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Efficient Power Conversion（EPC）、eGaNパワー・トランジスタを発売、シリコンがこれまで実現できなかったコスト・速度の壁を破る
Posted 2015年4月29日
eGaN®パワー・トランジスタの新しいファミリーは、優れた性能、小型化、高い信頼性を提供します――しかもMOSFETの価格で。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月29日、シリコンの性能を上回ると同時に、価格で競合できるように設計したeGaNパワー・トランジスタ2品種（耐圧60 Vの「EPC2035」と耐圧100 Vの「EPC2036」）を発売しました。価格、すなわち、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタ普及への最後の壁が崩壊しました。これらの製品は、窒化ガリウムが、シリコン半導体を置き換えることが可能で、この業界がムーアの法則の成長曲線に戻ることに貢献できることを実証しています。
今回の新しいGaN FETとの比較に使ったパワーMOSFETには、同等の最大オン抵抗（RDS(on)）と同じ最大定格電圧（VDS(max)）を備えたデバイスを選択しました。スイッチング速度の指標である出力電荷QOSS、ゲート-ドレイン間電荷QGD、ゲート電荷QGの比較を下表に示しました（値が小さい方が優れています）。
表から分かるように、今回の新しいEPC2035とEPC2036の容量は、対応するMOSFETに比べて、大幅に小さくなっています。比較のために、デバイス面積も示しました。EPC2035とEPC2036の面積は、同等のMOSFETの約1/40であることが分かります。
窒化ガリウム部品で設計すると、電源システムの設計者は、低コスト化、スイッチング速度の高速化、および、重要な最終製品の小型化を実現することができます
開発基板
開発基板は、eGaN FETのこの新しいファミリーの「回路内」における特性評価を簡単に行うために使えます。この開発基板は、面積2インチ×1.5インチ（1インチは2.54cm）のハーフブリッジ構成で、eGaN FET、ゲート駆動回路、電源回路、バイパス・コンデンサを搭載しています。すべての重要な部品を搭載し、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされています。