よくあるご質問FAQ

  

eGaNの信頼性

EPCのeGaNトランジスタの利用可能な信頼性データ(MTBF、FITS)はありますか?

当社は、信頼性レポート・フェーズ5(http://epc-co.com/epc/documents/product-training/EPC_Phase_Five_Rel_Report.pdf )に平均故障時間(MTTF:Mean Time to Fail)を掲載しています。

信頼性試験における170万を超えるデバイス時間は、eGaN FETがほとんどの商用パワー・スイッチングのアプリケーションをサポートするための準備ができていることを実証しています。このレポートや当社のすべての信頼性試験レポートは、 http://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/eGaNFETの信頼性.aspx をご覧ください。

この部品の期待される人体モデル(HBM:Human Body Model)のESD(静電気放電)定格は、どうなりますか? 特別な取り扱いが必要ですか?

ESDテストは、HBMとマシンモデル(MM:Machine Model)のそれぞれに対して、JEDECとEIAの基準に基づいて行いました。これらのデバイスは、HBMでクラス3A以上、MMではクラスCを満たしています。HBM ESDレベルは、資料「EPC GaN Transistor Application Readiness: Phase Two Testing(EPCのGaNトランジスタのアプリケーション準備:フェーズ2テスト)」を参照してください。

EPCのeGaN FETの故障率は、どのように予測できますか?

eGaNデバイスに対する寿命試験を進めています。これに基づいて、信頼性レポートをいくつかのフェーズで公開しています。

これまでの30年間の研究によって、シリコンMOSFETの劣化メカニズムは、よく理解されています。したがって、故障率もさまざまな動作条件下で見積もることができます。EPCのeGaN® FETの構造は、MOSFETと大きく異なるので、劣化メカニズムもまったく異なります。現在、当社は、170万時間を超える最大ストレス・テストを通じて1800以上のデバイスを調べていますが、eGaN FETの主要な劣化メカニズムを定量化するための十分な情報は、まだ蓄積過程です。eGaN技術は、新しいタイプの半導体素材を採用しているので、シリコンに使った加速係数をそのまま適用できないかもしれません。当社は、さまざまな信頼性試験を継続的に行い、何1000個ものデバイスを調べ、お客様が必要とする実際の動作条件下での故障率を予測する情報を提供していくことを目標としています。将来的には、温度と電圧の加速係数について調査する計画です。

EPCは、信頼性レポートを順次公開し、お客様に詳細な情報を提供していきます。そして、統計的に、より高いレベルの信頼性レポートとなるよう更新します(http://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/eGaNFETの信頼性.aspx)。当社は、テストで出てきた故障メカニズムに関するデータを、このサイトに掲載する予定です。