よくあるご質問FAQ

  

eGaN® の技術

GaNは何に似ていますか、そして、どのように動作しますか?

GaNトランジスタは、シリコンの横型FET(電界効果トランジスタ)と、よく似ています。デバイスと技術の全般的な議論については、ウエブサイト(http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Appnote_GaNfundamentals.pdf)をご覧ください。

以下のポッドキャストもGaNの基礎について説明しています:
GaNの利用法 01: イントロダクション:材料の比較
GaNの利用法 02: イントロダクション:動作特性


図1:EPCのGaNパワー・トランジスタの構造


図2:eGaNFETの断面の走査型電子顕微鏡写真

eGaN FET技術は、今後、どこへ向かうのですか?

2010年に初めて製品化され、eGaN FETはすでに、その第3世代であり、当社は、この注目すべき新しい技術によって、まさにスタートしています。EPCは、eGaN FETを、成熟したパワーMOSFETよりも高性能で使いやすく低価格にするために開発を続けています。EPCは、耐圧600V以上の製品や、単一チップ上に複数のパワー・デバイスを搭載した集積回路、および、パワー・デバイスを単一チップ上に集積したドライバICも開発しています。GaNの将来に関するポッドキャスト(GaNの利用法 11:将来への展望)を参照してください。



専用のプリント回路基板を設計せずに、EPCのトランジスタを評価する最良の方法がありますか?

EPCは、当社のeGaN® FETの評価プロセスを単純化するための助けとなるいくつかのツールを提供しています。当社は、任意の既存のシステムに簡単に接続できる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載した開発基板を用意しています。この基板は、ゲート駆動回路、ゲート駆動用電源回路、バイパス・コンデンサなど、最適なスイッチング特性を得るためのすべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。

T利用可能な開発基板と解説文書のリストは、増え続けており、http://epc-co.com/epc/jp/製品/デモ・ボード.aspxに掲載してあります。

EPCは、このサイトの設計サポートのページで、すべてのデバイスのP-SPICE、T-SPICE、LT-SPICE、Spectreモデルも提供しています(http://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/デバイス・モデル.aspx)。当社の経験では、このデバイス・モデルは、実際のデバイス特性を非常に正確に表現していることを示しています。このテスト結果は、アプリケーション・ノート(http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Circuit_Simulations_Using_SPICE.pdf)をご覧ください

プリント回路基板上に直接、EPCのトランジスタを実装するために必要な時間と資源を使えるエンジニアは、アプリケーション・ノート(http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Appnote_GaNassembly-jp.pdf)を参考にしてください。このアプリケーション・ノートは、エンジニアのベンチ・トップに最先端システムを構築するために使える低コストの研究装置と作業条件も記述してあります。さらに、チップ接着やチップはく離のクイック・リファレンスも、デモ・ビデオと共にウエブ(http://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/アセンブリの資料.aspx)で利用可能できます。

EPCのeGaN® FETを使うシステムのコストは、従来のシリコンMOSFETを使う同じような特性のシステムと比べて、どのようになりますか?

異なる技術による製品の間のコスト比較というのは、誤解を招きやすいものです。eGaNデバイスの性能指数FOM(figure of merit)は、同じ耐圧のシリコン・ベースのソリューションと比べて、40V品で3倍、200V品で10倍の改善になります。さらに、耐放射線特性を強化した製品では50倍程度になります(GOMAC Tech 2013)。eGaNデバイスは、同じ機能に対して、はるかに小さな実装面積でこれを実現できます。単位面積当たりの性能の向上は、より低価格な部品を利用して高効率なシステムを設計できる可能性を示します。

EPCは、GaN技術に基づいた集積化されたデバイス、特にドライバの集積化に関して、製品化する計画がありますか?

GaNデバイスの構造は、集積化に非常に向いています。GaNスイッチは、基板となるシリコン(Si)材料から絶縁されているので、同じSiウエハーに複数のデバイスを配置でき、寄生要素を除去することができます。EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。新製品開発のアップデートは、当社ウエブサイトに掲載されるので、ときどきwww-epc-co.comを確認してください。さらに、http://bit.ly/EPCupdatesに登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。

EPCには、高耐圧品を製品化する計画がありますか?

