN製品は、オン抵抗RDS(on)が低く、効率が高く、熱特性が向上し、小型で低コストであるため、パワー段の優位性を強化することができました。現在、これまで以上に、パワー・システムの設計者は、シリコン・デバイスから高性能のGaN部品に切り替えています。