エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年6月21日、受信機器で使われる標準規格にかかわらず、無線で機器を充電できる低コストのシングル送信アンプのソリューションを可能にしたと発表しました 。
2017年6月28日の午前11時に、中国のShanghai World Expo Exhibition and Convention Centerの会議室2（B2）で開催されるPCIM Asia Exhibition and Conference でパワー・マネージメント（電源管理）に関するEPCのエキスパートを会えます。EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de Rooij博士は、大出力、高共鳴の無線充電用途向けの顧客指向の設計を実現するための回路構成の選択について技術者向けに説明します。
近年、無線充電システムの開発は、この機能を搭載した民生用電子製品によって拍車がかかっています。ワイヤレス・パワーが普及するにつれて、6.78 MHzおよび13.56 MHzのより高い周波数のISM帯での動作に向かって開発が後押しされています。この周波数では、共振システムが高効率で空間的自由度を備え、異なる電力レベルの機器に電力を供給し、複数の機器に同時に電力を供給できます。これらの高周波では、従来のMOSFET技術がその性能限界に近づいています。サブ・ナノ秒程度のスイッチング遷移速度では、MOSFETの代替品は、エンハンスメント・モードのeGaN FETであり、高周波、高電圧での動作が可能なため、ワイヤレス・パワーのプリケーションに理想的です。
EPCは、高共鳴ワイヤレス・パワー・システムにおいて6.78MHzで動作するとき、 E級の差動モードのアンプと、ZVSのD級アンプとを実験的に検証した比較を示します。いずれも、負荷に最大33 Wを供給し、AirFuelTMクラス4規格に基づいています 。この結果は、周囲温度25℃で動作させ、FETの定格電圧の80％を超えずに、または、温度の制限を100℃としたときに、どちらかの回路構成が全電力負荷範囲にわたって85％以上のアンプ効率を達成できることを示します。
EPCは最近、EPC2046（200 V、最大オン抵抗RDS(on)は25mΩ、55 Aのパルス出力電流）とEPC2047（10 mΩ、200 V）など第5世代（Gen 5）のeGaN FETを製品化しました。開発基板EPC9081も用意しています。EPC2046もEPC2047も無線充電のアプリケーションで使えます。
PCIM Asia 2017の詳細については、http://www.pcimasia-expo.com.cn/shanghai/zh-cn/visitors/welcome.htmlを参照してください。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation: Winnie Wong ([email protected])
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。