現在、EPC製品の耐圧は、30V~300Vの範囲で提供されています。EPCは、600Vの製品を含めて製品の品揃えを拡張する計画です。そのときには、EPCのeGaN® FETは、既存のパワーMOSFETが現在使われているアプリケーションの90%をカバーするでしょう。EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。新製品開発のアップデートは、当社ウエブサイトに掲載されるので、ときどきwww-epc-co.comを確認してください。さらに、http://bit.ly/EPCupdatesに登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。

EPCは、近々、耐圧800V~1200VのFETを作る予定がありますか?

当社は、この技術によって、はるかに高い耐圧を実現できると信じています。つまり、その高電子移動度という性質によって、eGaNデバイスは、シリコンよりもオン抵抗RDS(on)への影響が非常に小さいので、高耐圧向けに設計することができます。加えて、デバイスそのものが小さく、その容量はトレンチMOSFETの単位面積当たりの容量よりも極めて小さいために、非常に高速なスイッチング速度が得られます。この結果、このデバイスは、RDS(on)と速度をわずかに犠牲にすることによって、高耐圧の要求に応えることができます。当社は現在、2013年のロードマップには600V以上の製品を持っていません。EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。新製品開発のアップデートは、当社ウエブサイトに掲載されるので、ときどきwww-epc-co.comを確認してください。さらに、http://bit.ly/EPCupdatesに登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。

pチャネルのエンハンスメント・モードGaNトランジスタを作ることもできますか?

今日、エンハンスメント・モードとデプリーション・モードのnチャネルGaNデバイスは、市場で入手できます。EPCは現在、エンハンスメント・モードのnチャネル・デバイスだけを供給しています。pチャネル・デバイスを作ることは可能ですが、シリコンと比べて特性は非常に劣ります。EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。http://bit.ly/EPCupdatesに登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。

GaNと標準的なSiのN-MOSを組み合わせることもできますか? これによって、主要なGaNトランジスタを制御するためのロジックやアナログ部品の追加が可能になると思います。

EPCは、当社のeGaN FETプラットフォームに基づいたIC技術を開発しています。パワーGaNトランジスタを備えた信号レベル部品の集積化は、半導体史の最も大きな変化のうちの1つになるかもしれません! EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。http://bit.ly/EPCupdatesに登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。

EPCは、ISOの認証を取得していますか?

EPCは、2011年9月に当社の品質管理システムに対してISO 9001:2008の認証を取得しました。EPCは、ISO/TS 16949およびISO 9001の認証を取得した世界クラスのウエハーの製造や組み立てのサプライヤと提携し、当社製品のグローバルな配送のために、ISO 9001認証を取得した米Digi-Key社と独占契約を結んでいます。EPCの品質や環境プログラムについての詳細は、http://epc-co.com/epc/jp/epcについて/品質と環境対応.aspx.

EPCには、GaNダイオードを生産する計画がありますか?

当社は現在、ディスクリートのGaNダイオードを製品化する計画はありません。現在のeGaN FETは、ダイオードとして動作させることができることに注意してください。すなわち、スイッチを逆方向にバイパスする物理的なダイオードはありませんが、電流がソースからドレインに流れるように強制される場合、ドレイン電圧がチャネルをオンし始める電圧まで下がると、まるでダイオードのように振る舞います。少数キャリアが存在しないので、これらのデバイスには逆回復がありません。

新製品開発情報の最新版は、当社のウエブサイトに記載しますので、ときどきwww-epc-co.comで確認してください。EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。http://bit.ly/EPCupdatesに登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。

EPCには、複数のFETを1つのパッケージに収めた製品を生産する計画がありますか?

当社の最初の製品は、トランジスタを1個搭載したディスクリート品でしたが、今後、単一チップに複数のトランジスタを搭載したデバイスを製品化する予定です。EPCの技術ロードマップの概要については、ポッドキャスト「GaNの利用法 11:将来への展望」をご覧ください。http://bit.ly/EPCupdates に登録するか、または22828に「EPC」とテキスティングすることによって、EPCからのニュースと新製品情報を受け取ることができます。