今回の開発基板EPC9126HCで使われる超高速遷移のeGaN FETは、150 Aの大電流で、パルス幅がわずか5 nsと狭い高速なパルスを出力できるので、高精度、高解像度、高速のLiDAR（光による検出と距離の測定）システムが検出する情報の質を向上させます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年11月30日、大電流パルス・レーザー・ダイオードを最大電流150 Aで駆動できる耐圧100 Vの評価基板「EPC9126HC」を製品化しました。自動運転車の用途で3次元マップを作成するために使うLiDAR（光による検出と距離の測定）システムでは、対象物を検出する速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FETの高速遷移能力は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速に、レーザーを駆動するパワー・パルスを出力できるので、LiDARシステムの全体的な性能を向上させることができます。

製品化した開発基板EPC9126HCは、主にレーザー・ダイオードの駆動を目的としており、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバUCC27611によって駆動される接地基準のeGaN FETであるEPC2001Cを搭載しています。EPC2001Cは、最大150 Aの電流パルスを出力できる能力を備えた最大電圧100 Vのデバイスです。EPC9126HCは、パルス幅がわずか5 nsと狭いパルスでトリプル・ジャンクションの大出力レーザー・ダイオードを最大75 Aで駆動できます。

この基板には、レーザー・ダイオードを実装するための複数の超低インダクタンスの接続オプションがあり、コンデンサ（出荷時）を放電して駆動するか、または、電源バスから直接駆動するかを選択できます。レーザー・ダイオードは搭載されていないので、特定のアプリケーションを評価するためにユーザーが用意してください。

このプリント回路基板は、レーザー・ダイオードの実装の柔軟性を維持すると同時に、電力ループのインダクタンスを最小限に抑えるように設計されています。電圧と放電コンデンサの電流の測定用に複数のパッシブ・プローブを基板上に用意してあり、50Ωの測定システム用に設計された入力と検出のためのSMA接続を備えています。さらに、オプションの精密な狭いパルス発生器を利用することができます。

最後に、この基板は、例えばE級または類似の回路で、接地基準のeGaN FETを必要とする他のアプリケーションにも使えます。

米国での参考価格と購入方法

150 Aの大電流パルスのレーザー・ダイオード・ドライバ評価基板EPC9126HC は、231.25米ドルで、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.jp/ja/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier）で購入できます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。